三安光电半年报披露与ST合资等重大项目进展

2023-08-08  

  据安光电股份有限公司(以下简称“三安光电”)近日发布的半年报显示,今年上半年,在全球经济复苏乏力,面对复杂严峻的外部环境下,该公司实现营业收入 64.69 亿元,同比下降 4.33%;营业成本 55.92 亿元,同比增长 4.42%;实 现归属于上市公司股东的净利润 1.70 亿元,同比下降 81.76%。期内,该公司研发投入同比增长 11.27%;期末存货净值较期初减少 1.86 亿元。

  据了解,三安光电主要从事化合物半导体材料与器件的研发、生产及销售,以氮化镓、砷化镓、碳化硅、磷化铟、氮化铝、蓝宝石等化合物半导体新材料所涉及的外延片、芯片为核心主业。

三安光电主要产品、材料、产品系列及相关应用领域

  上半年两大核心业务表现

  一、LED业务

  业绩表现:受行业去库存影响市场竞争加剧,其LED 芯片售价同比有所下降,LED 业务实现销售收入 49.47 亿元,同比下降 6.67%,产品结构调整未达预期,设备稼动率也是随市场 好转而逐步提高,整体营业成本上升 7.42%,盈利空间受挤压。

  市场趋势:进入第二季度,该公司部分芯片产品价格开始上调,设备稼动率逐步提高,后续随着市场行情好转,其经营业绩有望得到回升。

  可预见 Mini/Micro LED、植物照明、车用照明、紫 外/红外等 LED 细分领域的未来的发展确定性较强。随着各细分领域需求等额加速放量,将带动该公司高端产品在营业收入和结构中的占比。

  全资子公司安瑞光电业务稳步推进,实现销售收入 10.69 亿元,同比增长 21.85%。

  二、集成电路

  业绩表现:实现销售收入 15.22 亿元,同比增长 4.14%;因碳 化硅产能的持续释放,成本降低,毛利率有所提高,加上砷化镓射频和氮化镓射频业务的推进, 集成电路整体毛利率增加 7.75 个百分点。

  (1)、射频前端:

  砷化镓射频产能为 15,000 片/月,能够为客户提供高品质的 HBT、pHEMT 等先进工艺芯片 代工服务,可覆盖频段已延伸至 Ka 频段,客户是中国本土主要设计公司。

  市场趋势:下游消费电子客 户的库存已基本消化完,开始同步备货以应对市场需求回暖,该公司砷化镓射频的产能稼动率也随着客户需求的增加逐步上升,产量呈逐月上升趋势。

  滤波器产能为 150KK/月,主要发展 SAW 的技术路线,产品覆盖中国本土及海外所需频段滤波器、 双工器、多工器,双工器小型化进度行业领先,Band 1+Band 3 四工器性能达行业前沿水平,为 国内首个能够提供 Phase V NR 架构所需的全套四工器和双工器产品的企业,主要客户包括闻泰、 龙旗、日海、曜佳、移远、富士康、合宙等。

  市场趋势:滤波器出货量同比增长超过两倍, 但滤波器产能稼动率仍有较大提升空间,产品持续迭代和客户关系维护及拓展为下一步大客户的 关键项目起量奠定基础。

  (2)、光技术:

  应用领域:接入网、数据通信、电信传输、智能 AI、消费工业类(光感测、医美、 监控、加热等)领域和车载激光雷达芯片市场,

  产能已达 2,750 片/月。光技术产品已进入本土主流手机供应链,车载雷达用 VCSEL 产品已在雷达客户以及本土车厂处获得定点, 硅光领域大功率 DFB 芯片已小批量交付客户。上半年,该公司光技术业务合作客户超 170 家, 其中车载激光雷达和消费工业类领域新开发客户达 40 多家,涵盖行业主要厂商。

  (3)、电力电子:

