【导读】意法半导体（下文为ST）的功率MOSFET和IGBT栅极驱动器旨在提供稳健性、可靠性、系统集成性和灵活性的完美结合。这些驱动器具有集成的高压半桥、单个和多个低压栅极驱动器，非常适合各种应用。在确保安全控制方面，STGAP系列隔离栅极驱动器作为优选解决方案，在输入部分和被驱动的MOSFET或IGBT之间提供电气隔离，确保无缝集成和优质性能。

STGAP系列隔离栅极驱动器具有稳健性能、简化设计、节省空间和高可靠性的特性

意法半导体（下文为ST）的功率MOSFET和IGBT栅极驱动器旨在提供稳健性、可靠性、系统集成性和灵活性的完美结合。这些驱动器具有集成的高压半桥、单个和多个低压栅极驱动器，非常适合各种应用。在确保安全控制方面，STGAP系列隔离栅极驱动器作为优选解决方案，在输入部分和被驱动的MOSFET或IGBT之间提供电气隔离，确保无缝集成和优质性能。

选择正确的栅极驱动器对于实现最佳功率转换效率非常重要。随着SiC 技术得到广泛采用，对可靠安全的控制解决方案的需求比以往任何时候都更高，而ST的STGAP 系列电气隔离栅极驱动器在此成为必不可缺的一环。STGAP2SICS系列针对SiC MOSFET 的安全控制进行了专门优化，并可在高达1200V的高压下工作，使其成为节能型电源系统、驱动器和控制装置的绝佳选择。从工业电动汽车充电系统到太阳能、感应加热和汽车 OBC DC-DC，STGAP2SICS系列可简化设计、节省空间并增强稳健性和可靠性。

STGAP2SICSA 是一款符合汽车AEC-Q100 标准的单通道栅极驱动器，优化控制SiC MOSFET，其采用了节省空间的窄体 SO-8封装 (相关型号：STGAP2SICSAN)和宽体 SO-8W 封装(相关型号：STGAP2SICSA)，通过精确PWM控制提供强大的性能。

STGAP2SICSA 在栅极驱动通道和低压控制之间具有电气隔离，可在高达1700V (SO-8) 和 1200V (SO-8W) 的电压工作。其小于45ns 的输入到输出传播时间可确保高PWM 精度，并凭借±100V/ns的共模瞬态抗扰度(CMTI) 实现可靠的开关。内置保护包括欠压锁定(UVLO)，防止SiC电源开关在低效率或不安全条件下运行，以及热关断，如果检测到结温过高，则将两个驱动器输出调低。

STGAP2SICSA 具有带米勒钳位功能的单输出配置。单输出增强了高频硬开关应用的稳定性，利用米勒钳位来防止电源开关振荡。

STGAP2SICSA 逻辑输入低至3.3V并且与TTL 和 CMOS 逻辑兼容，简化了与主机微控制器或DSP的连接。该驱动器可在高达26V的栅极驱动电压下的推拉电流高达4A。具有独立输入引脚的关断模式有助于最大限度地降低系统功耗。

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