这40个模拟电路基础知识太有用了!
1、电接口设计中,反射衰减通常在高频情况下变差,这是因为带损耗的传输线反射同频率相关,这种情况下,尽量缩短PCB走线就显得异常重要。
本文引用地址:2、稳压就是一种稳定电路工作电压的,由于特殊的内部结构特点,适用反向击穿的工作状态,只要限制电流的大小,这种击穿是非破坏性的。
3、PN结具有一种很好的数学模型:开关模型→诞生了→再来一个PN结,诞生了。
4、高频电路中,必须考虑PN结电容的影响(正向偏置为扩散电容,反相偏置为势垒电容)
5、在高密度的场合下,由于收发信号挨在一起,很容易发生串扰,这在布线时要遵守3W原则,即相邻PCB走线的中心线间距要大于PCB线宽的3倍。在插卡设备,接插件连接的位置,要有许多接地针,提供良好的射频回路。
6、双极型管是电流控制器件,通过基极较小的电流控制较大的集电极电流;MOS管是电压控制器件,通过栅极电压控制源漏间导通电阻。
7、是靠载流子的运动来工作的,以npn管射极跟随器为例,当基极加不加电压时,基区和发射区组成的pn结为阻止多子(基区为空穴,发射区为电子)的扩散运动,在此pn结处会感应出由发射区指向基区的静电场(即内建电场)。
8、肖特基二极管(Schottky, SBD)适用于高频开关电路,正向压降和反相压降都很低(0.2V)但是反向击穿电压较低,漏电流也较大。
9、抖动特性绝大部分取决于输出芯片的特性,不过,如果PCB布线不当,电源滤波不够充分,时钟参考源太冲太大也会增加抖动成分。信号线的匹配对抖动产生直接的影响。特别是芯片中含有倍频功能,本身相位噪声较大。
10、极型选择是指BJT是用PNP还是NPN管,这应该在确定电源形式时同时考虑。有些的外壳与某个电极相连,对于硅管来说往往是集电极。在需要某极接地时应考虑这个因素。
11、场效应晶体管与BJT在工作过程中有很大的区别:BJT中的电荷载体是空穴或被击出的少量的“少子”,FET中的电荷则是数目相对多几个数量级的自由电子,“多子”。
12、发射极正偏,集电极反偏是让BJT工作在放大工作状态下的前提条件。三种连接方式:共基极,共发射极(最多,因为电流,电压,功率均可以放大),共集电极。判别三种组态的方法:共发射极,由基极输入,集电极输出;共集电极,由基极输入,发射极输出;共基极,由发射极输入,集电极输出。
13、三极管主要参数:电流放大系数β,极间反向电流,(集电极最大允许电流,集电极最大允许耗散功率,反向击穿电压=3个重要极限参数决定BJT工作在安全区域)。
14、因J-FET的Rgs很高,在使用时首先应注意无静电操作,否则很容易发生栅极击穿;另外就是在设计电路时应仔细考虑各极限参数,不能超出范围。将J-FET当做可变电阻使用时应保证器件有正确的偏置,不能使之进入恒流区。
15、射极偏置电路:用于消除温度对静态工作点的影响(双电源更好)。
16、三种BJT放大电路比较:共射级放大电路,电流、电压均可以放大。共集电极放大电路:只放大电流,跟随电压,输入R大,输出R小,用作输入级,输出级。共基极放大电路:只放大电压,跟随电流,高频特性好。
17、去耦电容:输出信号电容接地,滤掉信号的高频杂波。旁路电容:输入信号电容接地,滤掉信号的高频杂波。交流信号针对这两种电容处理为短路。
18、MOS-FET在使用中除了正确选择参数以及正确的计算外,最值得强调的仍然是防静电操作问题,在电路调试、焊接、安装过程中,一定要严格按照防静电程序操作。
19、主流是从发射极到集电极的IC,偏流就是从发射极到基极的Ib。相对与主电路而言,为基极提供电流的电路就是所谓的偏置电路。
20、场效应管三个铝电极:栅极g,源极s,漏极d。分别对应三极管的基极b,发射极e,集电极c。<源极需要发射东西嘛,所以对应发射极e,栅极的英文名称是gate,门一样的存在,和基极的作用差不多>其中P型衬底一般与栅极g相连。