  碳化硅产能 15,000 片/月,硅基氮化镓产能 2,000 片/月。

  湖南三安实现销售收入 5.82 亿元,同比增长 178.86%。 湖南三安作为中国本土为数不多的碳化硅产业链垂直整合制造平台,产业链包括长晶生长—衬底 制作—外延生长—芯片制备—封装测试。6 吋碳化硅衬底已通过数家国际大客户验证,并实现批 量出货,未来两年产能已基本锁定,8 吋衬底已实现小批量试制。

  其中,碳化硅二极管累计出货量持续领跑 行业,650V 20A 可靠性数据已经达 6000h,已迭代推出第四代高性能产品,通过车规认证的产品 正持续出货。碳化硅 MOSFET 1200V 及 1700V 系列产品,包含 80mΩ/32mΩ/20mΩ/16mΩ/1Ω,产 品在比导通电阻特性、击穿电压特性和阈值电压稳定性上的表现行业领先;80mΩ 产品已在光伏 及车载充电机客户端导入批量订单;车规级 1200V 16mΩ 已在数家战略客户处进行模块验证,预 计于 2024 年正式上车量产。

  MOSFET 代工业务已与龙头新能源汽车及配套企业展开合作。目前, 湖南三安就已签署的长期采购协议着力推进产品交付,并持续跟进数家新能源汽车客户的合作意 向。

  湖南三安与理想合资成立的规划年产 240 万只碳化硅半桥功率模块苏州斯科半导体,已完成 动力设备安装、调试,待产线通线后进入试生产。湖南三安与意法半导体在重庆共同设立合资代 工公司,湖南三安持股比例为 51%,意法半导体持股比例为 49%,该合资公司生产碳化硅外延、芯片独家销售给意法半导体或其指定的实体,2025 年完成阶段性建设并逐步投产,2028 年规划达产后产能为 10,000 片/周。为保证合资公司未来材料的工艺需求,湖南三安将在重庆设立全资子公 司生产 8 吋碳化硅衬底供应给合资公司,达产后产能为 48 万片/年。

  硅基氮化镓产品主要应用于快充适配器、服务器电源等。目前,该公司拥有硅基氮化镓代工平台,正加快研发投入提升品质。其650V 芯片代工平台已在消费电子领域广泛导入,与客户合 作开发扩展至高可靠度的大功率工业电机、服务器以及汽车车载充电器等;其高压 900V 器件已完成 开发,并已导入到客户产品设计及系统验证。

  重大项目(非股权)投资

  (1)泉州三安半导体研发与产业化项目(一期)项目

  主要从事氮化镓、砷化镓和特种封装业 务,计划总投资金额约 138 亿元(含土地使用权),项目达产后,新增产能约 892 万片/年(折合 倒装、垂直的产品产能 446 万片/年)和特种封装 8.72KKK/年的生产能力。

  截至6月末,泉州三安产业化项目(一期)已投入资金 140.36 亿元,形成固定资产 108.10 亿元、在建工程 12.73 亿元、无形资产(土地使用权)6.83 亿元。

  产能正持续释放,拥有芯片产能 35.70 万片/月(以 4 吋折算)、特种封装产能 20,825KK/月。

  市场需求偏弱,该项目实现营 业收入 11.32 亿元,同比下降 13.80%,净利润-0.60 亿元。可预见 LED 细分领域未来的需求确定 性较强,随着行业景气度回升,需求好转,销售收入和利润也将得到进一步提升。

  (2)泉州三安集成电路产业化项目

  主要从事砷化镓射频、滤波器及封装业务,该项目已投入 资金 42.25 亿元,形成固定资产 17.45 亿元、在建工程 17.73 亿元。

  截至6月末,该项目拥有滤波器产能 150KK/月。

  下游消费电子需求低迷,市场主要是以消化库存为主,销售较为平稳,实现营业收入 0.71 亿元,同 比增长 4.87%,净利润-0.78 亿元。

  (3)湖北三安

  主要从事 Mini/Micro LED 外延片与芯片和芯片深加工等业务,总投资 120 亿 元(含土地使用权和流动资金)。

  项目达产后,新增芯片产能约 236 万片/年(以 4 寸为当量片)和 4K 显示屏用封装产品 8.4 万台/年的生产能力。

  截至6月末,该项目已投入 23.49 亿元,形成固定资产 17.05 亿元、在建工程 3.99 亿元、 无形资产(土地使用权)1.70 亿元,拥有产能 12.5 万片/月。

