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研发客服1. 运行过程中的dv/dt特性分析
（1）波形边沿叠加特性
驱动器类IGBT控制方式，特别是变频器类，有无PG V/f 控制、带PG V/f控制、无PG矢量控制、带PG矢量控制等等不同的控制方式和术语描述，总结来说为三大类：VF、开环矢量、闭环矢量控制。不同的控制方式发波方式会有所差别。
同时抓取上桥T1、T3、T5的Vce波形，来综合说明驱动器运行过程中的Vce的发波模式。
发波模式示意图
模式1：刚启动或0HZ运行时，三个管子的边沿（上升沿或下降沿）重叠在一起；
模式2：随着运行频率的增加，三个管子波形逐渐错开，两个管子的边沿（上升沿或下降沿）重叠在一起；
模式3：速度稳定时，三个管子边沿交错开，无叠加出现；
VF模式控制：模式1和模式2；
其他模式控制：模式2和模式3；
（2）干扰影响分析
干扰电流峰值：把单管噪声电流记为Icm=C回路dV/dt，所以，模式1峰值干扰电流相当为3Icm、模式2峰值干扰电流为2Icm、模式3峰值干扰电流相当为1Icm。
（3）干扰强度比较
因工作在模式1和模式2，所以VF控制下的噪声量级比其他控制方式下的更强，特别是0HZ或低频运行时。
（4）同一驱动参数下dv/dt随输出电流变化的特性
turn on （下降沿）与turn off（上升沿）的dv/dt的特性总结如下：
上升沿与下降沿在电流过零点处的dv/dt最大；
上升沿的dv/dt在电流正半周比在负半周大；
上升沿的dv/dt在电流正半周内随电流的增大逐渐变小，电流最大时dv/dt最小；
下降沿的dv/dt在电流负半周比在正半周大；
下降沿的dv/dt在电流负半周内随电流绝对值变大逐渐变小，电流绝对值最大时dv/dt最小；
上升沿的dv/dt在电流负半周期内随电流绝对值变大而变大；
下降沿的dv/dt在电流正半周期内随电流变大而变大；
2. IGBT Vce噪声源抑制方法
经过以上分析，有以下四种抑制方法：
0HZ或低频不发波，或启动频率提高（如1HZ以上才发波）；
降低五段发波与七段发波的运行切换点，降低有效发波次数；
Vce边沿交错控制最小化dv/dt，使得干扰电流峰值最低，同时对损耗没有影响；
Vce边沿变缓设计；
固定参数设计----应用较多，一般负载越重开关损耗越大，与EMI互为矛盾点，需要权衡；
dv/dt在线调整控制，最优化EMI与损耗的折中设计；
3. Vce边沿交错控制
边沿交错控制的本质是增大各个管子开通关断的时间间隔，使得各个电压波形边沿不重叠，降低dv/dt，从而减小干扰。
（1）设计点
改变死区时间来完成边沿交错的控制，但要注意时间不宜过大，一般错开共模电流第一个波峰宽度就可以了。
边沿交错控制示意图
（2）负面影响
因死区时间的调节控制，可能带来驱动器输出电流的非正弦化，需要额外的手段进行正弦化的处理。
（3）应用场合
特定场合。
4. dv/dt在线调整控制
因电机负载的电感特性，使得IGBT开关动作时，电流不会立即降为零，需要等到CE两级的载流子逐渐消失后，才能彻底的关断，电感中的电流变化影响着IGBT的turn on与turn off时间。线调整控制的本质是找到dv/dt与输出电流的周期性变化规律，从而设计出适合的驱动参数，使得EMI与损耗最优化。实际测试中也发现dv/dt与驱动参数及输出电流大小等因素相关。
驱动器不接电机，dv/dt测量很稳定，在不同运行频率下测得的结果都一样；
驱动器接电机（空载与加载），dv/dt随电流的变化而变化。在相同的IGBT的g极驱动参数下，电流越大dv/dt越小；
（1） 设计点
由变化过程中过零点为dv/dt最大点，保证过零点dv/dt满足EMI要求，再根据输出不同电流动态调整dv/dt，使得趋近于过零点的dv/dt。其驱动控制电路示意图参见图16，dv/dt的驱动参数设计方向参见图17。
图16 驱动控制电路示意图
图17 dv/dt设计方向-上升沿dv/dt设计
图17 dv/dt设计方向-下降沿dv/dt设计
（2）dv/dt在线调整控制的优点
dv/dt在整个周期内为满足EMI需求的最大值，大大减小了开关损耗，最优化EMI与损耗的设计；
不需要在IGBT的E级上串电感，而引发的谐振风险；
（3）G级驱动部分，有以下两种实现方法
采用不同的驱动参数组合；
采用栅极电流控制芯片；
（4） 负面影响
增加控制电路与电流检测电路，成本增加，控制稍复杂；
（5） 应用场合
通用。
5. 应用案例调查
边沿交错控制技术目前了解到还没有企业来做，未来特性场合下可能会有应用；
不同驱动参数组合的动态调整，已经有实际应用（例：某公司的深海探测器的高压电源产品，解决系统自扰问题）。
栅极电流控制芯片，在行业有应用，功率半导体驱动芯片厂家也已经有标准品或根据客户需求进行定制。