资讯
变频器和IGBT的基础知识(2024-05-30)
构和基本工作原理
绝缘门极晶体管IGBT也称绝缘栅极双极型晶体管，是一种新发展起来的复合型电力电子器件。
由于它结合了MOSFET和GTR的特点，既具有输入阻抗高、速度快、热稳......
请问一下IGBT是如何实现电路控制的？(2024-06-14)
造成功率MOSFET具有 RDS(on) 数值高的特征，IGBT消除了现有功率MOSFET的这些主要缺点。
虽然最新一代功率MOSFET 器件大幅度改进了 RDS(on) 特性，但是在高耐压的器件上，功率......
IGBT驱动电路介绍(2024-02-29)
一个时间为开通延迟时间td.on:td.on=Ton-Tr.i
IGBT在关断过程
IGBT在关断过程中，漏极电流的波形变为两段。
第一段是按照MOS管关断的特性的
第二段是在MOSFET关断后，PNP晶体......
Ameya360：平面MOSFET与超级结MOSFET区别(2023-03-13)
-MOSFET、IGBT、SiC-MOSFET的功率与频率范围。因为接下来的几篇将谈相关的话题，因此希望在理解Si-MOSFET的定位的基础上，根据其特征和特性对使用区分有个初步印象。
下图......
基础知识之IGBT(2024-03-22)
引用地址：
元器件的特点
除了IGBT外，元器件（晶体管领域）的代表产品还有MOSFET、BIPOLAR等，它们主要被用作半导体开关。 根据其分别可支持的开关速度，BIPOLAR适用......
硬件工程师入门基础元器件与电路原理(2024-12-03 11:23:44)
硬件工程师入门基础元器件与电路原理;
本文介绍了硬件工程师入门的基础元器件，包括二极管、三极管、MOS管和IGBT。对比了肖特基二极管与硅二极管的特性，探讨......
永磁同步电机控制系统仿真—逆变器模型（1）(2024-08-27)
向并联的续流二极管组成1个H半桥，一共3个H半桥。目前最常用的全控器件为IGBT和MOSFET。
三相二电平逆变器拓扑（以IGBT示意）
电力电子器件的特性
以Infineon的HybridPACK Drive......
讨论下电动汽车的发电模式(2023-07-10)
MOSFET利用第三象限导通的特性，获得了远低于IGBT模块的电压损失，获得了远高于IGBT+FWD的整流效率。
why？要理解这个，就需要理解DMOS的结构：
我们看到，当DMOS完全......
PWM控制型IGBT的EMI机理与抑制优化设计方法探讨(2024-04-30)
PWM控制型IGBT的EMI机理与抑制优化设计方法探讨;1. 运行过程中的dv/dt特性分析
（1）波形边沿叠加特性
驱动器类IGBT控制方式，特别是变频器类，有无PG V/f 控制、带PG V/f......
东风汽车碳化硅功率模块将于2023年实现量产(2022-12-13)
推进车规级MCU芯片在汉落地，预计2024年实现量产；与中芯国际合作，已完成设计首款MCU芯片。
作为IGBT模块的升级产品、第三代半导体，碳化硅功率模块有着更低损耗、更高效率、更耐高温和高电压的特性......
BLDC电机常用IGBT：适用各类家电优选IGBT单管(2024-07-30)
一款由纯国产厂商：飞虹半导体研发生产的IGBT单管。
FHF20T60A单管出色的Vcesat饱和压降以及关断损耗低的特点进一步提升BLDC电机的效率以及质量，当然这一切还因其具备拖尾电流非常短、正温......
有源钳位技术解析(2022-12-15)
输入每相增加保险丝作为过流与短路保护，相地间增加压敏作为防雷击保护，此雷击通常指感应雷。
由于直流母排到IGBT以及IGBT本身存在杂散电感，根据电感续流的特性，在IGBT关断瞬间会在CE两端产生感应电压尖峰，杂散电感用Ls......
