MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）是一种场效应晶体管，最常见的是通过可控氧化硅来制造。它有一个绝缘栅极，其电压决定了器件的导电性。MOSFET可以用作开关、放大器或电阻器。MOS晶体管是在通常由硅制成的半导体晶体衬底上制造的。基板上覆盖着一层薄薄的绝缘层，通常由二氧化硅制成。在该层上方是栅极，通常由金属或多晶硅制成。MOS结构中介电材料（SiO）的厚度形成电容器，栅极和衬底为两个板，氧化物层为介电材料。施加到栅极（相对于衬底）的正/负电压增加了沟道中电子/空穴的数量，并增加了源极和漏极之间的导电性。当在NMOS晶体管的栅极施加负电压时，它允许电流从源极流向漏极。
延伸阅读
资讯
一种低电压、低功耗模拟电路设计方案(2024-07-23)
一种低电压、低功耗模拟电路设计方案;因为MOS晶体管的衬底或者与源极相连，或者连接到VDD或VSS,所以经常被用作一个三端设备。由于未来CMOS技术的阈值电压并不会远低于现有标准，于是......
NMOS和PMOS详解(2023-12-19)
NMOS和PMOS详解;一、简介本文引用地址：MOS管，是的缩写。金属-氧化物半导体场效应晶体管，简称金氧半场效晶体管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect......
一文看懂MOS器件的发展与面临的挑战(2017-07-10)
技术。另外，晶体管也从MOSFET演变为FD-SOI、Bulk FinFET和SOI FinFET。
MOS诞生之初，栅极材料采用金属导体材料铝，因为铝具有非常低的电阻，它不......
世界半导体极简编年史(2023-01-02)
金属氧化物半导体(MOS)晶体管
John Atalla和Dawon Kahng制作了可工作的晶体管并演示了第一个成功的MOS场效......
英特尔、三星、台积电展示下代CFET架构(2023-12-22)
英特尔、三星、台积电展示下代CFET架构;日前IEEE IEDM国际电子元件会议，英特尔、台积电和三星都展示CFET晶体管解决方案，堆栈式CFET架构晶体管将n和p两种MOS元件堆叠在一起，未来......
两步走 解决开关电源输入过压的烦恼！(2023-02-06)
入电压波动较大的情况下，应选择 450 V 的电解电容器。6. MOS 晶体管 Q1 的标称电压选择MOS 晶体管的电压应力 (Vmos) 等于：VIN 指的是输入电压，最大输入电压为 431 V......
一文看懂3D晶体管(2016-11-01)
趟发烧音响材料行一定可以看到一大堆。
MOSFET晶体管通道
而MOS就非常小家子气了，在早期或者是大功率的JFET，是由2个N型半导体夹住P型半导体，（或者2个P型夹住N型），但是......
吉利科技旗下晶能微电子自研首款车规级 IGBT 产品成功流片(2023-03-16)
(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由（Bipolar Junction Transistor，BJT）双极型三极管和绝缘栅型场效应管（Metal......
今年功率晶体管销售额可望达到245亿美元，增长11%(2022-10-12)
今年功率晶体管销售额可望达到245亿美元，增长11%;进入2022年以来，芯片市场的供需紧张关系在逐季缓解，但依旧面临需求分化加剧，比如消费级芯片需求的萎缩迫使渠道商清理库存，而汽车电子、工控......
无刷直流电机的电流换向电路 无刷直流电机的三相全桥驱动电路(2023-03-20)
十九纪诞生电机的时候，产生的实用性电机就是无刷形式，即交流鼠笼式异步电动机，这种电动机得到了广泛的应用。但是，异步电动机有许多无法克服的缺陷，以致电机技术发展缓慢。上世纪中叶诞生了晶体管，因而采用晶体管......
功率半导体，涨价函纷飞！(2024-01-15)
功率半导体，涨价函纷飞！;
【导读】自2022年以来，功率半导体市场行情回落，从二三极管、晶体管、中低压MOS到高压MOS都出现供需反转并大幅降价，甚至从2019年便......
如何构建脉宽调制信号发生器？看这一文(2024-06-25)
调制信号通常用于控制伺服系统、LED和等模拟设备。
一、脉宽调制的工作原理
在脉冲宽度调制中，高频电脉冲序列被发送到设备为其供电，脉冲可由驱动晶体管或功率MOS管生成。
脉冲宽度调制信号出现在晶体管......
GAA技术才开始，半导体大厂已着手研发下一代CFET技术(2023-10-07)
（）的下一代先进制程。本文引用地址：场效晶体管将n和p两种MOS元件堆叠在一起，以实现更高的密度。该项技术最初由比利时微电子研究中心（IMEC）于2018年所提出的。虽然，大多......
