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复旦大学微电子学院朱颢研究团队实现低功耗负量子电容场效应晶体管器件;当前MOSFET器件的持续微缩所带来的功耗问题已经成为制约集成电路发展的主要瓶颈。研发新原理器件以突破MOSFET亚阈值摆幅（SS......
结构上集成忆阻器(阈值开关)和场效应沟道，展示了逻辑晶体管的近理想开关行为，表现为接近零的开关斜率(~0.33 mV/dec)、大开/关电流比(~107)和超低关态电流(~0.1 pA)。 该晶体管可以在无亚阈值......
FinFET代替平面结构的MOSFET作为集成电路的晶体管，由于三维立体晶体管结构很像鱼的鳍，所以称为鳍型场效应晶体管。如图1.17所示，是Bulk FinFET和SOI FinFET晶体管......
领域首次报道的高温击穿特性。 ▲图1.结终端扩展NiO/β-Ga2O3异质结二极管（a）截面示意图和器件关键制造细节，（b）与已报道的氧化镓肖特基二极管及异质结二极管的性能比较 02增强型氧化镓场效应晶体管......
第四个：亚阈值区域，它在超低功耗模拟集成电路设计中非常流行。 该区域的形成是因为晶体管在VGS低于Vth时不会完全关闭。相反，扩散电流在源极和漏极之间形成了一个小沟道。当VGS < Vth时，这种......
节点实现突破 近年来，该课题组通过优化器件结构和制备工艺，首次实现了栅长为10纳米的碳纳米管顶栅CMOS场效应晶体管（对应于5纳米技术节点），p型和n型器件的亚阈值摆幅（subthreshold swing......
和 Yang 说。“此外，我们发现转移的高 k钙钛矿氧化物和 MoS 2之间的界面质量很高，因为它使我们能够制造具有突然的亚阈值斜率的场效应晶体管。” 作为他们最近研究的一部分，研究......
中国科大首次研制出氧化镓垂直槽栅场效应晶体管;近日，中国科学技术大学微电子学院龙世兵教授课题组联合中科院苏州纳米所加工平台在氧化镓功率电子器件领域取得重要进展，分别采用氧气氛围退火和N离子......
EPC新推最小型化的100 V、2.2 mΩ 氮化镓场效应晶体管; 宜普电源转换公司（EPC）新推100 V、2.2 mΩ的氮化镓场效应晶体管（EPC2071）,为设计工程师提供比硅MOSFET更小......
OptiMOS线性场效应晶体管兼具低R值与大安全工作区;英飞凌科技股份公司推出OptiMOS™线性场效应晶体管系列。这个全新产品系列兼具沟槽型功率场效应管的低导通电阻（RDS(on)）与平......
EPC新推由氮化镓场效应晶体管驱动且可扩展的DC/DC演示板;EPC9137是一款两相的48 V/12 V双向转换器，以小型化解决方案提供1.5 kW功率，效率为97%，适用......
EPC新推由氮化镓场效应晶体管驱动且可扩展的DC/DC演示板;EPC9137是一款两相的48 V/12 V双向转换器，以小型化解决方案提供1.5 kW功率，效率为97%，适用......
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泛应用于低功耗智能计算芯片。 功耗已成为制约集成电路发展的瓶颈。近/亚阈值技术通过将芯片工作电压降低到晶体管的阈值电压附近或阈值电压以下，可大幅降低数字系统的功耗。近/亚阈值......
立锜科技与宜普电源转换携手推出小型化、140W快充解决方案; 【导读】宜普电源转换公司（EPC）和立锜科技（Richtek）携手推出新型快充参考设计，使用RT6190降压-升压控制器和氮化镓场效应晶体管......
立锜科技与宜普电源转换携手推出小型化、140W快充解决方案;转换公司（EPC）和科技（Richtek）携手推出新型快充参考设计，使用RT6190降压-升压控制器和氮化镓场效应晶体管EPC2204......