功率模块IPM、IGBT及车用功率器件(2024-04-29)
器和直流/直流变换器中。
IGBT是一种结合了MOSFET和BJT的特性的半导体器件。它具有低导通电阻和高开关速度的优点，同时也具有BJT器件高电压耐受性和电流承载能力强的特点。因此，IGBT器件......
10分钟狂充80%电量！东风碳化硅功率模块明年量产装车(2022-12-13)
芯片的设计和生产，模块封装测试的开发和生产等环节同样有着非常高的技术要求和工艺要求，作为模块的升级产品、第三代半导体，有着更低损耗、更高效率、更耐高温和高电压的特性。
该模块能推动新能源汽车电气架构从400V到......
士兰微电子推出小体积高性能270A/750V IGBT电机驱动模块(2023-08-07)
客户进一步提升整机在热和电气性能方面的能力拓展了空间。
具有低杂散电感、高阻断电压、高功率密度、高可靠性
士兰270A/750V IGBT模块，具有低杂散电感和高阻断电压、高功率密度、高可靠性的特点，可以......
10分钟狂充80%电量！东风碳化硅功率模块明年量产装车(2022-12-13)
的门槛非常高，除了芯片的设计和生产，IGBT模块封装测试的开发和生产等环节同样有着非常高的技术要求和工艺要求，作为IGBT模块的升级产品、第三代半导体，碳化硅功率模块有着更低损耗、更高效率、更耐高温和高电压的特性......
FHF20T60A型号IGBT适用于破壁机马达驱动(2024-08-12)
，那究竟国产中有比较好可以替换的IGBT单管吗？
从需要方面，我们要选择高可靠性和反向并行的快恢复二极管特性的IGBT单管来替换NCE20TD60BF型号。
这里对于国产IGBT单管而言，可以......
常用的功率元器件大全(2023-02-06)
晶闸管
MCT的等效电路图
MCT 是一种新型MOS 与双极复合型器件。如上图所示。MCT是将 MOSFET 的高阻抗、低驱动图 MCT 的功率、快开关速度的特性与晶闸管的高压、大电......
碳化硅如何最大限度提高可再生能源系统的效率(2023-07-06)
开关具有更高的热稳定性和机械稳定性，可实现更为紧凑的电力电子产品设计。
使用栅极驱动器驱动 SiC
基于 SiC 电源开关的特性，驱动 SiC 电源开关需要特殊考量。栅极驱动器选择会对 SiC 在应......
5大重要技巧让您利用 SiC 实现高能效电力电子产品！(2023-02-20)
证明您选择 SiC 作为开关模式设计的首选功率半导体是正确的，请考虑以下突出的特性。与标准或超级结 MOSFET 甚至 IGBT 相比，SiC 器件可以在更高的电压、更高的频率和更高的温度下运行。其他......
从硅到碳化硅，更高能效是功率器件始终的追求(2023-09-07)
：贸泽电子）
BC857BW-QX为一款PNP通用晶体管，其具有低电流和低电压特性，最大电流为100mA，最大电压为65V，可以帮助系统具备低功耗的优势。
除了器件本身的特性，BC857BW-QX在封......
是时候从Si切换到SiC了吗？(2023-03-20)
在两个方向都具有“无拐点电压”的特性。因此，如果使用足够大的芯片面积，就可以实现导通损耗的大幅降低。这使得设计集成在电机中的驱动器成为可能。它可以集成到密封的机箱内，并采用自然冷却。此外，长时......
SiC功率器件崛起，新能源汽车迎来性能革命！(2024-03-19)
碳化硅技术的不断进步和规模化生产的实现，其成本有望逐渐降低。
可靠性方面：由于碳化硅材料具有高耐温、高抗辐射等特性，碳化硅功率器件在恶劣环境下的可靠性优于硅基IGBT。这使......
