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GaN外延片方面，主要有两种衬底技术，分别是GaN-on-Si（硅基氮化镓）和GaN-on-SiC（碳化硅基氮化镓）。此外还有GaN-on-sapphire，以及GaN-on-GaN技术。 从性......
如山东天岳今年成功登陆科创板，天科合达等也准备IPO，泰科天润、英诺赛科等一级市场融资也相当顺利，同光晶体融资也获得长城汽车、汇川技术的支持。 第三代半导体是以氮化镓和碳化硅......
年产4万片！碳化硅基氮化镓晶圆厂，出货; 【导读】瑞典企业SweGaN宣布，公司生产碳化硅基氮化镓（GaN on SiC）晶圆的新工厂已开始出货，产品将用于下一代5G先进......
将持续提升在技术研发方面的投入水平，进一步缩小与海外同行业巨头在研发方面的差距。 中微公司表示，公司持续从三个维度扩展业务布局：深耕集成电路关键设备领域、扩展在泛半导体关键设备领域应用并探索其他新兴领域的机会。公司正在开发用于氮化镓和碳化硅......
专门研究复合半导体和新兴衬底的高级技术和市场分析师表示，“到2023年，主流氮化镓技术应用在碳化硅衬底上。该技术已经成熟，并在高功率和高频率下表现出良好的性能。过去几年里，像意法半导体与MACOM、Ommic、英飞凌等这样的厂商以及格芯和联电等代工厂一直致力于引入射频硅基氮化镓......
氮化镓外延厂瑞典企业SweGaN宣布已开始出货;8月13日，瑞典企业SweGaN宣布，公司生产碳化硅基氮化镓（GaN on SiC）晶圆的新工厂已开始出货，产品将用于下一代5G先进......
投入10亿元，用地86亩，达产后年产能24万片。 据悉，镓谷半导体成立于2022年，致力于第三代半导体材料GaN外延的研发与生产，产品包括硅基氮化镓、碳化硅基氮化镓、蓝宝石基氮化镓，主要......
键应用，而且多年来已经成为这个领域的事实标准，因为当前或再过几年都没有其他技术可以可供碳化硅衬底氮化镓的功率密度和其他优势。 下图显示了Ka波段砷化镓和碳化硅衬底氮化镓MMIC射频功率放大器（如图2......
英寸SiC外延片以及6/8英寸硅基GaN外延片。 百识电子是在南京设立研发总部和制造工厂的专业团队，其可提供4/6英寸的SiC外延片服务，以及6/8英寸的硅基氮化镓和4/6英寸的碳化硅基氮化镓......
这家氮化镓相关厂商或将赴港上市;近日，据《路透社》旗下IFR报道，英诺赛科正计划最早于今年内，在香港进行IPO，融资规模约3亿美元。 据悉，英诺赛科成立于2015年12月，是一家致力于第三代半导体硅基氮化镓......
等第三代半导体材料纳入重点新材料目录，推动支持SiC等第三代半导体材料的制造及应用技术的突破。 此外，《中华人民共和国国民经济和社会发展第十四个五年规划和2035年远景目标纲要》也将“碳化硅、氮化镓......
宽度：硅的禁带宽度为1.1eV，低于氮化镓和碳化硅几乎三倍。因此，氮化镓和碳化硅可以轻松支持更高电压的电路，而不能像硅一样支持较低电压的电路。 击穿电场：氮化镓和碳化硅的击穿电场是硅基的10倍以......
董事长焦平海受访时表示，合晶已走过半导体景气谷底，第二季度运营明显回升，虽然未呈现V型反转，却已重回上升轨道。 在化合物半导体方面，合晶主攻氮化镓外延及基板领域，包括硅基氮化镓、碳化硅基氮化镓等。合晶......
已小批量交付客户。上半年，该公司光技术业务合作客户超 170 家， 其中车载激光雷达和消费工业类领域新开发客户达 40 多家，涵盖行业主要厂商。 　　（3）、电力电子： 　　碳化硅产能 15,000 片/月，硅基氮化镓......
全球首家8英寸硅基氮化镓量产企业诞生！英诺赛科苏州一期产线正式投产;6月5日，英诺赛科（苏州）半导体有限公司（以下简称“英诺赛科”） 8英寸硅基氮化镓芯片量产仪式在江苏汾湖高新区举行。这标......
机成功导入8英寸硅基氮化镓量产线举办了庆典。事实上，早在今年年初，英诺赛科就和ASML达成了批量购买高产能i-line和KrF光刻机的协议，用于制造先进的硅基氮化镓功率器件。 英诺......
