晶体管是控制电路中电流流动的电子设备。绝缘栅双极晶体管（IGBT）是一种高效、快速切换的三端功率半导体器件，主要用作放大器和开关。晶体管阵列是一种产品，其中使用高压/大电流晶体管和DMOS FET的多个驱动电路排列在一个IC封装中。分立半导体产品提供在线销售的IGBT阵列。Littelfuse IGBT H Bridge 1700V的最低订购量为1，而Littelfuses IGBT H Bridge 1200V的最低订购数量为20。PNEDA还提供晶体管-IGBT-阵列的数据表、库存和价格。
延伸阅读
资讯
请问一下IGBT是如何实现电路控制的？(2024-06-14)
请问一下IGBT是如何实现电路控制的？;绝缘栅双极晶体管（英语：Insulated Gate Bipolar Transistor, IGBT），是半导体器件的一种，主要用于新能源电动汽车、及电......
基础知识之IGBT(2024-03-22)
基础知识之IGBT;什么是(绝缘栅双极晶体管)？
是 “Insulated Gate Bipolar Transistor”的首字母缩写，也被称作绝缘栅双极晶体管。 被归类为元器件晶体管领域。本文......
新能源汽车解析丨什么是IGBT？结构与拆解(2023-10-08)
新能源汽车解析丨什么是IGBT？结构与拆解;IGBT （绝缘栅双极晶体管）作为一种功率半导体器件，广泛应用于轨道交通、智能电网、工业节能、电动汽车和新能源装备等领域。具有节能、安装方便、维护......
今年功率晶体管销售额可望达到245亿美元，增长11%(2022-10-12)
（IGBT）。
在2019年下半年进口IGBT就出现缺货现象，MOSFET也在2020年初伴随着新冠肺炎暴发进入缺货周期。
自2021年以来，功率晶体管的价格一路走高，国内......
重庆万国造出自研自产 IGBT 元件，预计今年内实现量产(2022-08-12)
并自行完成晶圆制造与封装测试的 IGBT 元件。目前该 IGBT 元件通过用户试用，预计今年年内实现量产。 (IGBT，Insulated Gate Bipolar Transistor，即绝缘栅双极型晶体管）
据悉，重庆......
如何用万用表测试MOSFET(2024-04-03)
如何用万用表测试MOSFET;介绍：
MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）晶体管是一种广泛用于电子设备中开关和放大电子信号的半导体器件。
MOSFET 是一种四端子器件，具有......
功率半导体市场放缓，报告称中国大陆企业转向 12 英寸晶圆和 IGBT 晶体管(2023-11-28)
功率半导体市场放缓，报告称中国大陆企业转向 12 英寸晶圆和 IGBT 晶体管;11 月 28 日消息，根据集邦咨询发布的最新报告，在功率半导体市场减速的大背景下，中国大陆企业在 12 英寸......
意法半导体1350V新系列IGBT晶体管提高耐变性和能效(2023-09-11)
意法半导体1350V新系列IGBT晶体管提高耐变性和能效;STPOWER IH2面向工业和电磁加热应用
2023 年 9 月 11 日，中国 – 意法半导体新系列 IGBT晶体管......
吉利科技旗下晶能微电子自研首款车规级 IGBT 产品成功流片(2023-03-16)
传动等领域。
IGBT 是能源变换与传输的核心器件，俗称电力电子装置的“CPU”，作为国家战略性新兴产业，在轨道交通、智能电网、航空航天、电动汽车与新能源装备等领域应用极广。
IGBT 模块是由 IGBT（绝缘栅双极型晶体管......
中科院上海微系统所在Nature Electronics报道晶圆级范德华接触阵列研究重要进展(2022-05-26)
测到理论预测下的肖特基势垒高度调控行为。进一步，通过选择功函数匹配的金属电极，成功制备出低接触电阻的MoS2晶体管器件阵列。MoS2晶体管器件阵列具有良好的性能一致性，开关比超过106。
随着......
3.3V和1.8V电平转换——电平转换芯片(2024-11-21 14:19:56)
进行电平转换，优点是速率可以做快一些。
1.1、TVC原理
这些TVC器件可用于晶体管阵列转换。器件
不需......
下一代电动汽车充电的热管理技术(2024-08-22)
充电器可以轻松集成更多元器件，从而提高电流吞吐量和工作电压。这些充电器利用尖端的半导体器件、滤波器和功率电阻器来进行电源整流，所有这些过程都会产生大量的热量。虽然滤波器和电阻器是不可忽视的热量来源，但电动汽车充电系统中最大的热量来源则是绝缘栅双极晶体管......
Ameya360：平面MOSFET与超级结MOSFET区别(2023-03-13)
-MOSFET、IGBT、SiC-MOSFET的功率与频率范围。因为接下来的几篇将谈相关的话题，因此希望在理解Si-MOSFET的定位的基础上，根据其特征和特性对使用区分有个初步印象。
下图表示处理各功率晶体管......
