为了计算IGBT的总功率损耗，导通、导通和关断损耗之和必须乘以开关频率。关断状态损耗可忽略不计，无需计算。IGBT损耗必须使用电阻负载或在负载消耗功率的部分周期内测量。为了计算静态功率损耗，将Vce（sat）乘以Ic乘以占空比。要计算开关损耗，请将Ets乘以开关频率。例如，如果您有一个期望开关频率为2 Hz、占空比为2%的IGBT，则可以按如下方式计算其总功耗：静态功率损耗=Vce（sat）*Ic*占空比=2.1*130*0.02=5.46 W；开关损耗=Ets*开关频率=3.2e-3*2=0.0064 W；总功率损耗=静态功率损耗+开关损耗=5.46+0.0064=5.4664 W。IGBT耗散的平均传导损耗由（）=1给出。
延伸阅读
资讯
新能源汽车电机控制器技术及趋势(2024-02-09)
在于直接采集晶元结温，高低压的安规问题。
模块6路结温采样，模块及外部电路成本增高，目前采用1各IGBT结的温度，单路二极管的温度，通过损耗计算，热流参数计算，推导出其他几路IGBT的温度。
采用......
如何手动计算IGBT的损耗(2023-02-07)
如何手动计算IGBT的损耗;现今随着高端测试仪器和仿真软件的普及，大部分的损耗计算都可以使用工具自动完成，节省了不少精力，不得不说这对工程师来说是一种解放，但是这些工具就像黑盒子，好学......
Boost变换器中SiC与IGBT模块热损耗对比研究*(2023-01-28)
功率电能变换领域，SiC 模块替代IGBT 模块成为了可能，因此对SiC 与IGBT 模块开展的对比研究很有现实意义。
针对SiC 模块的应用研究，目前主要集中在动态性能、功率损耗计算......
一文搞懂IGBT的损耗与结温计算(2023-02-20)
考虑从峰值到过零的变化，以得出器件的平均功耗。
IGBT 和二极管功耗计算
测量完这五个损耗分量后，需要将它们与测量条件相关联，以便计算每个芯片的总功耗。
图 7. 感性负载波形
图 7......
光伏逆变器系统设计从系统目标到解决方案，一次性讲透(2024-06-07)
QRR = 224nC
● 最新的屏蔽栅极架构
● 低 QG 以最小化驱动损耗
应用
● 隔离式 DC-DC 转换器中的初级开关
● 电机驱动
功率 MOSFET， 150V， PQFN-8 封装......
全球首批RDS（on）低于10mΩ的碳化硅FET发布(2019-12-10)
，可以提高所驱动电机的效率。如果将逆变器设计为具有滤波功能的输出，较高的运行频率将允许使用较小的滤波器。
这些器件还能够很好地并联使用，以处理非常大的电流。经过严格的损耗计算表明，使用......
UnitedSiC发布首批RDS（on）低于10mΩ的碳化硅FET(2019-12-10)
的运行频率将允许使用较小的滤波器。
这些器件还能够很好地并联使用，以处理非常大的电流。经过严格的损耗计算表明，使用六个UF3SC120009K4S SiC FET并联构建的200kW，8kHz逆变器，其开关损耗和传导损耗......
能实现更高的电流密度和系统可靠性的IGBT模块(2023-10-20)
在25°C 和 150°C 的折中曲线（ Vcesat-Etot ）
马达驱动的损耗计算
为了更接近客户的实际的应用情况，如图7是IGBT模块在典型的马达驱动的损耗对比，其中 Vcesat ， VF......
一文读懂碳化硅设计中的热管理(2023-10-11)
.Si IGBT 和 SiC MOSFET 的 VDS 比较
驱动损耗与开关器件所需的栅极电荷 (Qg) 成正比。这是每个开关周期都需要的，使其与开关频率成正比，并且 Si MOSFET 比 SiC......
牛人剖析功率MOS，从入门到精通(2024-11-18 19:30:30)
二极管反向恢复后：
关断损耗：
驱动损耗：
十、功率MOSFET的选......