年产6000万片高精密度集成电路板、3.6亿颗场效应晶体管项目开工;据“微聚庐江”消息，7月21日，合肥得壹科技发展有限公司年产6000万片高精密度集成电路板和3.6亿颗场效应晶体管......
驱动MOS晶体管的原理类似于结型场效应晶体管，也就是一个耗尽型器件，它可以工作在负、零、甚至略微正偏压条件下[2].由于衬底电压影响与反型层(即导电沟道)相连的耗尽层厚度，通过MOS晶体管的体效应......
IBM与三星合作发表VTFET芯片设计技术，预计突破1纳米制程瓶颈;外媒报导，美国加州旧金山举办的IEDM2021蓝色巨人IBM与韩国三星共同发表“垂直传输场效应晶体管”（VTFET）芯片设计。将晶体管......
设备就必须变得更小、更快、更节能，以跟上数据创新的步伐。 铁电场效应晶体管（FE-FETs）是应对这一挑战的最有趣的答案之一。这是一种具有铁电性能的场效应晶体管。它利用铁电材料的非易失记忆性质，在其中植入场效应......
测物件的速度及准确性非常重要。EPC9144演示板展示出通过AECQ101认证的车规级EPC2216氮化镓场效应晶体管具备快速转换性能，与等效MOSFET相比，EPC2216的功率脉冲可以快速10倍的......
从掺杂铌的二硫化钼碎片的边缘长出了二硫化钼的多层结构，形成了一个厚实的、粘合的、平面的异质结构。他们证明了这些可用于制造新的隧道场效应晶体管（TFET），即具有超低功率消耗的集成电路中的元件。 化学气相沉积法可用于从不同的TMDC中生......
从掺杂铌的二硫化钼碎片的边缘长出了二硫化钼的多层结构，形成了一个厚实的、粘合的、平面的异质结构。他们证明了这些可用于制造新的隧道场效应晶体管（TFET），即具有超低功率消耗的集成电路中的元件。 化学气相沉积法可用于从不同的TMDC中生......
宜普电源转换公司（EPC）eToF™ 激光驱动器IC，助力革新激光雷达系统设计;宜普电源转换公司（EPC）宣布推出激光驱动器IC(EPC21601)，在单个芯片上集成了40 V、10 A 场效应晶体管......
芯片三巨头发力CFET晶体管，进军埃米时代; 【导读】日前，台积电资深副总经理暨副共同首席运营官张晓强在2024技术论坛上宣布，台积电已成功集成不同晶体管架构，在实验室做出CFET（互补式场效应晶体管......
关于Nexperia Nexperia，作为半导体基础元器件生产领域的高产能生产专家，其产品广泛应用于全球各类电子设计。公司丰富的产品组合包括二极管、双极性晶体管、ESD保护器件、MOSFET器件、氮化镓场效应晶体管......
NMOS和PMOS详解(2023-12-19)
NMOS和PMOS详解;一、简介本文引用地址：MOS管，是的缩写。金属-氧化物半导体场效应晶体管，简称金氧半场效晶体管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect......
久台积电透露其1.4nm级工艺制程研发已经全面展开，2nm级制程将于2025年开始量产。 据悉，台积电的1.4nm节点的正式名称为A14，预计在技术上不太可能采用垂直堆叠互补场效应晶体管（CFET......
电力转换领域扩展产品线 新推出的氮化镓场效应晶体管可作为原始设计选项或碳化硅（SiC）替代器件 加利福尼亚州戈莱塔 – 2024 年 1 月 17 日 — 全球领先的氮化镓（GaN）功率......
如何用万用表测试MOSFET;介绍： MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）晶体管是一种广泛用于电子设备中开关和放大电子信号的半导体器件。 MOSFET 是一种四端子器件，具有......
EPC推出80V、通过AEC-Q101认证的氮化镓场效应晶体管; 【导读】EPC推出 80 V、通过AEC-Q101 认证的氮化镓场效应晶体管（GaN FET）EPC2252，为设......
动车的交流电电动机的输出控制。 传统的BJT导通电阻小，但是驱动电流大，而MOSFET的导通电阻大，却有着驱动电流小的优点。IGBT正是结合了这两者的优点：不仅驱动电流小，导通电阻也很低。 这种晶体管结合了金属氧化物半导体场效应晶体管......