变频器的30个基础知识（一）(2024-04-03)
逆变器部分的存在是 VFD 和直流驱动器之间的主要区别。
4.什么是变频器中的 IGBT？
隔离栅双极晶体管 (IGBT) 是电子驱动非常快的半导体开关。通过在 IGBT 的栅......
变频器的30个基础知识（之一）(2024-03-28)
器本身有时被称为逆变器，因为逆变器部分的存在是 VFD 和直流驱动器之间的主要区别。
4.什么是变频器中的 IGBT？
隔离栅双极晶体管 (IGBT) 是电子驱动非常快的半导体开关。通过在 IGBT 的栅......
储能系统的关键零部件——IGBT介绍(2024-10-08 17:04:04)
合计构成电化学储能系统成本的80%，其中储能逆变器占到20%。
IGBT绝缘栅双极型晶体管为储能逆变器的上游原材料，IGBT的性能决定了储能逆变器的性能，占逆变器价值量的20%-30......
汽车级大功率IGBT现状及未来趋势研究 (2024-07-14)
高压系统中主要以大功率 IGBT 模块方案为主。
2. IGBT 工作原理
IGBT 芯片的内部结构结合了 MOSFET 的驱动优势及 BJT（双极性晶体管）的导通优势（如图 3 所示）。
图 3......
厂商谈IGBT大缺货：根本买不到！(2023-03-20)
厂商谈IGBT大缺货：根本买不到！;
【导读】半导体景气下行，晶片业普遍面临客户砍单与报价修正压力之际，有「电力电子中央处理器（CPU）」之誉的绝缘闸极双极性晶体管（IGBT）在电......
北京大学公开存储器专利(2024-03-11)
北京大学公开存储器专利;存储器是电子信息处理系统中不可或缺的组成部分。在过去，依靠CMOS工艺的不断进步，存储器的性能得以不断提高。
但近年来，一方面，尺寸微缩导致的晶体管......
意法半导体1350V新系列IGBT晶体管提高耐变性和能效(2023-09-11)
意法半导体1350V新系列IGBT晶体管提高耐变性和能效;
【导读】意法半导体新系列 IGBT晶体管将击穿电压提高到 1350V，最高工作温度拓宽到175°C，更高的额定值确保晶体管......
意法半导体1350V新系列IGBT晶体管提高耐变性和能效(2023-09-12 10:03)
意法半导体1350V新系列IGBT晶体管提高耐变性和能效;STPOWER IH2面向工业和电磁加热应用意法半导体新系列 IGBT晶体管将击穿电压提高到 1350V，最高工作温度拓宽到175°C，更高的额定值确保晶体管......
意法半导体1350V新系列IGBT晶体管提高耐变性和能效(2023-09-11)
意法半导体1350V新系列IGBT晶体管提高耐变性和能效;新系列 将击穿电压提高到 1350V，最高工作温度拓宽到175°C，更高的额定值确保晶体管在所有工作条件下具有更大的设计余量、耐变......
如何优化隔离栅级驱动电路?(2022-12-09)
，开关延迟比多级PNP晶体管小。图7是FOD3120的压降曲线。
图7 输出高压降与TA
门驱动 CMTI(或噪声抑制)性能
光隔离MOSFET和IGBT驱动......
3D DRAM时代即将到来，泛林集团这样构想3D DRAM的未来架构(2023-08-07)
是我们对架构的设想，涉及六个方面：
l 微缩问题
l 堆叠挑战
l 面积缩小
l 创新连接
l 通孔阵列
l 工艺要求
微缩问题
DRAM单元电路由一个晶体管......
一文解析MOS管/三极管/IGBT之间的关系(2024-11-09 00:48:11)
区的电子为PNP晶体管的n区持续提供电子，这就保证了PNP晶体管的基极电流。我们给它外加正向偏压VCE，使PNP正向导通，IGBT器件正常工作。
这就......
变频器和IGBT的基础知识(2024-05-30)
关频率则受器件开关时间的限制。采用绝缘双极型晶体管IGBT时，开关频率可达10kHz以上，输出波形已经非常逼近正弦波，因而又称为SPWM逆变器，成为当前最有发展前途的一种装置形式。
电压型变频器结构框图：
电压......
深耕半导体产业30年！深爱半导体厚积薄发(2021-04-11)
、肖特基二极管(SBD)、LED驱动IC、IGBT、PD （Photo Diode）等产品和技术。
据了解，深爱半导体成立于1988年2月，现有一条5英寸双极功率晶体管芯片生产线，一条......
