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一文看懂MOS器件的发展与面临的挑战(2017-07-10)
一文看懂MOS器件的发展与面临的挑战;
来源：内容来自半导体科技评论 ，作者温德通 ，谢谢。
随着集成电路工艺制程技术的不断发展，为了提高集成电路的集成度，同时提升器件......
MOS管防护电路解析实测(2023-12-20)
MOS管防护电路解析实测;自身拥有众多优点，但是MOS管具有较脆弱的承受短时过载能力，特别是在高频的应用场合，所以在应用对必须为其设计合理的保护电路来提高器件的可靠性。本文引用地址：
保护......
MOS管与电动汽车充电器电路的设计紧密相关(2023-11-02)
MOS管与电动汽车充电器电路的设计紧密相关;对于新能源汽车行业的国内需求市场的发展十分明确，电动汽车充电器作为电流转换设备，它的性能和元器件材料的质量，在一定程度上影响着充电的速度。
MOS管元器件......
碳化硅MOSFET在新能源行业有怎样的应用和发展(2024-03-22)
工作频率。
4、碳化硅MOS管的应用
碳化硅MOSFET组件在光伏、风电、电动汽车、轨道交通等中、大功率电力系统应用中具有巨大优势。碳化硅器件的高电压、高频率、高效率的优势，可以突破现有电动汽车电机设计中器件......
瑞森半导体（REASUNOS）诚邀参加2023慕尼黑上海电子展(2023-07-11)
，
为全球客户提供功率半导体整体解决方案。公司产品涵盖SiC碳化硅MOS、SiC碳化硅二极管、硅基平面MOS、超结MOS、中低压MOS、LED驱动IC、电机驱动IC和系列ESD&TVS静电保护器件......
MOSFET在汽车电子上的应用(2024-06-20)
源到各类型的功率驱动，都少不了MOS管的身影。今天我们来简单介绍一下汽车电子中，MOS管的应用。
1.功率模块
汽车上的功率器件一般有两类，阻性负载和感性负载。驱动这两种负载都是对电流有要求，因为MOS......
模拟晶圆代工龙头X-FAB与国产SiC功率器件供应商派恩杰达成携手推动全球SiC产业(2021-09-07)
GaN功率器件。同年8月完成Gen3技术的1200V SiC MOS，填补了国内空白。2020年先后发布用于5G数据中心、服务器与工业辅助电源的650V、1700V工业级MOS以及......
安建半导体获1.8亿元B轮融资，用于MOS和IGBT全系列产品开发等(2022-03-25)
安建半导体获1.8亿元B轮融资，用于MOS和IGBT全系列产品开发等;据投资界消息，半导体功率器件厂商安建半导体已于近日获1.8亿元B轮融资，募集资金将主要用于高、低压MOS和IGBT全系......
又一起收购，涉及MOSFET(2024-01-05)
-FAB生产。2022年，M-MOS的营收为3200万美元（折合人民币约2.29亿元）。此外，根据M-MOS官网信息，其还具备硅基氮化镓（GaN-on-Si）功率分立器件......
“国产芯片”瑞森半导体（REASUNOS）将亮相2023慕尼黑上海电子展(2023-07-11)
，其中硅基功率器件包括平面高压MOS，超结MOS，Trench低压MOS和SGT低压MOS,
产品涵盖20V-1500V全耐压段，可以满足各种不同应用场景;以平面高压MOS为例，目前......
供需趋稳，MOSFET国产替代的机会在哪里？(2020-03-16)
供需趋稳，MOSFET国产替代的机会在哪里？;金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET，又称MOS管)是功率半导体器件的主体之一。由于其具有输入阻抗高、驱动功率低、开关速度快、无二次击穿、安全......
RS瑞森半导体低压MOS在小家电的应用(2022-11-28)
按导电方式也可将MOS管分为耗尽型与增强型，如下图所示：
二、产品应用及特点
低压MOS管的器件主要应用于家电领域，如：榨汁机、果汁杯、暖奶瓶、打蛋器、吸尘器等。
产品特点：成熟的Trench设计......