，市场上主要有3种氮化镓技术，包括LDMOS、碳化硅（SiC）基氮化镓，以及硅基氮化镓。而MACOM主推的是硅基氮化镓，熊华良表示，我们认为这是一个可以很好地应用到射频能量市场的技术，原因如下：一......
充电、太阳能转换器和马达驱动等。在对氮化镓和碳化硅的比较中，邱绍谚指出，两者并无绝对优劣，关键在于应用范围：氮化镓应用在650V以下，而碳化硅在650V以上。如果氮化镓成功应用在1200V，将会影响碳化硅......
中科重仪自研功率型硅基氮化镓生产线投产;近日，苏州中科重仪半导体材料有限公司（以下简称“中科重仪”）自主研发的应用于电力电子领域的大尺寸硅基氮化镓（GaN-on-Si）外延......
赛微电子青州聚能国际硅基氮化镓功率器件半导体制造项目主厂房封顶;5月18日，赛微电子官微表示，公司与潍坊市青州市合作投建的“青州聚能国际硅基氮化镓功率器件半导体制造项目”主厂房封顶。该项目于去年4月......
190元，总市值114亿元。 据招股书信息显示，预计芯导科技公开募集资金用于投资发展项目，包括高性能分立功率器件开发和升级、高性能数模混合电源管理芯片开发及产业化、硅基氮化镓......
ASML/AIXTRON等明星伙伴加持，英诺赛科为何能进入行业前三？;据微信公众号“钛信资本”2月16日消息，近日，国内第三代半导体硅基氮化镓领域知名企业英诺赛科（苏州）科技有限公司（以下简称“苏州......
第三代半导体企业英诺赛科亦与ASML签署了购买协议。 2021年1月21日，英诺赛科和ASML达成批量购买高产能i-line和KrF光刻机的协议，用于制造先进的硅基氮化镓功率器件。 资料显示，英诺......
siltron 将专注于开发和提供碳化硅基 (SiC) 氮化镓 (GaN) 创新外延片，用于无线通信市场的射频应用，以及硅基氮化镓 (Si)在一系列市场中的电力电子应用，这些氮化镓......
瞄准第三代半导体，又一晶圆厂获补贴;在新能源、5G、光伏等下游领域驱动下，以碳化硅、氮化镓为代表的第三代半导体产业正高速发展。半导体大厂积极布局，与此同时，各国......
英诺赛科多款TO封装GaN强势出货，为电源设计提供丰富选择; 【导读】英诺赛科推出多款采用TO252 / TO220 封装的直驱氮化镓芯片，基于先进的8英寸硅基氮化镓技术，耐压从650V......
球半导体行业的逆流中，第三代半导体正闪烁着独特的光芒，作为其代表物的碳化硅和氮化镓顺势成为耀眼的存在。在此赛道上，各方纷纷加大马力，坚定下注，一部关于第三代半导体的争夺剧集已经开始上演。 一、三代......
材料生产线，可年产150mm氮化镓外延片2万片。 2014年底，晶湛半导体率先在全球首次发布商用8英寸硅基氮化镓外延片产品，经有关下游客户验证，该材料填补了国内氮化镓产业的空白。 2021年9月，晶湛......
大幅提高终端产品的功率密度。目前主流的氮化镓是硅基氮化镓，整体相对碳化硅来讲，成本的优势比较大，所以在650V这个等级来看氮化镓相对于碳化硅在性能和成本都具备比较大的优势。 安世......
一只脚迈进交通领域，另一脚踩进数据中心，氮化镓比碳化硅更出彩; 【导读】氮化镓 (GaN) 功率半导体正持续为那些需要消耗大量能源，但同时长远地影响全球经济发展的产业带来显著地改变。在数......
国成功研发和应用新型晶体设备和工艺 南京百识 主要生产6''碳化硅外延片、6''8''硅基氮化镓外延片以及4''6''GaN/SiC碳化硅基氮化镓外延片 江苏能华 是一......
产业第一梯队的国产半导体企业代表，是硅基氮化镓领域全球龙头，生产基地主要位于珠海和苏州两地。 目前，英诺赛科通过自主研发，攻克了8英寸硅晶圆衬底上外延生长氮化镓......
功率模块样品，但实现了与商用碳化硅模块相当的效率。这意味着D3GaN将实现其最高效率的承诺，通过更轻，更小的电源系统和更小的电池尺寸来改善汽车成本，而不会影响汽车的行驶里程。此外，基于硅基氮化镓......
功率模块样品，但实现了与商用碳化硅模块相当的效率。这意味着D3GaN将实现其最高效率的承诺，通过更轻，更小的电源系统和更小的电池尺寸来改善汽车成本，而不会影响汽车的行驶里程。此外，基于硅基氮化镓......