电驱动系统的大三电与小三电分别是什么(2024-06-26)
机控制器向高压大功率趋势发展的情况下，第三代功率半导体SiC的应用成为共识，因其导通电阻小，开关速度快的特点，运用单管并联技术才能发挥其最优特性。 4、SiC提升电控性能 在新能源汽车电机控制器当中，电力......
新能源汽车大小三电都是啥？(2024-11-18 08:16:26)
用成为共识，因其导通电阻小，开关速度快的特点，运用单管并联技术才能发挥其最优特性......
光伏逆变器系统设计从系统目标到解决方案，一次性讲透(2024-06-07)
要求更高
3 通道飞跨电容升压型 SiC 混合功率集成模块（PIM）
特性
● 1000 V 低 VCE(SAT)快速开关 IGBT 和 1200 V 碳化硅二极管
● 模块具有低热阻抗基板
● 提供......
车规模块系列 ：特斯拉TPAK系列(2023-09-18)
电阻和寄生电感都会较大，并且安装较为耗时。而普通焊料焊接，由于焊料的特性，导电率会随着使用的时间而降低。我们都知道铜具有更高的导电性和导热系数，有助于更高的电流密度。
下面......
汽车级大功率IGBT现状及未来趋势研究 (2024-07-14)
散电压特别是在高压大电流的应用场合，所以 IGBT 的损耗要比 MOSFET 低。
图 4 IGBT 的导通压降 Vce 与 Vgate 关系
IGBT 的输出特性如图 4 所示，如果 Gate 电压不够大，那么......
电动汽车主动短路保护策略的分析及应用(2023-07-20)
转速下，电机输出扭矩在低速区随着转速升高而急速增大，后随着转速升高而急速减小，高速区趋于稳定，如图4所示。
图4. ASC状态下电机制动力矩仿真曲线
主动短路ASC****时，电驱系统的特性：
低速......
能实现更高的电流密度和系统可靠性的IGBT模块(2023-10-20)
的降低 IGBT 的静态损耗。Nexperia 的 IGBT模块表现出了优异的低 Vcesat 饱和压降的特性。
图4 IGBT模块在 150°C 的 静态特性（Ic-Vcesat )
IGBT模块......
借助智能功率模块系列提高白色家电的能效(2024-06-17)
别之处在于，它专门针对要求高频开关的驱动应用（如洗衣机、冰箱和风扇）进行了优化，因此有助于实现更低开关损耗和更高功率密度，进而最终降低系统成本。
由于具有低Qrr特性，RC-D2 IGBT的开......
新能源汽车加速爆发，功率器件迎来增长新契机(2023-06-06)
Wolfspeed第三代 SiC MOSFET技术，E3M0060065D与E3M0060065K的特色为高温导通电阻低、可高速开关且电容小、体二极管反向恢复特性好、最大结温高达175°C。
与市......
变频器主回路中驱动电路和保护电路设计(2023-08-25)
的作用是单向导通，D点为低电平时，使保护电路对欠压电路部分无影响。
典型的IGBT驱动电路如下图。对于IGBT的驱动，由于IGBT的特性随VGE和RG变化，而且随IGBT的电......
碳化硅和IGBT并行不悖，新能源汽车功率器件怎么配？(2023-04-05)
能源车中的核心地位开始被动摇。
据Qorvo高级现场支持工程师周虎介绍，碳化硅之所以在新能源汽车中更被看好，源于其独有的技术特性。碳化硅器件导通后的特性类似于电阻，且导通阻抗相比硅基IGBT更低，其损......
借助智能功率模块系列提高白色家电的能效(2024-06-14)
用成熟的紧凑型双列直插式传递模封装，可实现更高能效。得益于RCD2开关的特性以及其SOI栅极驱动器的高级功能，这些产品可以为IPM解决方案提供性能与结实耐用性兼顾的完美结合。
......
直击电源测试过程中不同阶段的痛点(2020-02-27)
基于桥式拓扑结构，在不同的负载条件测试IGBT及相应的二极管的特性？成为工程师非常头疼的问题。
阶段2：原型版设计的痛点
对于电源功能设计中输入输出的信号进行测试，信号波形及主要的参数指标。对于系统的评价，测试......
