发力汽车领域,瑞萨收购4D雷达公司并扩产IGBT

发布时间:2022-09-01  

瑞萨电子近日发力汽车领域,先后宣布收购了4D雷达公司印度Steradian,并推出新一代Si-IGBT(硅基绝缘栅双极晶体管)器件。

收购Steradian,瑞萨计划扩大在雷达市场的影响力

8月31日,瑞萨电子公司宣布,它已达成最终协议,以全现金交易方式收购提供4D成像雷达解决方案的印度无晶圆厂Steradian半导体公司。这项收购预计将在2022年底前完成,但需符合惯例的成交条件。

据悉,Steradian成立于2016年,总部位于印度班加罗尔,该公司生产一款适用于76G至81GHz频段的4D雷达收发器,在雷达方面拥有高水平的专业知识,例如实现高性能、通过高集成实现小型化和高功率效率的技术。瑞萨表示,收购Steradian的雷达技术将使瑞萨能够扩大其在雷达市场的影响力,并促进其汽车和工业传感解决方案的提供。

自2018年起,瑞萨电子一直与Steradian聚焦工业领域开展深度合作。对于此次收购,瑞萨表示,不受天气或昼夜等外部环境限制,能够进行远距离探测的雷达,将成为未来实现高级驾驶辅助系统(ADAS)的核心设备,预计五年内安装的产品数量将增加三倍。鉴于汽车雷达市场的增长潜力,瑞萨将通过收购 Steradian 将汽车雷达产品添加到其产品组合中。

瑞萨将利用 Steradian 的设计资产和专业知识开发汽车雷达产品,目标是在2022年开始样品出货。此外,瑞萨计划通过将本公司的汽车雷达产品与用于雷达信号处理的ADAS SoC(片上系统)、电源管理IC(PMIC)、计时产品和识别软件相结合来开发汽车雷达解决方案,这将有助于雷达系统的设计并有助于早期发展。

瑞萨新一代IGBT功率损耗减少10%

与此同时,瑞萨在8月30日推出新一代Si-IGBT(硅基绝缘栅双极晶体管)器件。据悉,该晶体管采用新一代工艺作为功率半导体,用于电动和混合动力汽车等 xEV(电动汽车)的逆变器。与使用瑞萨常规工艺的IGBT产品相比,新产品的功率损耗降低了约10%,尺寸减小了10%,同时保持了击穿电阻。

瑞萨电子计划从2023年上半年开始在Naka工厂的200mm 300mm晶圆线上量产IGBT产品,从2024年上半年开始在甲府工厂正在建设的300mm晶圆线上量产。这将是瑞萨电子首款使用300mm晶圆量产的IGBT产品。

在8月30日与新产品发布同步举行的新闻发布会上,瑞萨电源系统事业部总经理Katsuya Konishi表示,“到2027年,xEV将占所有汽车产量的一半左右。与SiC(硅碳化物)MOSFET、IGBT(由硅[Si]制成)预计将占据汽车功率半导体业务规模的绝大部分,(瑞萨电子)将重点投资于这两个领域。”

在IGBT相关技术和产品开发的同时,瑞萨还在投资扩大产能,为未来对功率半导体的需求增加做准备。2022年5月,瑞萨决定投资约900亿日元在关闭的甲府工厂(山梨县开市),并将其作为300mm晶圆生产线的专用功率半导体工厂重新启动。从使用本次宣布的新工艺的IGBT产品的量产开始,计划于2024年上半年开始生产。

采用新工艺的IGBT产品的量产将首先在中工厂进行。在中工厂,除了在200mm晶圆线上生产外,我们还计划在300mm晶圆的小规模量产线上进行生产,并为甲府工厂早日开始量产做准备。

封面图片来源:拍信网

文章来源于:全球半导体观察    原文链接
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