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MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）晶体管是一种广泛用于电子设备中开关和放大电子信号的半导体器件。
MOSFET 是一种四端子器件，具有源极 (S)、栅极 (G)、漏极 (D) 和体 (B) 端子。MOSFET 的主体经常连接到源极端子，因此使其成为类似于场效应晶体管的三端器件。
以下是如何判断 MOSFET 是否有缺陷的指南。这些是可用于检查 MOSFET 是否有缺陷的最常用技术。
方法#1：
A
1.首先打开数字万用表并选择“连续性”模式，测试电路的完整性。
2.将测试引线连接至 MOSFET 端子。将测试引线保持在 (A) 连接处连接几秒钟。
3.如果万用表蜂鸣器亮起，则MOSFET 处于不良（损坏）状态。
B
1.将测试线连接至 MOSFET 端子。将测试引线保持在 (B) 连接状态几秒钟。
2.如果万用表蜂鸣器熄灭，则MOSFET 状况良好。
方法#2：
N 型 MOSFET：
1.连接(C)完成后，按下开关(LED ON Switch)——如果LED亮起，则IGBT是好的。否则，LED 不亮，IGBT 坏。
2.当您按下开关（LED OFF 开关）时 - 如果 LED 熄灭，则 IGBT 良好。否则就是IGBT坏了。
P 型 MOSFET：
1.连接(E)完成后，按下开关(LED ON Switch) - 如果LED熄灭，则IGBT良好。否则，LED 亮，IGBT 坏。
2.当您按下开关（LED 关闭开关）时 - 如果 LED 亮起，则 IGBT 良好。否则就是IGBT坏了。
文章来源于:电子工程世界 原文链接
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