高速永磁同步电动机定子各区域的铁耗分析(2022-11-28)
出定子铁心各区域铁耗的分布特性，将定子铁耗计算结果与有限元计算结果相比较，并进一步分析高速永磁同步电机的铁耗密度分布特点。计算结果表明，高速永磁同步电机稳定运行在较高的频率时，定子铁心中的涡流损耗占总铁心损耗的比重最大，附加损耗......
简述碳化硅SIC器件在工业应用中的重要作用(2022-12-21)
温度的升高，电流增益减小，驱动损耗增加。对于10 kV及更高电压，SiC IGBT非常合适。
结语
SiC功率器件所展示的卓越动态特性为以前不切实际的电路铺平了道路。与传统的硅功率半导体器件相比，SiC电力......
异步电机空载损耗有多大 异步电机空载损耗计算公式(2023-07-10)
异步电机空载损耗有多大 异步电机空载损耗计算公式; 异步电机空载损耗有多大
异步电机空载损耗大小取决于电机的额定功率和额定电压，以及电机的具体设计和制造工艺等因素。一般情况下，空载损耗......
安森美1200V碳化硅MOSFET M3S系列设计注意事项，您知道吗？(2024-06-14)
使外部碳化硅SBD的导通开关损耗(EON)降低，但关断开关损耗(EOFF)没有大的变化，如图10（a）和（b）所示。需要在栅极驱动电路设计上更仔细，并会导致更高的栅极驱动损耗。增加......
功率半导体在电动汽车充电中的作用(2022-11-28)
上要求更高效率和功率密度的应用正以极快的速度向GaN产品过渡。”他还表示：“GaN提供了更低导通电阻，更低的门极电容与单位输出电容，更低的栅极驱动损耗，这些都能帮助设计人员进一步提高器件的开关频率，并缩小尺寸。”其他......
IGBT重要的动态参数解析(2024-11-11 14:18:47)
电阻的大小影响开关速度，即后边介绍的开通关断时间，进而影响IGBT的开关损耗，datasheet上驱动电阻对开关损耗......
新能源汽车电机控制器功率损耗的计算(2023-07-20)
新能源汽车电机控制器功率损耗的计算;1.简介
电机控制器的损耗涵盖以下几部分：
IGBT导通损耗
IGBT开关损耗
续流二极管导通损耗
续流二极管开关损耗
DC-link电容损耗；
Bus bar......
正确选择MOSFET以优化电源效率(2023-03-27)
，建立一个精确的数学模型来分析损耗并帮助MOSFET选型将更有价值。
计算传导损耗
我们首先来了解相对简单的传导损耗计算。通过单个周期内流经 MOSFET 的电流和纹波电流可以计算出传导损耗......
攻克难题！香港理大团队的这个成果，事关芯片研发(2023-02-07)
了室温下利用谷输运机制实现晶体管工作的重大挑战。
△谷输运机制的量子晶体管
△基于谷输运机制的场效应晶体管
由于谷电子晶体管在传输过程中有着很低的热损耗，该技术利用谷量子输运的低损耗特性，展示出实现低功耗计算芯片的应用潜力，未来有望实现低功耗计算......
无刷直流 (BLDC) 电机设计的新起点(2024-09-18)
无刷直流 (BLDC) 电机设计的新起点;前言
无刷直流电机(BLDC)设计很复杂。在大量的MOSFET、IGBT和门极驱动器产品组合中开始选择电子器件(旧的起点) 是茫然无助的。
安森......
MOSFET在服务器电源上的应用(2024-06-10)
MOS，其产品优势：
针对PFC拓扑，优化EAS，增强抗雪崩能力，增强抗浪涌能力；
针对LLC拓扑，优化体二极管，增强di/dt能力，降低Qrr和驱动干扰；
优化Qg和Coss/Ciss比值，降低驱动损耗......
SiC和GaN的技术应用挑战(2023-10-17)
SiC和GaN的技术应用挑战;本文引用地址：1 和的优势
相比传统MOSFET和IGBT方案，和器件提供更高的功率密度，具备更低的栅极驱动损耗和更高的开关速度。虽然和在某些低于10 kW功率......