广东省SiC功率器件与半导体元器件工程技术研究中心通过认定(2024-05-03)
广东省SiC功率器件与半导体元器件工程技术研究中心通过认定;4月28日，美浦森半导体宣布，广东省科学技术厅发布了关于认定2023年度广东省工程技术研究中心的通知，公司建设的“广东省SiC功率器件与半导体元器件......
解析开关电源的冲击电流的几种控制方法(2024-06-10)
敏电阻上的功耗也较大，一般不用此方法。
3.2 有源冲击电流限制法
3.2.1 利用MOS管限制冲击电流
利用MOS管控制冲击电流可以克服无源限制法的缺陷。MOS管有导通阻抗Rds_on低和驱动简单的特点，在周围加上少量元器件......
MOS管基础及选型指南(2024-03-20)
MOS管基础及选型指南;，即金属（Metal）—氧化物（Oxide）—半导体（Semiconductor）场效应晶体管，是一种应用场效应原理工作的半导体器件。本文引用地址：
和普......
RS瑞森半导体超结MOS在适配器上的应用(2023-08-15)
于高压的存在，作为核心部分的AC-DC控制器对器件的可靠性与能效比有着较高的要求，所以合理的选择器件能有效降低损耗，提高可靠性，降低EMC。
针对现代适配器的需要，超结MOS采用......
60v mos管万代ao4264E/威兆VS6410AS替代料SVGP069R5NSA(2023-09-12)
60v mos管万代ao4264E/威兆VS6410AS替代料SVGP069R5NSA;MOS管是电压控制电流器件，用栅极电压的变化控制漏极电流的变化，N沟道增强型功率MOS场效......
RS瑞森半导体低压MOS-SGT在电动车控制器上的应用(2023-04-03)
RS瑞森半导体低压MOS-SGT在电动车控制器上的应用;目前市面上的电动车包含电动自行车、电动摩托车、电动三轮车、电动四轮车等。无论何种电动车，动力系统都是由蓄电池、控制器和电机组成。本文......
南京江智-全系列中低压车规级MOS 碳化硅MOS(2023-11-02)
我们将陆续提供1200V、1700V碳化硅系列MOS。随着国产汽车的进步和产销量的进一步提高，为我们这些半导体器件厂家提供了更广阔的前景。
......
什么是H桥？介绍H桥电机驱动电路(2023-10-30)
什么是H桥？介绍H桥电机驱动电路;什么是H桥 因为电路长得像字母H而得名，通常它会包含四个独立控制的开关元器件，例如下图有四个MOSFET开关元器件Q1、Q2、Q3、Q4。 它们......
电动车窗开关中MOS管的应用解析(2024-08-16)
推动产品升级迭代，提高分立器件产业化及服务闭环的能力，为客户提供可持续、全方位、差异化的一站式产品解决方案。
总之,MOS管在电动车窗开关中的卓越应用，为汽车工程师带来了更多创新的可能性。通过高效的能耗管理、智能......
MOS管的导通条件和MOS驱动电流计算(2023-12-20)
进行判断。
**3. 关于MOS管开启时，对于栅极的电流是否有要求呢？**
这个问题主要是很多时候的很多同学，都会提出反驳的意见。根据课本上学习的知识，MOS管是电压型控制器件，所以......
基于STM32G474RBT6 MCU的数字控制3KW通信电源方案(2023-09-11)
一个STM32G474RBT6 MCU 控制的+同步整流（SR)。
STDES-3KWTLCP还可以帮助用户使用ST最新的功率器件： MOSFET、高压MDmesh MOSFET、超结MOSFET、隔离MOS......
这家化合物半导体公司获得千万战略融资(2024-02-08)
查询官网可知，目前其有1200V SiC MOS和650V / 900V GaN MOS产品。据了解，安森德成立于2018年，是一家专注于模拟芯片和系统级芯片设计的公司，其产品覆盖功率器件：中低......
上海雷卯推出稳定性和效率兼备的MOSFET新产品(2023-09-04)
上海雷卯推出稳定性和效率兼备的MOSFET新产品;
【导读】MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)是一种常用的半导体器件，由源(Source)、漏(Drain)和栅(Gate)三个......