高能效的主驱逆变器方案 有助解决里程焦虑，提高电动汽车的采用率(2024-07-22)
用具有竞争优势的场截止沟槽技术进行构建，该技术采用了精细的单元间距设计以创建高功率密度器件，并具有稳定的抗动态闩锁条件的特性。根据电机的功率要求，可以在逆变器每个半桥上的相应的高边和低边开关上并联多个IGBT。
安森......
IGBT在新能源汽车上的应用(2024-10-22 08:01:16)
整个产品的寿命。
IGBT的诞生
IGBT诞生了，如前面所讲，IGBT是由MOS管和三极管结合组成的，既然要结合，那么肯定要继承两者的优良基因。所以IGBT相较于三极管和MOS管的特......
适用于运输领域的SiC：设计入门(2023-04-19)
明我们的理想功率开关性能会随着标称电压的升高而变差。
考虑到硅材料的特性，高于200V的标称电压会因沟道过长而颇具挑战性（使器件在电气性能上和经济效益上都失去优势）。在这种情况下，IGBT等双......
必看！IGBT基础知识汇总！(2024-01-03)
和关断时间tOFF给出的，根据这些参数可估算出IGBT的开关频率，一般可达30～40kHz。在变频器中，实际使用的载波频率大多在15kHz以下。
05 IGBT的静态特性曲线
IGBT静态特性曲线包括转移特性曲线和输出特性......
TI推出250W氮化镓IPM，比IGBT更小巧更高效(2024-06-26)
MOSFET。
至于开关损耗，氮化镓FET的损耗则比MOSFET和IGBT低得多，原因如下：
氮化镓具有零反向恢复特性。借助零反向恢复特性，可以以非常高的电流斜率 (di/dt) 和电压斜率 (dv/dt......
基于SiC的高电压电池断开开关的设计注意事项(2025-01-09)
击穿场是一项显著的优势。此外，电阻降低还意味着无需担心动态闩锁问题，否则较高的dV/dt瞬变可能会分别触发硅功率MOSFET和IGBT中的寄生NPN晶体管或晶闸管。
图1、Si、SiC和GaN三种材料的特性......
ST 隔离栅极驱动器：碳化硅MOSFET安全控制的优化解决方案和完美应用伴侣(2024-02-29)
之间提供电气隔离，确保无缝集成和优质性能。
STGAP系列隔离栅极驱动器具有稳健性能、简化设计、节省空间和高可靠性的特性
意法......
基本半导体推出支持米勒钳位的双通道隔离驱动芯片(2024-06-24)
基本半导体推出支持米勒钳位的双通道隔离驱动芯片;
【导读】相较于硅MOSFET和硅IGBT，碳化硅MOSFET具有更快的开关速度、导通电阻更低、开启电压更低的特点，越来......
简述碳化硅SIC器件在工业应用中的重要作用(2022-12-21)
代半导体材料氮化镓（GaN）和SiC功率器件表现出越来越优越的特性。从理论上讲，SiC器件的WBG是硅的三倍，因此可以实现约600°C的结温。
以下是对有前途的碳化硅功率器件的简要介绍。
二极管
碳化......
如何优化SiC MOSFET的栅极驱动？这款IC方案推荐给您(2023-07-20)
MOSFET的独特器件特性意味着它们对栅极驱动电路有特殊的要求。了解这些特性后，设计人员就可以选择能够提高器件可靠性和整体开关性能的栅极驱动器。在这篇文章中，我们讨论了SiC MOSFET器件的特......
满足高度紧凑型1500-V并网逆变器需求的新型ANPC功率模块(2022-12-09)
。根据栅极驱动级的特性，必须增加100-200纳秒（ns）的极短联锁死区时间。
2.2 SiC T-MOSFET的功率损耗分析
SiC T-MOSFET的瞬时导通损耗影响开通电阻RDS......
