据电科装备微信公众号消息，近日，电科装备北京烁科中科信举行了国产离子注入机批产中心启动仪式。

据介绍，批产中心建筑面积达7581平方米，设有40个模组集成工位和11个调试工位，以及模块装配、运动检测和物料中转等多个独立空间，可满足各类精密制造与高效组装需求，确保产品质量与交付速度双重提升。

按照离子注入机生产周期衡量，该中心具备年产100台套的生产、调试能力，整合长沙子公司产能，综合交付能力提升至150台。电科装备表示，国产离子注入机的批量生产能力直接影响我国半导体产业链的自主可控水平。此次批产中心的启用将大幅提升国产离子注入机的市场供应能力，确保我国电子信息产业链安全和供应链稳定。

值得一提的是，除了离子注入机，中电科近期还在碳化硅立式氧化炉方面取得了新进展。2025年1月9日，中国电科48所宣布其立式氧化炉完成批量交付。据介绍，立式氧化炉是6-8英寸碳化硅功率器件及硅基集成电路制造关键工艺设备，主要用于高温氧化及退火工艺。

据悉，氧化退火对于碳化硅功率器件制造至关重要。氧化退火处理能够优化碳化硅表面的氧化层结构，形成均匀、高质量的SiO₂栅氧化层。这有助于提升器件的击穿电压、降低漏电流和噪声，从而提高器件的性能和可靠性。

通过氧化退火，可以填补晶格缺陷，降低残余应力，提高氧化物和晶体的结合质量，改善电学性能‌，这对于提高碳化硅功率器件的整体性能和稳定性具有重要意义。在高温下，碳化硅晶体中的原子会发生移动，减少晶格缺陷，从而提高其热稳定性和热传导性能。氧化退火还能减少氧化物含量，进一步增强其耐热性能。