披露，该芯片由3000个碳纳米管场效应晶体管组成，能够高效执行卷积运算和矩阵乘法。该芯片采用了新型器件工艺和脉动阵列架构，可实现并行的2位整数乘积累加运算。实验表明，基于该TPU的五......
上海雷卯推出稳定性和效率兼备的MOSFET新产品; 【导读】MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)是一种常用的半导体器件，由源(Source)、漏(Drain)和栅(Gate)三个......
与为运动控制和节能系统提供电源及传感半导体技术的全球领先企业Allegro MicroSystems, Inc.（Allegro）开展合作，使用Transphorm 的 SuperGaN® 场效应晶体管和Allegro的......
每个节点都相对独立，并可以连续控制，不仅提高了显示屏的反应速度，同时可以精确控制显示色阶，所以TFT液晶的色彩更真。 TFT-LCD液晶显示屏 TFT（Thin Film Transistor）即薄膜场效应晶体管......
密度度量方式，迫使竞争对手采用。另外，它宣布推出一款22nm低功耗FinFET（鳍式场效应晶体管）节点，通过全耗尽型绝缘层上硅技术（FD-SOI）与Globalfoundries等对......
别在 2024 年下半年和 2025 年投入量产。这些工艺都将采用 FinFET 结构，也就是金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）结构。这种结构已经被台积电使用了多年，并且......
Transphorm发布两款4引脚TO－247封装器件，针对高功率服务器、可再生能源、工业电力转换领域扩展产品线;新推出的氮化镓场效应晶体管可作为原始设计选项或碳化硅（SiC）替代......
术利用成熟的后端工艺将新型二维材料集成在硅基上，并利用两者高度匹配的物理特性，成功实现 4 英寸大规模三维异质集成互补场效应晶体管。 该技术成果的文章发表在 nature electronics，并受到大家广泛关注。在这......
制备的银转移电极MoS2背栅场效应晶体管阵列照片；（b）10×10晶体管阵列开关比统计结果；（c）银转移电极MoS2背栅场效应晶体管转移特性；（d）银转移电极MoS2背栅场效应晶体管输出特性曲线。  封面......
A14 节点预计将在 2027-2028 年问世。 在技术方面，A14 节点不太可能采用垂直堆叠互补场效应晶体管（CFET）技术，不过台积电仍在探索这项技术。因此，A14 可能将像 N2 节点一样，依赖于台积电第二代或第三代环绕栅极场效应晶体管......
问题可能会导致器件的导通损耗增加，并缩短器件在应用中的寿命。” 研究人员将NexGen的650V/200mΩ和1200V/70mΩ级GaN JFET（图1）的性能与商用650V和1200V碳化硅（SiC）金属氧化物半导体场效应晶体管......
MicroSystems, Inc.（Allegro）（Nasdaq: ALGM）开展合作，使用Transphorm 的 SuperGaN® 场效应晶体管和Allegro的AHV85110隔离......
MicroSystems, Inc.（Allegro）（Nasdaq: ALGM）开展合作，使用Transphorm 的 SuperGaN® 场效应晶体管和Allegro的AHV85110隔离式栅极驱动器，针对......
EPC与ADI携手推出基于氮化镓场效应晶体管的DC/DC转换器;EPC公司和ADI公司推出参考设计，采用全面优化的新型模拟控制器来驱动EPC公司的氮化镓场效应晶体管(GaN FET)。新型......
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封杀“芯片之母”EDA：美国厂商几乎垄断行业，没它不能做芯片;7月1日消息，据国外媒体报道称，美国之前已经宣布，对设计GAAFET(全栅场效应晶体管)结构集成电路所必需的EDA软件......

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;深圳市高翔电子经营部;;经营各名品牌晶体管(场效应MOS管三极管\三端稳压达林顿\肖特基快恢复\可控硅集成IC~~~~~~~~~),质量第一!合作愉快!