满足高度紧凑型1500-V并网逆变器需求的新型ANPC功率模块(2022-12-09)
-IGBT技术。尽管碳化硅（SiC）器件价格高昂，并且所需的栅极驱动器原理更复杂，比如利用有源米勒钳位抑制寄生元件开通，但是该类器件的损耗大幅降低。因此，对于快速开关器件来说，SiC T-MOSFET......
开始使用 Power Stage Designer 的 13 个理由(2023-04-24)
现有功能集之上添加了一个新拓扑和两个新的设计功能，可帮助您进一步缩短开发电源的设计时间。
新工具包含场效应晶体管 (FET) 损耗计算器、并联电容器的电流共享计算器、交流/直流电源大容量电容器计算器、用于......
IGBT驱动电路介绍(2024-02-29)
由于IGBT模块中di/dt的增大，也增大了续流二极管的过压极限。
栅极电阻与关断变化图
栅极驱动的印刷电路板布线需要非常注意，核心问题是降低寄生电感，对防止潜在的振荡，栅极电压上升速率，噪音损耗......
简述功率MOSFET电流额定值和热设计(2022-12-21)
(on)。不同波形的RMS内容可在附录中找到。开关损耗可通过开关波形，栅极电荷或分析方法计算出。IGBT的传导损耗和开关损耗计算方法更为复杂。
第3节基本方程式中的功率指“平均”功率，且只......
乾坤科技推出微型化电源模组Power Block，赋能人工智能(2022-11-27)
轻重载效率。以典型12Vin-0.8Vout应用为例，考虑Mos管驱动损耗，峰值效率可达到90.7%，重载60A下效率接近88%。外部配置之多相电源控制器，能满足各类严格的动态响应要求,在12Vin......
干货｜IGBT和SiC 栅极驱动器基础知识(2022-12-23)
电流过 小，则损耗升高。所需的栅极驱动强度取决于器件的 栅极电荷 QG，如图 11 所示。可以使用以下公式计算在 V gs 增大至超过 Vth 到最大驱动电压 VDRV 期间（时间为 ton）为器......
《汽车芯片标准体系建设指南》技术解读与功率芯片测量概览(2024-03-06)
60747-8
栅极驱动
参数：
Vg vs. Qg,
(Qgs(th), Qgs(pl), Qgd)
测试描述：
通过双脉冲测试测量驱动电压和电流，在不同的驱动电压下测量驱动电荷，这些参数用来表征器件的驱动损耗......
英飞凌推出全新的CoolMOS PFD7高压MOSFET系列(2022-11-09)
，提高了设计自由度；利用低阈值电压和容差可避免使用MOSFET线性模式，降低了驱动电压和闲置损耗。另外，与CoolMOS C3相比，新产品系列的栅极电荷改善了60%，大大降低了驱动损耗......
优化汽车应用的驾驶循环仿真(2023-01-06)
器性能和驾驶循环仿真
在这一点上，我们已经讨论了四个仿真架构中的三个：器件、模块和系统级别。这些都是建立对驾驶循环中系统级功能的核心理解和期望所必需的。虽然电气操作点、热/电特性、损耗计算......
优化汽车应用的驾驶循环仿真(2023-01-09)
都是建立对驾驶循环中系统级功能的核心理解和期望所必需的。虽然电气操作点、热/电特性、损耗计算和模型可以在 Wolfspeed 方面处理，但全球统一轻型车辆测试循环（WLTC）（图 6 所示的样本图）将规定扭矩、速度、加速度以及这些参数的操作点。
图......
闪耀光储充重镇，2023慕尼黑华南电子展盛大开幕！(2023-10-31 09:20)
于缩小车载逆变器和各种开关电源等众多应用的体积，能更好兼容传统硅基IGBT的驱动电路，实现器件可靠性的提升，并降低了驱动损耗。作为国内知名的碳化硅器件制造与应用解决方案提供商泰科天润亮相了本次慕展，展示了SiC MOSFET......