硬核技术创新加持，特色工艺平台为智能时代添飞翼(2019-12-17)
将夯实现有基础，充分发挥12英寸更小线宽的特性，继续研发55纳米技术节点下1.2V/2.5V工艺平台对集成Switch + LNA的支持。华虹宏力的特色工艺平台还涵盖成熟的射频CMOS工艺、锗硅BiCMOS工艺......
日立ECN30系列功率模块助力电动汽车(EV)领域(2024-09-14)
的汽车运行环境中也能保持长久的稳定性和耐用性。
ECN30系列功率模块与SiC技术完美结合，进一步放大了SiC材料的优势，使得车辆动力系统能够充分发挥其高速、高效、低耗的特性。此外，通过与高电压隔离式栅极驱动器的无缝对接，ECN30模块......
谈谈SiC MOSFET的短路能力(2024-02-02)
提高而上升。随着CE电压进一步提升，反型层沟道被夹断，器件电流相对保持稳定，不再随CE电压上升而上升，我们称之为退出饱和区。在IGBT的输出特性曲线上，我们能看到明显的退饱和现象。
（关于IGBT退饱和特性......
相关企业
在动态和静态状态下, dv/dt的特性都得以提高,从而使HiPerFET在更恶劣的条件下也能安全工作,因此,它适合在各种感性负载作为开关器件。
;长沙长远焊接设备有限公司;;长沙长源焊接设备有限公司有一支国内最早从事IGBT逆变焊机研究的科研队伍。专业研发、生产、销售IGBT逆变弧焊机。在全球资源日趋缺乏的环境下，我们将利用IGBT逆变
器、差模电感的理想材料；值得一提的是PT条形磁芯，不仅具有优良的电气特性，而且组装方便，易于加工的特性；PB型尖峰抑制用钴基非晶磁芯，是用牌号为2714或是6025制作，具有损耗低，最大磁导率高的特性
;东莞市红河 润滑油有限公司;;伦特士（LUTS）润滑油的特性如下： 1.润滑油的粘度与粘温特性 2.润滑油的润滑性 3.润滑油的高温氧化安定性 4.润滑油的金属腐蚀性 5.润滑油的高空起泡性 电话
;东莞市红河润滑油有限公司;;伦特士（LUTS）润滑油的特性如下： 1.润滑油的粘度与粘温特性 2.润滑油的润滑性 3.润滑油的高温氧化安定性 4.润滑油的金属腐蚀性 5.润滑油的高空起泡性 电话
;常熟市兴达电子有限公司（深圳办事处）;;本公司专业生产软磁铁氧体磁芯，其功率铁氧体材料具有高饱和磁通密度，高频率特性，超低功耗的特性。被广泛用各种视听设备.电光源.通讯
;上海天顺云电子有限公司;;我们公司结合中国市场特点：小批量备货能力的特性，专注于服务中国研发设计领域，致力于满足电子设计工程师的需求并为其量身打造了一系列超乎想象的个性化增值服务。
;深圳市福田区峰科电子商行;;我公司专业推广功率半导体器件。主要品牌有： 美国Fairchild（仙童），主要有IGBT模块，整流二极管模块，IGBT单管，SPM模块,场效应管，软快恢复二极管，肖特
;北京合众汇能营销部;;HCC超级电容器产品具有体积小、容量大、功率高、寿命超长、温度特性好的特点，产品种类丰富，以卷绕圆柱式为主，兼顾方形、异型模组等多种超级电容器产品规格，涵盖了大、中、小型
天然养颜系列产品由法国皮肤学专家针对亚洲女性的肌肤度身定制，我们的产品特性运用了现代高科技基因技术及高浓缩成份配方，萃取天然草本植物精华和多种细胞生长因子、生物活性及生物信息传导因子等成份，不加任何色素和香料。因而能保证产品质量的均匀一致和持久不变的特性