MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)是一种场效应晶体管,最常见的是通过可控氧化硅来制造。它有一个绝缘栅极,其电压决定了器件的导电性。MOSFET可以用作开关、放大器或电阻器。MOS晶体管是在通常由硅制成的半导体晶体衬底上制造的。基板上覆盖着一层薄薄的绝缘层,通常由二氧化硅制成。在该层上方是栅极,通常由金属或多晶硅制成。MOS结构中介电材料(SiO)的厚度形成电容器,栅极和衬底为两个板,氧化物层为介电材料。施加到栅极(相对于衬底)的正/负电压增加了沟道中电子/空穴的数量,并增加了源极和漏极之间的导电性。当在NMOS晶体管的栅极施加负电压时,它允许电流从源极流向漏极。

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NMOS和PMOS详解(2023-12-19)
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浅析基本放大电路!(2024-10-05 18:03:02)
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十九纪诞生电机的时候,产生的实用性电机就是无刷形式,即交流鼠笼式异步电动机,这种电动机得到了广泛的应用。但是,异步电动机有许多无法克服的缺陷,以致电机技术发展缓慢。上世纪中叶诞生了晶体管,因而采用晶体管......
功率半导体,涨价函纷飞!; 【导读】自2022年以来,功率半导体市场行情回落,从二三极管、晶体管、中低压MOS到高压MOS都出现供需反转并大幅降价,甚至从2019年便......
调制信号通常用于控制伺服系统、LED和等模拟设备。 一、脉宽调制的工作原理 在脉冲宽度调制中,高频电脉冲序列被发送到设备为其供电,脉冲可由驱动晶体管或功率MOS管生成。 脉冲宽度调制信号出现在晶体管......
()的下一代先进制程。本文引用地址:场效晶体管将n和p两种MOS元件堆叠在一起,以实现更高的密度。该项技术最初由比利时微电子研究中心(IMEC)于2018年所提出的。虽然,大多......
(GAA)的下一代先进制程。 CFET场效晶体管将n和p两种MOS元件堆叠在一起,以实现更高的密度。该项技术最初由比利时微电子研究中心(IMEC)于2018年所......
上海雷卯推出稳定性和效率兼备的MOSFET新产品; 【导读】MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)是一种常用的半导体器件,由源(Source)、漏(Drain)和栅(Gate)三个......
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两个标准工作频率和目标输出功率值不同(Qi是 40 W,Airfuel是10 W),为了兼容这两个无线充电标准,功率 MOS晶体管及其驱动电路必须能够重新配置。一方面,在 Qi 情况下,工作......
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NPN管,这应该在确定电源形式时同时考虑。有些的外壳与某个电极相连,对于硅管来说往往是集电极。在需要某极接地时应考虑这个因素。 11、场效应晶体管与BJT在工作过程中有很大的区别:BJT中的......
是用 PNP 还是 NPN 管,这应该在确定电源形式时同时考虑。有些三极管的外壳与某个电极相连,对于硅管来说往往是集电极。在需要基极接地时应考虑这个因素。 11、场效应晶体管......
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*Vin,式中D为PWM波的占空比,等于在一个PWM周期内高电平持续的时间与PWM周期的比值。 调速方法:在进行晶体管控制时,可以选择不同的三种斩波方式HPWM-LON,HON-LPWM,PWM......
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;瀚博(香港)集团有限公司;;瀚博集团有限公司是专业提供被动电子元器件供应商。致力为您提供专业化的服务。全面满足广大用户多方位的需求。公司主要产品是全系列二/三极管,晶体管MOS管,TVS管,整流
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类电子元器件,主要产品包括:高频中、小功率晶体管、玻璃封装硅功率二极管、高压硅堆、单相、三相桥式硅整流器、高频大功率晶体管、低频大功率PNP、NPN晶体管、功率晶体开关管、达林顿PNP、NPN功率晶体管、功率MOS
;苍南INT;;苍南INT 从国际知名品牌获得半导体原材料:IC,二极管,晶体管,FET ,Mos管等。代理供货商为Didoes ,Atmel,Vishay,Dialog,Little fuse
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