工业马达驱动设计中IGBT的作用(2024-08-13)
工业马达驱动设计中IGBT的作用;针对所有的应用，人们越来越注意电动马达的运作效率；因此，对高效率驱动器的需求变得日益重要。此外，使用马达驱动的设计，例如电动马达、泵和风扇，需要降低整体成本，且需......
SiC MOSFET用于电机驱动的优势(2023-12-22)
MOSFET的开通损耗也低于IGBT。另外，SiC MOSFET可以使得伺服驱动器与电机集成在一起，从而摒除线缆上dv/dt的限制，高dV/dt条件下，SiC的开关损耗会进一步降低，远低于IGBT。即使......
如何利用 SiC 打造更好的电动车牵引逆变器(2024-07-23)
2 表明了 SiC FET 与硅 IGBT 的特征。在任何给定电流下，ID*VDS 的乘积都能表示给定导电损耗。因此，很容易看出，在采用单极 SiC FET 时，没有采用 IGBT 时会......
TI推出250W氮化镓IPM，比IGBT更小巧更高效(2024-06-26)
TI推出250W氮化镓IPM，比IGBT更小巧更高效;随着快充市场的成功，如今的氮化镓（GaN）已经不满足于固守在单一领域，而是向MOSFET占据的其他广泛市场发起挑战，电机驱动......
聊聊IGBT功率模块的结温计算及其模型(2023-09-12)
聊聊IGBT功率模块的结温计算及其模型;1. 简介
电机控制器的功率模块，即IGBT器件和续流二极管，在开关和导通电流会产生损耗，损失的能量会转化成热能，表现为功率模块发热。电机......
革新ZVS软开关技术，Qorvo SiC FET解锁高效率应用潜能(2024-07-25)
极电荷（Qg）：ZVS应用由于消除了关断损耗，可以支持更高的开关频率。较低的栅极电荷意味着在高开关频率下，栅极驱动损耗更小，特别是在轻负载条件下，这有利于提高效率和系统稳定性。
4、低时......
Vishay推出采用改良设计的INT-A-PAK封装IGBT功率模块，降低导通和开关损耗(2024-03-01)
Vishay推出采用改良设计的INT-A-PAK封装IGBT功率模块，降低导通和开关损耗;
2024年2月29日，美国宾夕法尼亚MALVERN、中国上海——日前，威世科技Vishay......
Vishay推出采用改良设计的INT-A-PAK封装IGBT功率模块，降低导通和开关损耗(2024-03-01)
Vishay推出采用改良设计的INT-A-PAK封装IGBT功率模块，降低导通和开关损耗;
【导读】日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市......
永磁电机损耗、温升和冷却分析(2024-09-03)
材料成本是钕铁硼磁粉的1 /3，但尚处于实验室研制阶段。
硅钢片的磁化曲线和损耗特性曲线对电机的损耗计算、过载能力计算等非常关键; 硅钢片叠片胶粘剂的热稳定性对电机在高温、高速......
Vishay推出采用改良设计的INT－A－PAK封装IGBT功率模块，降低导通和开关损耗(2024-02-29 15:02)
Vishay推出采用改良设计的INT－A－PAK封装IGBT功率模块，降低导通和开关损耗;半桥器件采用Trench IGBT技术，可选低VCE(ON)或低Eoff，适用于大电流逆变级日前，威世......
碳化硅MOSFET在电动汽车热管理系统中的研究(2023-05-04)
结温处于设定值,驱动电压为15V,门极电阻为10ft｡通过Matlab对双脉冲测试测得的数据进行处理,得到碳化硅M0SFET不同通态电流下的开关损耗数据,将其与硅IGBT数据手册上的数据一起处理后得到两者间的开关损耗......
DCT（双离合变速器）用电机(2024-05-13)
系统的离合器齿轮按奇数段/偶数段交互切换，执行快速变速的DCT。不存在扭矩转换器导致的滑动损耗。
变速装置中，DCT（Dual Clutch Transmission 双离合变速器）引起......