新增SiC和IGBT模型,罗姆官网可提供超过3,500种LTspice模型(2023-10-12)
物－半导体场效应晶体管，是FET中最常用的结构。
*4) IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor，绝缘栅双极晶体管）
同时具有MOSFET的高速开关特性和双极晶体管的低导通损耗特性的功率晶体管......
新增SiC和IGBT模型，罗姆官网可提供超过3,500种LTspice®模型(2023-10-12)
常用的结构。
*4) IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor，绝缘栅双极晶体管）
同时具有MOSFET的高速开关特性和双极晶体管的低导通损耗特性的功率晶体管......
新增SiC和IGBT模型，罗姆官网可提供超过3,500种LTspice®模型(2023-10-12)
，是FET中最常用的结构。
*4) IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor，绝缘栅双极晶体管）
同时具有MOSFET的高速开关特性和双极晶体管的低导通损耗特性的功率晶体管......
IR宣布扩充节能的600V绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 系列(2014-05-15)
IR宣布扩充节能的600V绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 系列;IR宣布扩充节能的600V绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 系列，并提供多种封装选择。坚固可靠的全新IRxx46xx 器件......
具有集成反激式控制器的智能栅极驱动光耦合器(2023-02-20)
供电栅极驱动光电耦合器用于提供高压增强电流绝缘并提供高输出电流以切换电机驱动器或逆变器中的 IGBT。电压比较器和晶体管开关等分立元件用于在短路故障期间保护昂贵的 IGBT，而数字光耦合器用于提供隔离反馈。Avago Technologies 已将......
双面散热汽车IGBT器件热测试评估方式创新(2023-03-06)
双面散热汽车IGBT器件热测试评估方式创新;IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor），绝缘栅双极型晶体管，是由（Bipolar Junction......
发力汽车领域，瑞萨收购4D雷达公司并扩产IGBT(2022-09-01)
发力汽车领域，瑞萨收购4D雷达公司并扩产IGBT;瑞萨电子近日发力汽车领域，先后宣布收购了4D雷达公司印度Steradian，并推出新一代Si-IGBT（硅基绝缘栅双极晶体管）器件。
收购......
电动汽车及太阳能电厂需求旺盛，IGBT供不应求(2023-03-20)
电动汽车及太阳能电厂需求旺盛，IGBT供不应求;
【导读】据中国台湾媒体报道，在半导体市场需求下滑之际，IGBT（绝缘栅双极型晶体管）依然是大缺货，并且......
IGBT在新能源汽车上的应用(2024-10-22 08:01:16)
是信号链类的通信芯片。
IGBT全称为
绝缘栅双极型晶体管（InsulatedGateBipolarTransistor......
Nexperia推出新款600 V单管IGBT，可在电源应用中实现出色效率(2023-07-05)
半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia今日宣布，将凭借600 V器件系列进军绝缘栅双极晶体管(IGBT)市场，而30A NGW30T60M3DF将打响进军市场的第一炮。Nexperia在其......
ADUM4137数据手册和产品信息(2024-11-11 09:20:41)
ADUM4137数据手册和产品信息;ADuM41371ADuM4138 是一款已专门针对绝缘栅极双极晶体管 (IGBT) 驱动进行优化的单通道栅极驱动器。ADI 公司的 iCoupler® 技术......
NXP GateDriver GD3160 简介(2024-04-30)
转换成大电流栅极驱动信号，从而驱动 IGBT 以及 SiC 等大功率晶体管，进一步带动牵引电机运转。
二、Gate Driver 介绍
Gate Driver，栅极驱动器，作为主控 MCU 以及晶体管之间的桥梁，首要......
DRAM工艺如何微缩？应用材料推出材料工程解决方案(2021-05-08)
电容器、互连布线和逻辑晶体管。这些解决方案现已投入大规模量产，预计未来几年将为应用材料公司的DRAM业务带来显著营收增长。
推出应用于电容器微缩的Draco™硬掩模
在DRAM芯片中，超过55%的晶粒面积被存储阵列......
新能源车SiC-MOSFET发展分析(2023-06-19)
进行开关。
功率组件是一种只用于电力转换和控制的电子组件，分为二极管（整流和保护电路）、晶体管（负责开关）与闸流体（电路驱动）。其中晶体管......
IGBT背后的男人，彻底改变了新能源汽车，获巨额奖金(2024-09-12)
IGBT背后的男人，彻底改变了新能源汽车，获巨额奖金;美国北卡罗来纳州立大学名誉教授 Bantval Jayant Baliga 因其在绝缘栅双极晶体管 (IGBT)的发明、开发......
Diodes公司的双极晶体管采用 3．3mm x 3．3mm 封装并提供更高的功率密度(2019-03-12)
用提供更高的功率密度。新款 NPN 与 PNP 晶体管的尺寸较小，可在闸极驱动功率 MOSFET 与 IGBT、线性 DC-DC 降压稳压器、PNP LDO 及负载开关电路，提供......
