基础知识之IGBT

发布时间:2024-03-22  

是 “Insulated Gate Bipolar Transistor”的首字母缩写,也被称作绝缘栅双极晶体管。 被归类为元器件晶体管领域。

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元器件的特点

除了IGBT外,元器件(晶体管领域)的代表产品还有MOSFET、BIPOLAR等,它们主要被用作半导体开关。 根据其分别可支持的开关速度,BIPOLAR适用于中速开关,MOSFET则适用于高频领域。

IGBT是输入部为MOSFET结构、输出部为BIPOLAR结构的元器件,通过这两者的复合化,既是使用电子与空穴两种载体的双极元件,同时也是兼顾低饱和电压(与功率MOSFET的低导通电阻相当)和较快的开关特性的晶体管。 尽管其具有较快的开关特性,但仍比不上功率MOSFET,这是IGBT的弱点。

  • MOSFET 是指半导体元件的结构为Metal(金属)- Oxide(半导体氧化物)- Semiconductor(半导体)的三层结构的Field-Effect Transistor(场效应晶体管)。
  • BIPOLAR 是指使用了双极性元件,将称为p型和n型的两种半导体构成n-p-n及p-n-p结构的电流工作型晶体管。

功率半导体分为以元件单位构成的分立式元器件 (Discrete) 部件和由该基本部件组成的模块 (Module)。 IGBT也同样存在分立式元器件和模块之分,并分别有其适合的应用范围。 下图所示为以IGBT为主的功率半导体在开关(工作)频率与输出电容关系图中的应用范围。

【功率半导体的应用范围】

作为功率半导体的IGBT被应用于从车载用途到工业设备、消费电子等各种用途。从以电车及HEV/EV等高输出电容的三相电机控制逆变器用途,到UPS、工业设备电源等的升压控制用途、IH(电磁感应加热)家用炊具的共振用途等,其用途正在逐渐扩大。 下图对IGBT的应用领域进行了汇总。

【IGBT的应用领域】


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