上海雷卯推出稳定性和效率兼备的MOSFET新产品(2023-09-04)
上海雷卯推出稳定性和效率兼备的MOSFET新产品;
【导读】MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)是一种常用的半导体器件，由源(Source)、漏(Drain)和栅(Gate)三个......
GAA技术才开始，半导体大厂已着手研发下一代CFET技术(2023-10-07)
（GAA）的下一代先进制程。
CFET场效晶体管将n和p两种MOS元件堆叠在一起，以实现更高的密度。该项技术最初由比利时微电子研究中心（IMEC）于2018年所......
安建半导体获1.8亿元B轮融资，用于MOS和IGBT全系列产品开发等(2022-03-25)
、Field Stop Trench IGBT（场截止沟槽型绝缘栅双极晶体管）三条产品线实现量产。
对于未来，安建半导体表示还将针对不同应用场景还将继续开发不同性能和不同规格的产品，实现......
涨知识！氮化镓（GaN）器件结构与制造工艺(2024-06-17)
Transistor）：绝缘栅双极型晶体管，IGBT是由MOS和PN两个基本单元构成。
HBT（Heterojunction Bipolar Transistor）：异质结双极晶体管。
Triacs......
从原理到实例：GaN为何值得期待？(2021-11-30)
有着不小的区别，同规格情况下，GaN晶体管比SJ MOS有着更小的饱和电流以及更高的BV值，这也是受限于其芯片面积和无雪崩能力的特殊特性；同时更低的驱动电压和栅极电荷Qg，造就了其高频低损的优良开关特性。
图2......
芯片巨头们已着手研发下一代CFET技术(2023-10-09)
芯片巨头们已着手研发下一代CFET技术;外媒 eNewsEurope 报道，英特尔 (Intel) 和台积电将在国际电子元件会议 (IEDM) 公布垂直堆叠式 () 场效晶体管进展，使 成为......
重庆万国造出自研自产 IGBT 元件，预计今年内实现量产(2022-08-12)
并自行完成晶圆制造与封装测试的 IGBT 元件。目前该 IGBT 元件通过用户试用，预计今年年内实现量产。 (IGBT，Insulated Gate Bipolar Transistor，即绝缘栅双极型晶体管）
据悉，重庆......
改变未来游戏规则，英特尔展示GaN新技术(2023-12-17)
从摩尔定律的微缩中了解到的那样，High-K介电质确实在硅CMOS晶体管微缩上存在优势，使英特尔能够在氮化镓MOS方面实现非常高的性能。
需要强调的是，DrGaN与其他"单芯片氮化镓集成电路（氮化镓+硅驱动器）"的最......
改变未来游戏规则，英特尔展示GaN新技术(2023-12-18 10:06)
质确实在硅CMOS晶体管微缩上存在优势，使英特尔能够在氮化镓MOS方面实现非常高的性能。需要强调的是，DrGaN与其他"单芯片氮化镓集成电路（氮化镓+硅驱动器）"的最......
远翔FP5139：DC-DC升降压控制器(2023-09-12)
远翔FP5139：DC-DC升降压控制器;FP5139是一种用于电池供电应用的升压拓扑开关调节器控制IC。FP5139包括一个图腾极单输出级，用于驱动 NPN 晶体管或N-MOS，高精......
【干货】抛开教材，从实用的角度聊聊MOS管(2022-11-29)
CHAO
在大部分的教材里都会告诉你长长的一段话：
全称金属氧化半导体场效应晶体管，英文名Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，属于绝缘栅极场效晶体管......
一文解析51单片机PWM双舵机控制(2023-08-10)
宽度调制是一种模拟控制方式，其根据相应载荷的变化来调制晶体管基极或MOS管栅极的偏置，来实现晶体管或MOS管导通时间的改变，从而实现开关稳压电源输出的改变。这种......
电源设计必学电路之驱动篇(2024-04-22)
IGBT外，一些新型功率器件也广泛使用于数字电源中，如SiC MOSFET和氮化镓晶体管（GaN FET）等。SiC Mosfet管具有阻断电压高、工作频率高、耐高温能力强、通态......
基础知识之晶体管(2024-03-21)
。
FET
Field Effect Transistor的简称，是指场效应晶体管。有接合型FET和MOS型FET以及GaAs型。
接合型FET多用于音频设备等的模拟电路中，MOS型FET主要......
cpu的nm级越来越小，为什么不通过增大面积来提高性能？(2017-06-20)
更先进的工艺除了成本和良率的好处之外还有哪些方面的优势呢？一个MOS管的基本结构如下：
每一代新工艺节点，晶体管的沟道长度L变小。沟道长度变小后，晶体管有更快的反应速度，更低的控制电压。
1）更快的频率 随着......