东芝推出采用其最新一代工艺的80V N沟道功率MOSFET，助力提高电源效率(2020-03-30)
相比，新款80V U-MOS X-H产品的漏源导通电阻降低了大约40%。通过优化器件结构，漏源导通电阻与栅极电荷特性[1]之间的平衡也得到了进一步的改善[2]。因此，新产品可提供业界最低[3]功耗。
东芝......
高端功率器件半导体公司超致半导体完成数千万元A轮融资(2021-12-17)
层外延超结MOS等产品。
公开资料显示，上海超致半导体科技有限公司成立于2015年，是一家专注于高端功率器件的半导体产品公司。目前超致半导体是国内首家多层外延工艺的超结MOS供应商（和英......
STM32的GPIO介绍(2024-02-03)
尽管如此，还是不能直接外接大功率器件，须加大功率及隔离电路驱动，防止烧坏芯片或者外接器件无法正常工作。P-MOS管和N-MOS管：由P-MOS管和N-MOS管组成的单元电路使得GPIO具有“推挽......
MOS管热阻的测量方法(2023-04-06)
MOS管热阻的测量方法;预备知识
1、首先，明确两个概念：
稳态热阻：两处测量点温差△T，单位时间内通过散热面的能量为Pd，热阻RΘ=△T/Pd，单位℃/W。它是一个反映了散热体散热性能的参数。热阻......
30V MOS管N沟道PKC26BB替代料SVG032R4NL5(2023-09-26)
30V MOS管N沟道PKC26BB替代料SVG032R4NL5;MOS管是电压控制电流器件，用栅极电压的变化控制漏极电流的变化。有P沟道MOS管和N沟道MOS管，SVG032R4NL5采用......
ROHM推出实现业界超快trr的100V耐压SBD“YQ系列”(2024-01-23 15:34)
，与以往产品相比，VF改善了约7%，IR改善了约82%。另一方面，在普通沟槽MOS结构中，寄生电容（元器件中的电阻分量）较大，因此trr要比平面结构的差。“YQ系列”不仅改善了VF和IR，而且......
ROHM推出实现业界超快trr的100V耐压SBD“YQ系列”(2024-01-24)
了约7%，IR改善了约82%。另一方面，在普通沟槽MOS结构中，寄生电容（元器件中的电阻分量）较大，因此trr要比平面结构的差。“YQ系列”不仅改善了VF和IR，而且还利用ROHM自有的结构设计，实现......
从内部结构到电路应用，这篇文章把MOS管讲透了。(2024-04-29)
了漏极电流的大小，控制栅极电压VGS的大小就可以控制漏极电流ID的大小，这就可以得出如下结论：
MOS管是一个由改变电压来控制电流的器件，所以是电压器件。
MOS管道输入特性为容性特性，所以......
美浦森宣布完成近亿元A轮融资，资金将用于SiC器件产品线、IGBT等新产品研发(2022-03-17)
公司和而泰股份跟投。
美浦森指出，本轮资金将用于包含SJ-MOS、SGT-MOS、SiC器件产品线、IGBT等新产品的扩充和先进工艺研发、吸引高精端人才、并继续投入“美浦......
STM32的GPIO电路原理详解(2023-06-15)
的二极管导通;当引脚电压低于VSS时，下方的二极管导通，防止不正常电压引入芯片导致芯片烧毁。但是尽管如此，还是不能直接外接大功率器件，须加大功率及隔离电路驱动，防止烧坏芯片或者外接器件无法正常工作。
P-MOS......
STM32的GPIO电路原理(2023-01-09)
脚电压低于VSS时，下方的二极管导通，防止不正常电压引入芯片导致芯片烧毁。但是尽管如此，还是不能直接外接大功率器件，须加大功率及隔离电路驱动，防止烧坏芯片或者外接器件无法正常工作。
P-MOS管和N......
详解STM32单片机GPIO的工作原理(2024-04-15)
的二极管导通；当引脚电压低于VSS时，下方的二极管导通，防止不正常电压引入芯片导致芯片烧毁。但是尽管如此，还是不能直接外接大功率器件，须加大功率及隔离电路驱动，防止烧坏芯片或者外接器件无法正常工作。
P......