21、增强型FET必须依靠栅源电压Vgs才能起作用(开启电压Vt),耗尽型FET则不需要栅源电压,在正的Vds作用下,就有较大的漏极电流流向源极(如果加负的Vgs,那么可能出现夹断,此时的电压成为夹断电压Vp***重要特性***:可以在正负的栅源电压下工作)
22、N沟道的MOS管需要正的Vds(相当于三极管加在集电极的Vcc)和正的Vt(相当于三极管基极和发射极的Vbe),而P沟道的MOS管需要负的Vds和负的Vt。
23、VMOSFET有高输入阻抗、低驱动电流;开关速度快、高频特性好;负电流温度系数、无热恶性循环,热稳定型优良的优点。
24、运算放大器应用时,一般应用负反馈电流。
25、差分式放大电路:差模信号:两输入信号之差。共模信号:两输入信号之和除以2。由此:用差模与共模的定义表示两输入信号可得到一个重要的数学模型:任意一个输入信号=共模信号±差模信号/2。
26、差分式放大电路只放大差模信号,抑制共模信号。利用这个特性,可以很好的抑制温度等外界因素的变化对电路性能的影响。具体的性能指标:共模抑制比Kcmr。
27、二极管在从正偏转换到反偏的时候,会出现较大的反向恢复电流从阴极流向阳极,其反向电流先上升到峰值,然后下降到零。
28、在理想的情况下,若推挽电路的两只晶体管电流、电压波完全对称,则输出电流中将没有偶次谐波成分,及推挽电路由已知偶次谐波的作用。实际上由于两管特性总有差异,电路也不可能完全对称,因此输出电流还会有偶次谐波成分,为了减少非线性失真,因尽量精选配对管子。
29、为了获得大的输出功率,加在功率晶体管上的电压、电流就很大,晶体管工作在大信号状态下。这样晶体管的安全工作就成为功率放大器的一个重要问题,一般不以超过管子的极限参数(Icm、BVceo、Pcm)为限度。
30、放大电路的干扰:1、将电源远离放大电路2、输入级屏蔽3、直流电源电压波动(采用稳压电源,输入和输出加上滤波电容)。
31、负反馈放大电路的四种组态:电压串联负反馈(稳定输出电压),电压并联负反馈,电流串联负反馈(稳定输出电流),电流并联负反馈。
32、电压、电流反馈判定方法:输出短路法,设RL=0,如果反馈信号不存在,为电压反馈,反之,则为电流反馈。
33、串联、并联反馈的判定方法:反馈信号与输入信号的求和方式,若为电压形式,则为串联反馈,若为电流形式,则为并联反馈。
34、对于NPN电路,对于共射组态,可以粗略理解为把VE当作“固定”参考点,通过控制VB来控制VBE(VBE=VB-VE),从而控制IB,并进一步控制IC(从电位更高的地方流进C极,你也可以把C极看作朝上的进水的漏斗)。
35、对于数字电路来说,VCC是电路的供电电压,VDD是芯片的工作电压(通常Vcc>Vdd),VSS是接地点;在场效应管(或COMS器件)中,VDD为漏极,VSS为源极,VDD和VSS指的是元件引脚,而不表示供电电压。
36、示波器探头有一条地线和一条信号线,地线就是和示波器输入端子外壳通的那一条,一般是夹子状的,信号线一般带有一个探头钩,连接的话你把示波器地线接到你设备的地,把信号线端子接到你的信号端,注意如果要测量的信号和市电没有隔离,则不能直接测量。
37、驱动能力不足有两种情况:一是器件的输入电阻太小,输出波形会变形,如TTL电平驱动不了继电器;二是器件输入电阻够大,但是达不到器件的功率,如小功率的功放,驱动大功率的喇叭,喇叭能响,但音量很小,其实是输出的电压不够大。
38、滤波电路:利用电抗元件的储能作用,可以起到很好的滤波作用。电感(串联,大功率)和电容(并联,小功率)均可以起到平波的作用。
39、开关稳压电源与线性电源:线性电源效率低、发热强、但是输出很稳定。开关电源效率高、发热一般、但输出纹波大,需要平波。
40、由电路内因引发的故障类型有:晶体管、电容、电阻等电子元件性能发生改变引发的故障;电子电路中有关线路接触不良引发的故障等。由外因引起的电子电路故障类型有:技术人员使用电子电路时未按照说明要求进行操作;维修技术人员维修程序不规范不科学等。