功率模块样品，但实现了与商用碳化硅模块相当的效率。这意味着D3GaN将实现其最高效率的承诺，通过更轻，更小的电源系统和更小的电池尺寸来改善汽车成本，而不会影响汽车的行驶里程。此外，基于硅基氮化镓......
Thomas Caulfield表示：“硅基氮化镓是新兴市场高性能射频、高压功率开关和控制应用的理想技术，对于6G无线通信、工业物联网和电动汽车非常重要。” 格芯......
还举行了英诺赛科8英寸硅基氮化镓芯片生产线建设项目第二阶段产能扩展”项目（即三期银团）贷款签约仪式。 据官网介绍，英诺赛科成立于2015年12月，是一家致力于第三代半导体硅基氮化镓......
厂商有纳微半导体、英诺赛科、Transphorm等；而射频元件方面主要以碳化硅基氮化镓为主流结构，代表厂商有住友电工、恩智浦半导体、Wolfspeed等。 当前A股上市公司中，华润微、三安光电、士兰......
源汽车市场大有可为 资料显示，百识电子成立于2019年8月，专门生产碳化硅及氮化镓相关外延片，包含GaN on Silicon、GaN on SiC以及SiC on SiC，针对高压、高功率以及射频微波等应用市场提供碳化硅及氮化镓......
，面向关键技术攻关方向，国家第三代半导体技术创新中心新启动共建8家联合研发中心，包括氮化镓同质外延技术联合研发中心、氮化镓功率微波技术联合研发中心、微显示巨集成技术联合研发中心、硅基氮化镓......
。 格芯佛蒙特州半导体制造工厂表示，继续朝着大规模生产用于航空航天和国防、蜂窝通信、工业物联网和汽车的下一代氮化镓芯片迈进。 格芯总裁兼CEO Thomas Caulfield表示：“硅基氮化镓......
量生产正在扩大。 台积电目前是提供6英寸硅基氮化镓晶圆代工服务，且在结盟意法半导体后，又与纳微半导体进行合作，先进功率氮化镓解决方案正陆续开发，预期能抢攻目前最热门的电动车市场商机。作为......
模块相当的效率。这意味着D3GaN将实现其最高效率的承诺，通过更轻，更小的电源系统和更小的电池尺寸来改善汽车成本，而不会影响汽车的行驶里程。此外，基于硅基氮化镓半导体工艺的D³GaN技术在更具竞争力的硅成本水平上提供了优于碳化硅......
对现有功率半导体产品进行技术开发与升级，加强对现有产品的更新迭代外，芯导科技还将目光瞄准了第三代半导体氮化镓领域。 当前，以碳化硅、氮化镓为代表的第三代半导体材料因具备宽禁带、高饱和漂移速度、高临界击穿电场等优异的性能，将对硅基......
不断攀升，公司光技术的营收能力将进一步增强。 电力电子产品主要为高功率密度碳化硅二极管、MOSFET及硅基氮化镓产品。碳化硅二极管上半年新开拓客户518家，出货客户超过180家，超过60种产......
书中，英诺赛科表示，公司是一家实现量产8英寸硅基氮化镓晶圆的公司，亦具备产业规模提供全电压谱系的硅基氮化镓半导体产品的公司。 英诺赛科的产品包括分立器件（覆盖15V至1,200V）、集成电路、晶圆......
，致力于第三代半导体材料GaN外延的研发与生产，产品包括硅基氮化镓（GaN on Si）、碳化硅基氮化镓（GaN on SiC）、蓝宝石基氮化镓（GaN on Sapphire），主要应用于电力电子及功率器件。   ......
积的优势不言而喻，但价格却仍然让许多方案厂商犹豫不决。英诺赛科坐拥全球最大的8英寸硅基氮化镓晶圆制造基地，规模化量产使氮化镓成本在行业中具备较强的竞争优势。 随着终端产品对氮化镓......
赛科表示，公司是一家实现量产8英寸硅基氮化镓晶圆的公司，亦具备产业规模提供全电压谱系的硅基氮化镓半导体产品的公司。英诺赛科的产品包括分立器件（覆盖15V至1,200V）、集成电路、晶圆及模块，应用......
些改进很快就会被设备固有的开关损耗所抵消。此外，逆变器的工作频率有一个限制，超过该限制，由于设备的开关周期较长，则无法进行操作。 氮化镓和碳化硅技术相辅相成，并将继续使用。氮化镓器件在数十伏至数百伏的应用中表现良好，而碳化硅......

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