“芯”闻摘要

国产“芯”突破
内闪存芯片营收预估
存储产业下一个“新宠”
手机芯片新局已开
新一轮DRAM技术蓄势待发

国产“芯”突破

7月22日消息，北京大学电子学院碳基电子学研究中心彭练矛-张志勇团队在下一代芯片技术领域取得重大突破，成功研发出世界首个基于碳纳米管的张量处理器芯片（TPU）。

消息披露，该芯片由3000个碳纳米管场效应晶体管组成，能够高效执行卷积运算和矩阵乘法。该芯片采用了新型器件工艺和脉动阵列架构，可实现并行的2位整数乘积累加运算。实验表明，基于该TPU的五层卷积神经网络可以在功耗仅为295μW的情况下，实现高达88%的MNIST图像识别准确率...详情请点击

与此同时，近日，中国科学院上海微系统与信息技术研究所宋志棠、雷宇研究团队，在三维相变存储器（3D PCM）亚阈值读取电路、高可靠编程电路、模型方面取得了系列进展，成果发表在国际学术期刊IEEE Transactions on Circuits and Systems I: Regular Papers等...详情请点

内闪存芯片营收预估

根据TrendForce集邦咨询最新存储器产业分析报告，受惠于位元需求成长、供需结构改善拉升价格，加上HBM(高带宽内存)等高附加价值产品崛起，预估DRAM（内存）及NAND Flash（闪存）产业2024年营收年增幅度将分别增加75%和77%。

而2025年产业营收将持续维持成长，DRAM年增约51%、NAND Flash年增长则来到29%，营收将创历史新高，并且推动资本支出回温、带动上游原料需求，只是存储器买方成本压力将随之上升...详情请点击

存储产业下一个“新宠”

当地时间7月22日，JEDEC宣布即将推出DDR5多路复用双列直插式内存模组 (MRDIMM) 和下一代LPDDR6压缩连接内存模组 (CAMM)先进内存模组标准，并介绍了这两项内存的关键细节，旨在为下一代高性能计算和人工智能发展提供支持。JEDEC表示，这两项新技术规范均由JEDEC的JC-45 DRAM模组委员会开发。

作为JEDEC的JESD318 CAMM2内存模组标准的后续，JC-45正在开发用于LPDDR6的下一代CAMM模组，目标是最大速度超过14.4GT/s。按照计划，该模组还将提供24bit位宽子通道、48bit位通道并支持“连接器阵列”，以满足未来高性能计算和移动设备的需求...详情请点击

手机芯片新局已开

行业最新消息显示，今年9月，苹果将会在iPhone 16 Pro上配备最新的A18芯片，以此打响AI手机军备竞赛第一枪；华为海思也会在9月9日举行首届海思全联接大会，惊喜拭目以待；进入10月，高通将推出旗舰芯片8Gen4，联发科则会拿出天玑9400这款芯片...

手机芯片市场正在酝酿变局，苹果A系列摩拳擦掌、华为麒麟归来汹涌，高通与联发科也蠢蠢欲动，各大芯片厂商正在搅动着手机市场的一池春水。AI手机竞赛第一回合较量即将正式开打...详情请点击

新一轮DRAM技术蓄势待发

AI应用浪潮之下，高性能存储器需求持续攀升，以HBM为代表的DRAM风生水起。同时，为进一步满足市场需求，存储厂商也在酝酿新一轮DRAM技术“革命”。

韩媒消息，近期三星电子副总裁柳昌植对外表示，三星下一代DRAM技术进展良好，除了1b DRAM正在顺利量产之外，4F Square DRAM技术也在顺利开发，计划在2025年开发出4F Square DRAM的初始样品...详情请点击

封面图片来源：拍信网