中科院化学所在印刷制备单一取向有机半导体单晶阵列方面取得进展(2022-04-06)
取向有机半导体单晶图案的直写打印新方法
图2.利用单一取向晶体薄膜阵列实现了有机场效应晶体管及偏振光电探测器的阵列化制备
原标题：化学所在印刷制备单一取向有机半导体单晶阵列方面取得进展
封面图片来源：拍信网......
IGBT驱动电路介绍(2024-02-29)
IGBT驱动电路介绍;，中文名字为绝缘栅双极型晶体管，它是由MOSFET（输入级）和PNP晶体管（输出级）复合而成的一种器件，既有MOSFET器件驱动功率小和开关速度快的特点（控制和响应），又有......
聊聊IGBT功率模块的结温计算及其模型(2023-09-12)
与周围环境温度的差值越小。采用热等效回路模型来描述功率模块器件的热行为，如下图1：
2. 功率模块IGBT结温计算
电机控制器功率模块的结温取决于IGBT晶体管和续流二极管的损耗，因此，根据......
ADALM2000实验：CMOS逻辑电路、D型锁存器(2023-06-09)
使用ADALP2000模拟部件套件中的CD4007 CMOS阵列和分立式NMOS和PMOS晶体管（ZVN2110A NMOS和ZVP2110A PMOS）。CD4007由3对互补MOSFET组成，如图1所示。每对......
如何增强工业电机控制性能？这有两款隔离解决方案(2023-03-24)
母线电压在300 V至1000 V范围内。采用脉宽调制(PWM)方案，以5 kHz至10 kHz的典型频率切换功率晶体管T1至T6，从而在电机端子上产生可变电压、可变频率的三相正弦交流电压。
图3. 电机......
5大重要技巧让您利用 SiC 实现高能效电力电子产品！(2023-02-20)
有新设计采用 IGBT。IGBT 可以承受大约高达 1900 V 的高压，但开关速度较慢。SiC 器件可以应对高电压和电流水平，但开关速度要快得多。SiC 晶体管承受的电压上限为 1800 V，因此......
高新发展：芯未半导体10亿元功率半导体项目厂房已封顶(2023-02-03)
都日报报道，2022年8月，成都高新西区高投芯未高端功率半导体器件和组件研发及产业化项目开工。该项目总投资约10亿元，运营方为成都高投芯未半导体有限公司，主要从事IGBT（绝缘栅双极型晶体管）等功......
相关企业
;szwtron;;分布式组件、集成电路、电子组件、被动组件等。主动组件：小信号晶体管、功率晶体管、场效应晶体管、IGBT、线性IC、逻辑处理IC、LCD驱动IC、、MP3IC、DVDIC、工业
晶体管、GRT、IGBT模块及电子产品壳主件，同时代销南京丹元电器厂、石无二厂、南昌七四六厂等器件厂产品。
;斯裕自动化有限公司;;斯裕自动化主要从事自动化产品销售，大量库存现货供应，IGBT、芯片、晶体管、继电器等西门子产品
;深圳四达通供应链有限公司;;本公司主营集成电路，晶体管，TVS，IGBT等电子元器件贸易，主要产线infineon /NXP/ TI/microchip/ON等，保证所挂实物，原厂原装，假一
等行业中 LRC晶体管：SOT-23，插件小功率晶体管，TVS管！
;深圳市科城电子有限公司;;本公司主要产品有IR 仙童 ST 富士通 英飞凌 东芝 飞利浦 POWER 场效应 IGBT 功率管 肖特基 快恢复 三端稳压管 可控硅 模块 等系列晶体管 货源
我国功率半导体器件行业大型重点骨干企业和军用元器件研制生产的西安卫光电工厂（国营第八七七厂）合作，主要研制、生产低频大功率晶体管、高频中小功率晶体管、玻封二极管、硅堆硅桥、达林顿管、VDMOS、IGBT、可控硅、三端稳压器；GTR、IGBT、MOS模块
国功率半导体器件行业大型重点骨干企业和军用元器件研制生产的西安卫光电工厂（国营第八七七厂）合作，主要研制、生产低频大功率晶体管、高频中小功率晶体管、玻封二极管、硅堆硅桥、达林顿管、VDMOS、IGBT、可控硅、三端
器、稳压二三极管、IGBT管、快恢复及超快恢复、贴片电容电阻、贴片钽电容等产品的经销批发的私营独资企业。上海飞遁电子科技有限公司经营的集成电路、三极管、场效应管、可控硅、肖特基、达林顿晶体管、整流
、整流器、稳压二三极管、IGBT管、快恢复及超快恢复、贴片电容电阻、贴片钽电容等产品的经销批发的私营独资企业。上海飞遁电子科技有限公司经营的集成电路、三极管、场效应管、可控硅、肖特基、达林顿晶体管