门极驱动正压对功率半导体性能的影响(2024-01-30)
门极电压大于15V后，即使门极电压再升高，VCE饱和压降变小得不多了。所以IGBT选用15V驱动是一个不错的选择。
对开关损耗的影响
另外，门极的正压对降低开关损耗也是有帮助的。因为......
有源钳位技术解析(2022-12-15)
减少关断电压与电流的重叠面积，达到减少损耗提高效率的目的。由于系统杂散电感的存在，IGBT两端不可避免会承受超过母线的尖刺电压，正常工况下通过合理布板与母排设计可以减小此寄生电感，同时通过驱动......
FHF20T60A型号IGBT适用于破壁机马达驱动(2024-08-12)
品特点，让破壁机马达驱动的电路中在导通损耗和关断损耗（Eoff）之间做出来良好的权衡，其出色的导通压降与极短的拖尾电流为无刷电机在优化系统效率时提供有力的帮助。
目前FHF20T60A型号IGBT单管已经广泛适用于破壁机马达驱动......
SiC MOSFET在汽车和电源应用中优势显著(2024-07-24)
SiC MOSFET在汽车和电源应用中优势显著;商用硅基功率MOSFET已有近40年的历史，自问世以来，MOSFET和IGBT一直是开关电源的主要功率处理控制组件，被广泛用于电源、电机驱动......
AN-1316：为IGBT电机驱动器生成多个隔离偏置轨(2023-10-27)
至100 kHz的频率范围内接近饱和电流额定值，则磁芯损耗过大。如果可能，请使用线艺等电感器制造商提供的磁芯损耗计算器。在给定尺寸下，匝数越小的导线提供更高的电感，可以降低纹波电流和磁芯损耗，但会......
相关企业
;云南领跑科技有限公司;;我公司是一家专业从事大功率IGBT驱动模块的开发与应用的企业。我公司研发的大功率IGBT智能驱动模块在充分吸收和借鉴国外最新技术的基础上自主创新，研制
;北京普尔盛技术有限公司;;北京普尔盛电子技术有限公司始创于2001年，是集贸易及研发制造于一体的专业电力电子器件供应商。2003年成立驱动事业部专注于IGBT驱动芯片的开发设计，于技
;北京通广利达科技有限公司;;2003年成立，西门康 三社：可控硅 二极管模块 IGBT,inpower 数字化IGBT驱动
;中捷联创电子技术有限公司;;深圳市中捷联创电子技术有限公司是，是一家专业从事现代国电力半导体器件模块-IGBT，IGBT智能化模块-IPM。专门用于模块的驱动
;上海睿萨电子科技有限公司;;专业电子元器件经销商，产品包括薄膜电容,无感电容,充油电容,螺栓式电解电容,功率IGBT,IGBT驱动板,可控硅,大功率IGBT,电源模块等。
接收模块、安全栅、隔离器、LED驱动器、IGBT驱动器/驱动电源、功率继电器、汽车继电器、磁保持继电器、IGBT,IPM等。
）电力电子器件：IGBT、隔离驱动变压器、驱动光耦。长期提供各种IGBT模块、变频器变压器、驱动光耦。
;郑州通达电气有限公司;;功率模块、变频器模块、IGBT模块、可控硅模块、整流桥模块、二极管模块、IGBT单管、IGBT驱动电路 三菱,富士,东芝,三社,三垦,西门子,西门康,日立,摩托
IGBT、富士模块，英飞凌模块，驱动模块，日立电容畅销消费者市场，在消费者当中享有较高的地位，公司与多家零售商和代理商建立了长期稳定的合作关系。北京万利荣达科技有限公司经销的电子元器件、IGBT模块
焊机的工作原理: 电源供给：和场效应管作逆变开关的焊机一样，焊机电源由市电供给，经整流、滤波后供给逆变器。 逆变：由于IGBT的工作电流大，可采用半桥逆变的形式，以IGBT作为开关，其开通与关闭由驱动