支持Qi和 AirFuel的双标准无线充电天线和有源整流系统(2024-05-16)
两个标准工作频率和目标输出功率值不同（Qi是 40 W，Airfuel是10 W），为了兼容这两个无线充电标准，功率 MOS晶体管及其驱动电路必须能够重新配置。一方面，在 Qi 情况下，工作......
干货总结｜晶体管的应用知识(2023-03-28)
。
它还有三个引脚：
· Gate(G)
· Source(S)
· Drain(D)
MOS的工作原理类似于BJT晶体管，但有一个重要的区别：
对于BJT晶体管，电流......
这40个模拟电路基础知识太有用了！(2024-06-06)
NPN管，这应该在确定电源形式时同时考虑。有些的外壳与某个电极相连，对于硅管来说往往是集电极。在需要某极接地时应考虑这个因素。
11、场效应晶体管与BJT在工作过程中有很大的区别：BJT中的......
集成高 k 钙钛矿氧化物和二维半导体的新型晶体管(2023-01-04)
和 Yang
说。“此外，我们发现转移的高 k钙钛矿氧化物和 MoS 2之间的界面质量很高，因为它使我们能够制造具有突然的亚阈值斜率的场效应晶体管。”
作为他们最近研究的一部分，研究......
MCS-51单片机的前缘后世(2022-12-15)
处理器Intel 8080，以N沟道MOS电路取代了P沟道，第二代微处理器就此诞生。
主频2MHz的8080芯片运算速度比8008快10倍，可存取64KB存储器，使用了基于6微米技术的6000个晶体管，处理......
深耕半导体产业30年！深爱半导体厚积薄发(2021-04-11)
企业，深圳深爱半导体股份有限公司（下称“深爱半导体”）也在现场展示了旗下高压MOSFET产品-Planar MOS、高压MOSFET产品-Super junction、中低压MOSFET产品、大功率双极晶体管......
闻泰科技IGBT加速研发，汽车市场布局全面展开(2022-09-28)
安世原有产品线收入规模较大，IGBT预计未来上量的前期不会立刻体现在对营收上，公司看好400V左右的中低压车市场，会用IGBT和GaN覆盖该领域。另外，安世的双极性晶体管和二极管市场占有率全球第一，Mos产品......
用于模拟IC设计的小信号MOSFET模型(2024-01-26)
也可以将跨导视为输出电流对栅源电压的导数。
跨导在线性区域可以定义为：
方程式2
对于饱和区域，为：
方程式3
其中：
ID是漏极电流
VGS是栅源电压
VDS是漏极到源极电压
Vth是阈值电压
μ是晶体管......
在ROS学习平台中常常使用到的直流电机控制原理与驱动电路(2023-09-18)
*Vin,式中D为PWM波的占空比，等于在一个PWM周期内高电平持续的时间与PWM周期的比值。
调速方法：在进行晶体管控制时，可以选择不同的三种斩波方式HPWM-LON,HON-LPWM,PWM......
无刷直流马达控制电路(2023-04-25)
需要一个专门的控制电路，以下是常用的几种BLDC电机控制电路：
三相桥式电机驱动器：这是一种常用的BLDC电机控制电路，它使用三相桥式电路来控制BLDC电机的相位和电流。三相桥式电路由六个功率晶体管......
基础知识之图像传感器(2024-03-12)
供更快的读出速度来实现。它们也不易受到静电放电的影响。其中CCD基于MOS电容器，而CMOS传感器基于MOSFET (MOS场效应晶体管)放大器。在金属氧化物半导体(MOS) 有源像素传感器中，MOS 场效应晶体管......
TTL与CMOS，很基础但很多人不知道(2024-04-17)
TTL与CMOS，很基础但很多人不知道;问题引入本文引用地址：在工作中，会遇到OC门与OD门的称谓。而感性的认识一般为：OD门是采用MOS管搭建的电路，压（电压）控元器件。
OC门是采用晶体管......
新能源汽车解析丨什么是IGBT？结构与拆解(2023-10-08)
和作为开关的双极功率晶体管组合在单个器件中。3、IGBT的用途是什么？IGBT 在单个器件中结合了具有MOS 结构的控制输入和用作输出开关的双极功率晶体管。IGBT 适用于高电压、高电流应用。它们......
MOS管基础及选型指南(2024-03-20)
MOS管基础及选型指南;，即金属（Metal）—氧化物（Oxide）—半导体（Semiconductor）场效应晶体管，是一种应用场效应原理工作的半导体器件。本文引用地址：
和普通双极型晶体管......
