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研发客服新推出的氮化镓场效应晶体管可作为原始设计选项或碳化硅（SiC）替代器件
全球领先的氮化镓（GaN）功率半导体供应商 Transphorm, Inc.（纳斯达克：TGAN）今日宣布推出两款采用 4 引脚 TO-247 封装（TO-247-4L）的新型 SuperGaN® 器件。新发布的 TP65H035G4YS 和 TP65H050G4YS FET 器件分别具有 35 毫欧和 50 毫欧的导通电阻，并配有一个开尔文源极端子，以更低的能量损耗为客户实现更全面的开关功能。新产品将采用Transphorm成熟的硅衬底氮化镓制程，该制造工艺不仅可靠性高，而且具有良好的成本效益，非常适合现有硅基生产线量产。目前，50 毫欧 TP65H050G4YS FET 已可供货，35 毫欧 TP65H035G4YS FET 正在出样，预计将于 2024 年一季度供货上市。
一千瓦及以上功率级的数据中心、可再生能源和各种工业应用的电源中，Transphorm 的 4 引脚 SuperGaN器件可作为原始设计选项，也可直接替代现有方案中的4 引脚硅基和 SiC器件。4引脚配置能够进一步提升开关性能，从而为用户提供灵活性。在硬开关同步升压型转换器中，与导通电阻相当的 SiC MOSFET相比，35 毫欧 SuperGaN 4 引脚 FET 器件在 50 千赫兹（kHz）下，损耗减少了 15%，而在 100 kHz 下的损耗则降低了 27%。
Transphorm 的 SuperGaN FET 器件所具有的独特优势包括：
• 业界领先的稳健性：+/- 20V 栅极阈值和 4 V 抗扰性。
• 更优的可设计性：减少器件周边所需电路。
• 更易于驱动：SuperGaN FET 能使用硅器件所常用的市售驱动器。
新发布的TO-247-4L 封装器件具有相同的稳健性、易设计性和易驱动性，其核心技术规格如下：
Transphorm 业务发展及市场营销高级副总裁 Philip Zuk 表示：“Transphorm 将继续拓展产品线，向市场推出多样化的氮化镓场效应晶体管（GaN FET）。无论客户有什么样的设计需求，Transphorm都能够帮助客户充分利用SuperGaN平台的性能优势。四引脚 TO-247 封装的SuperGaN为设计人员和客户带来提供极佳的灵活性——只需在硅或碳化硅器件的系统上做极少的设计修改（或者根本不需要进行任何设计修改），就能实现更低的电源系统损耗。Transphorm正在加速进入更高功率的应用领域，新推出的这两款器件是公司产品线的一个重要补充。”
供货情况
如需索取 35 毫欧和 50 毫欧 TO-247-4L FET 器件样品，请联系 Transphorm 销售团队：wwsales@transphormusa.com。点击以下链接，查阅每款器件的产品资料：
• TP65H035G4YS 产品数据表：https://www.transphormusa.com/en/document/data-sheet-tp65h035g4ys/
• TP65H050G4YS 产品数据表：https://www.transphormusa.com/en/document/data-sheet-tp65h050g4ys/
关于Transphorm
Transphorm, Inc.是氮化镓革命的全球领导者，致力于设计、制造和销售用于高压电源转换应用的高性能、高可靠性的氮化镓半导体功率器件。Transphorm拥有最庞大的功率氮化镓知识产权组合之一，持有或取得授权的专利超过1,000多项，在业界率先生产经JEDEC和AEC-Q101认证的高压氮化镓半导体器件。得益于垂直整合的业务模式，公司能够在产品和技术开发的每一个阶段进行创新：设计、制造、器件和应用支持。Transphorm的创新使电力电子设备突破硅的局限性，以使效率超过99%、将功率密度提高50%以及将系统成本降低20%。Transphorm的总部位于加州戈利塔，并在戈利塔和日本会津设有制造工厂。请访问官网www.transphormusa.cn了解更多信息，欢迎关注微信公众号：TransphormGaN氮化镓
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