Vishay推出采用改良设计的INT-A-PAK封装IGBT功率模块,降低导通和开关损耗

2024-03-01  

2024年2月29日,美国宾夕法尼亚MALVERN、中国上海——日前,威世科技Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE股市代号:VSH)宣布,推出五款采用改良设计的INT-A-PAK封装新型半桥IGBT功率模块——VS-GT100TS065S、VS-GT150TS065S、VS-GT200TS065S、VS-GT100TS065N和VS-GT200TS065N。这些新型器件采用Vishay的Trench IGBT技术制造,为设计人员提供两种业内先进的技术选件—低VCE(ON)或低Eoff—降低运输、能源及工业应用大电流逆变级导通或开关损耗。

Vishay推出采用改良设计的INT-A-PAK封装IGBT功率模块,降低导通和开关损耗

日前发布的半桥器件使用节能效果优于市场上其他器件的Trench IGBT,与具有超软反向恢复特性的第四代FRED Pt®反并联二极管封装在一起。模块小型INT-A-PAK封装采用新型栅极引脚布局,与34mm工业标准封装100%兼容,可采用机械插接方式更换。

这款工业级器件可用于各种应用的电源逆变器,包括铁路设备;发电、配电和储电系统;焊接设备;电机驱动器和机器人。为降低TIG焊机输出级导通损耗,VS-GT100TS065S、VS-GT150TS065S和VS-GT200TS065S在+125C,额定电流下,集电极至发射极电压仅为≤1.07V,达到业内先进水平。VS-GT100TS065N和VS-GT200TS065N适用于高频电源应用,开关损耗极低,+125C,额定电流下,Eoff仅为1.0mJ。

模块符合RoHS标准,集电极至发射极电压为650V,集电极连续电流为100A至200A,结到外壳的热阻极低。器件通过UL E78996认证,可直接安装散热片,EMI小,减少了对吸收电路的要求。

器件规格表:

Vishay推出采用改良设计的INT-A-PAK封装IGBT功率模块,降低导通和开关损耗

新型IGBT功率模块现可提供样品并已实现量产,供货周期为15周。

关于VISHAY

Vishay是全球最大的分立半导体和无源电子元件系列产品制造商之一,这些产品对于汽车、工业、计算、消费、通信、国防、航空航天和医疗市场的创新设计至关重要。服务于全球客户,Vishay承载着科技基因——The DNA of tech.®。Vishay Intertechnology, Inc. 是在纽约证券交易所上市(VSH)的“财富1,000强企业”。有关Vishay的详细信息,敬请浏览网站:www.vishay.com。

The DNA of tech®是Vishay Intertechnology的注册商标。FRED Pt是Vishay Intertechnology的注册商标。

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