基于晶体管的测试仪电路(2023-06-25)
导体（如MOS元件）进行故障排除。
测试结果“指示器”实际上是一个小扬声器的形式，以确保在测试时，不必一直将视线转移到测试设备而不是电路板上。
晶体管T1和T2的工......
模拟集成电路设计中的MOSFET非理想性(2024-01-18)
的研究和的持续小型化都揭示了行为中的一系列非理想性。本文将介绍这些非理想性的基础知识以及它们如何影响模拟集成电路中的晶体管性能。
寄生电容
由于MOSFET的物理实现，在端子结之间形成了以下寄生电容：
CGS：栅源电容。
CGD：栅极......
stm32单片机中使用GPIO口模拟PWM输出解析(2024-09-11)
当今科学技术的发展已经没有了学科之间的界限，结合现代控制理论思想或实现无谐振波开关技术将会成为PWM控制技术发展的主要方向之一。其根据相应载荷的变化来调制晶体管基极或MOS管栅极的偏置，来实现晶体管或MOS管导......
IGBT驱动电路介绍(2024-02-29)
一个时间为开通延迟时间td.on:td.on=Ton-Tr.i
IGBT在关断过程
IGBT在关断过程中，漏极电流的波形变为两段。
第一段是按照MOS管关断的特性的
第二段是在MOSFET关断后，PNP晶体管......
发力新能源汽车和储能市场，威兆半导体推出新一代700V SiC MOSFET(2024-09-03)
MOSFET，威兆半导体做了哪些布局？本文将进行详细解读。
全球功率器件市场规模持续增长，三大应用驱动
在全球能源转型与数字化快速发展的情况下，功率MOSFET、IGBT、功率二级管、功率双极晶体管......
e络盟开售Littelfuse完整解决方案(2023-10-17)
各种项目需求。Littelfuse是一家多元化的工业技术制造公司，为可持续、互联和更安全的世界赋能。
e络盟供应的产品包括保险丝、断路器、浪涌保护器、瞬态抑制二极管、二极管、晶闸管、二极管、MOS晶体管......
e络盟开售Littelfuse完整解决方案(2023-10-17)
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e络盟供应的产品包括、、、瞬态抑制二极管、二极管、晶闸管、二极管、MOS晶体管（MOSFET......
e络盟开售Littelfuse完整解决方案(2023-10-17)
家多元化的工业技术制造公司，为可持续、互联和更安全的世界赋能。本文引用地址：e络盟供应的产品包括保险丝、断路器、浪涌保护器、瞬态抑制二极管、二极管、晶闸管、二极管、MOS晶体管（MOSFET）、绝缘栅双极型晶体管......
相关企业
主要产品是江苏供应长电全系列二/三极管，晶体管，MOS管，压敏电阻，TVS管，整流管，稳压管，双晶体管，数字晶体管，镇流器专用开关晶体管等被动元器件。 公司秉承想客户之所想，急客户之所急的经营思路，快速，高效，灵活
;瀚博（香港）集团有限公司;;瀚博集团有限公司是专业提供被动电子元器件供应商。致力为您提供专业化的服务。全面满足广大用户多方位的需求。公司主要产品是全系列二/三极管，晶体管，MOS管，TVS管，整流
;瀚博集团有限公司;;瀚博集团有限公司是专业提供被动电子元器件供应商。致力为您提供专业化的服务。全面满足广大用户多方位的需求。公司主要产品是全系列二/三极管，晶体管，MOS管，压敏电阻，TVS管
类电子元器件，主要产品包括：高频中、小功率晶体管、玻璃封装硅功率二极管、高压硅堆、单相、三相桥式硅整流器、高频大功率晶体管、低频大功率PNP、NPN晶体管、功率晶体开关管、达林顿PNP、NPN功率晶体管、功率MOS
;苍南INT;;苍南INT 从国际知名品牌获得半导体原材料：IC，二极管，晶体管，FET ，Mos管等。代理供货商为Didoes ,Atmel,Vishay,Dialog,Little fuse
;深圳市高翔电子经营部;;经营各名品牌晶体管(场效应MOS管三极管\三端稳压达林顿\肖特基快恢复\可控硅集成IC~~~~~~~~~),质量第一!合作愉快!
;深圳市敢豪科技有限公司（业务二部）;;深圳市敢豪科技有限公司 业务一部:主营LED芯片. 业务二部:IC,晶体管,MOS管....如:功放IC,升压IC,驱动恒流IC...
等行业中 LRC晶体管：SOT-23，插件小功率晶体管，TVS管！
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、稳压管、普通晶体管、开关晶体管、功率管、数字晶体管、场效应管、MOS管、集成电路，广泛应用于电子照明、绿色电源、汽车电子、机顶盒、显示器、电话机、电脑、电子玩具、医疗设备等行业。品种齐全，质量