  期内,该项目营业收入为 1.03 亿元,同比增长 22.43%,净利 润为 0.14 亿元。从上半年各月生产情况看,湖北三安产量呈现逐月上升趋势,但因国际经济波动 和消费电子萎靡,影响销售增长速度。

  (4)湖南三安半导体产业化项目

  主要从事碳化硅、硅基氮化镓等第三代化合物半导体的研发 及产业化,包括长晶—衬底制作—外延生长—芯片制备—封装产业链,投资总额 160 亿元(含土地使用权和流动资金)。

  项目达产后,配套产 能约 36 万片/年的生产能力。

  截至6月末,湖南三安资产总计 86.99 亿元,其中流动资产 19.62 亿元、非流动资产 67.37 亿元。流动资产包含了货币资金 6.97 亿元、应收账款 3.18 亿元、预付款项 0.61 亿元、存货 5.99 亿元等;非流动资产包含了长期股权投资 0.88 亿元、固定资产 31.39 亿元、在建工程 12.21 亿 元、无形资产 8.14 亿元、开发支出 2.99 亿元等。 拥有碳化硅产能 15,000 片/月和硅基氮化镓 2,000 片/月,产能正逐步释放。

  湖南三安 实现销售收入 5.82 亿元,同比增长 178.86%,净利润 3.32 亿元。

  披露与ST合资进展

  在半年报中,三安光电称,鉴于 STMicroelectronics International N.V.(以下简称“ST International”)与公司 全资子公司湖南三安有意在中国重庆市设立一家专门从事碳化硅外延、芯片生产的合资代工公司, 制造碳化硅外延、芯片独家销售给 ST International(或 ST International 指定的任何实体); 湖南三安或其指定方将为该合资公司供应衬底并签署协议,本公司(或经意法半导体同意的湖南 三安的其他关联公司)承诺,保证湖南三安遵照合资协议和衬底供应协议履约;合资公司将与湖 南三安签订长期碳化硅衬底供应协议,以保证合资公司未来材料的工艺需求。

  经公司董事会会议及 临时股东大会决议,根据其发展战略,湖南三安与意法半导体签署《合资协议》,双方将在重庆市设立合资公司-三安意法半导体 (重庆)有限公司,预计投入总金额为 32 亿美元,将根据合资公司进度需要陆续投入。该合资公 司的注册资本为 6.12 亿美元,湖南三安持股比例为 51%,意法半导体持股比例为 49%,均以货币 资金分期出资,主要从事碳化硅外延、芯片生产。项目在取得各项手续批复后开始建设,2025 年 完成阶段性建设并逐步投产,2028 年达产,规划达产后生产 8 吋碳化硅晶圆 10,000 片/周。不过,在半年报中,三安光电称,该合资公司正在申请办理行政许可相关前期审查。

  垂直产业链布局,推动原材料衬底部分能力自给

  作为中国本土化合物半导体领域的龙头企业,经过多年的发展和沉淀,三安光电现已形成深厚的技术 积累。据半年报披露,截至 2023 年 6 月 30 日,该公司拥有专利(含在申请)超过 3,500 件,其中 授权专利超过 2,300 件,

  同时,作为垂直产业链布局的企业,该公司在产业链上游积极布局原材料衬底形成部分自给能力,配套辅 料气体自制;在产业链下游布局特殊应用领域,推进应用进程。一方面规模采购可提升对供应商的市场议价能力,另一方面可获得广泛客户基础,进而带来规模优势。

文章来源于:国际电子商情    原文链接
本站所有转载文章系出于传递更多信息之目的,且明确注明来源,不希望被转载的媒体或个人可与我们联系,我们将立即进行删除处理。