技术咨询
代买器件
商务客服
研发客服STPOWER IH2面向工业和电磁加热应用
2023 年 9 月 11 日，中国 – 意法半导体新系列 IGBT晶体管将击穿电压提高到 1350V，最高工作温度拓宽到175°C，更高的额定值确保晶体管在所有工作条件下具有更大的设计余量、耐变性能和更长久的可靠性。
新推出的 STPOWER IH2系列IGBT还提高了功率转换能效，相关参数十分出色，例如，饱和电压 Vce(sat)很低，确保器件在导通状态下耗散功率很低。续流二极管的压降很低，关断电能得到优化，让工作频率16kHz 至 60kHz 的单开关准谐振转换器具有更高的能效。
新IGBT具有很好的耐变性和能效，非常适合电磁加热设备，包括厨房炉灶、变频微波炉、电饭锅等家用电器。在2kW应用中，意法半导体的新型IGBT器件可将功耗降低11%。
此外， Vce(sat) 具有正温度系数效应，器件之间紧密的参数分布有助于简化设计，并轻松并联多个 IGBT管，以满足高功率应用需求。
该系列先期推出的两款器件 25A STGWA25IH135DF2 和 35A STGWA35IH135DF2 现已量产，采用标准 TO-247 长引线功率封装。
文章来源于:电子工程世界 原文链接
本站所有转载文章系出于传递更多信息之目的，且明确注明来源，不希望被转载的媒体或个人可与我们联系，我们将立即进行删除处理。
相关文章
不同的电平信号的MCU怎么通信(2023-01-09)
数载流子浓度受温度、辐射等因素影响较大，所以场效应管比三极管的温度稳定性好。
5、场效应管在源极未与衬底连在一起时，源极和漏极可以互换使用，且特性变化不大，而三极管的集电极与发射极互换使用时，其特性差异很大，b 值将......
不同的电平信号的MCU串口通信(2024-10-24 15:47:14)
进行串口通信。
该电路的核心在于电路中的MOS场效应管（2N7002）。他和三极管的功能很相似，可做开关使用，即可控制电路的通和断。不过比起三极管，MOS管有挺多优势，后面将会详细讲起。下图是MOS管实物3D......
不同的电平信号的MCU怎么通信？(2024-10-22 16:01:50)
数载流子浓度受温度、辐射等因素影响较大，所以场效应管比三极管的温度稳定性好。
5、场效应管在源极未与衬底连在一起时，源极和漏极可以......
使用电机驱动器IC实施的PCB设计(2024-08-30)
栅极过压击穿。一般的场效应管栅极的耐压是18V或20V，直接加上24V电压将会击穿，因此这个稳压二极管不能用普通的二极管代替，但是可以用2千欧的电阻代替，同样能得到12V的分压。3......
用指针万用表检测场效应管的方法(2023-02-07)
电阻值不一样的现象，可以判别出结型场效应管的三个电极。具体方法：将万用表拨在R×1k档上，任选两个电极，分别测出其正、反向电阻值。当某两个电极的正、反向电阻值相等，且为几千欧姆时，则该......
介绍用指针万用表检测场效应管的方法(2023-03-07)
的PN结正、反向电阻值不一样的现象，可以判别出结型场效应管的三个电极。具体方法：将万用表拨在R×1k档上，任选两个电极，分别测出其正、反向电阻值。当某两个电极的正、反向电阻值相等，且为几千欧姆时，则该......
指针式万用表对场效应管进行判别方法(2023-02-08)
指针式万用表对场效应管进行判别方法;（1）用测电阻法判别结型场效应管的电极
根据场效应管的PN结正、反向电阻值不一样的现象，可以判别出结型场效应管的三个电极。具体方法：将万用表拨在R×1k档上，任选......
Nexperia（安世半导体）宣布推出新一代 650V 氮化镓 (GaN) 技术(2020-06-08)
采用了级联结构并优化了器件相关参数，Nexperia的氮化镓场效应管无需复杂的驱动和控制，应用设计大为简化；使用标准的硅MOSFET 驱动器也可以很容易地驱动它们。
新的氮化镓技术采用了贯穿外延层的过孔，减少......
4个常用的单片机防反接电路(2022-12-08)
本不高。
缺点：一旦接反需要更换保险丝，操作比较麻烦。
3、正接反接都可正常工作的电路
优点：输入端无论怎样接，电路都可以正常工作。
缺点：存在两个二极管的压降，适用于小电流电路。
4、N沟道增强型场效应管......
防反接常用单元电路，收藏了(2024-10-26 11:31:16)
，其主要参数如下：Vdss=55V，Id=44A，Rds=0.027欧姆；可以看到其导通电阻只有27毫欧。
下图就是一个用N沟道场效应管......