REASUNOS瑞森半导体高低压MOS在车载逆变器上的应用(2024-04-22)
升压电路(防反接)+控制电路（推挽式）
在DC-DC升压电路中，选用MOSFET作为开关器件，场效应管所需承受的最大电压约为20-30V左右，选型时MOS管的最大耐受电压应留有余量一般会选择40V以上......
电源设计必学电路之驱动篇(2024-04-22)
接连接电源微控制器。同时，芯片具有过电流和短路保护的DESAT检测功能、有源米勒箝位功能以及两级关断（TLTO）功能，常被用于逆变器和DC/DC转换器等场合。
3、其他功率器件驱动
除了常用的MOS管和......
功率IC设计厂商“天狼芯”获数千万人民币A轮融资(2021-01-07)
管和1200V的SiC平面式MOS管的研发。
在基于硅基类第一代半导体的功率器件产品上，天狼芯生产的MOS管和IGBT模组已经与晶圆厂合作落地量产：针对消费电子场景，公司主要生产20V~150V的MOS管......
STM32的八种GPIO工作方式详解(2023-06-09)
的二极管导通，防止不正常电压引入芯片导致芯片烧毁。但是尽管如此，还是不能直接外接大功率器件，须加大功率及隔离电路驱动，防止烧坏芯片或者外接器件无法正常工作。
P-MOS管和N-MOS管：由P-MOS管和......
STM32的GPIO工作方式与基本结构(2023-07-19)
，须加大功率及隔离电路驱动，防止烧坏芯片或者外接器件无法正常工作。
P-MOS管和N-MOS管：由P-MOS管和N-MOS管组成的单元电路使得GPIO具有“推挽输出”和“开漏输出”的模......
STM32的GPIO工作原理(2023-03-07)
不正常电压引入芯片导致芯片烧毁。但是尽管如此，还是不能直接外接大功率器件，须加大功率及隔离电路驱动，防止烧坏芯片或者外接器件无法正常工作。
P-MOS管和N-MOS管：由P-MOS管和N-MOS管组......
三极管和MOS管下拉电阻的作用(2024-04-17)
边阻抗无穷大，A点右边接三极管，阻抗相对左边来说是很低的，因此电流会全部往阻抗低的方向跑，流入三极管，造成电流过大，使器件永久性损坏。
关于MOS管
具体可以看我之前的文章《MOS管充放电原理》，介绍......
电机驱动之PWM互补输出死区时间设定(2024-07-19)
色圈内的波形，高低电平相反，我们把这种波形称为互补PWM波形。
图1
二、添加死区原因
上图1红圈里的互补PWM输出会造成问题的，首先，半导体器件内部都有结电容的，列如MOS管，MOS管导通，需要......
亦商亦儒 躬身入局半导体江湖——专访深圳市萨科微半导体有限公司总经理宋仕强(2022-05-14)
信息产业商会”、“广东连接器协会”会员。
一次机缘，宋仕强与正在研发第三代半导体碳化硅MOS管的LE 韩国延世大学功率器件研发团队相识，并随后成立深圳市萨科微半导体有限公司，注册了“SLKOR”商标，专业推广销售LE......
在ROS学习平台中常常使用到的直流电机控制原理与驱动电路(2023-09-18)
使用程序配合硬件电路去实现。
如下图所示，使用4个功率管（可以为MOS管或者IGBT）搭建成桥式电路，在桥臂中心引出两根导线，连接到电机的供电引脚上。
当使用单片机控制Q2,Q3导通，Q1,Q4截止时。电流经过过电源正极，经过......
两步走 解决开关电源输入过压的烦恼！(2023-02-06)
工作环境下的电压波形。（图片来源：）
输入过压下电源元器件的电压应力分析
以图 2 中的反激式开关模式电源为例，分析当输入电压达到 305 VAC时，如何根据电压应力选择合适的元器件。
图 2：反激......
【干货】抛开教材，从实用的角度聊聊MOS管(2022-11-29)
光，以上就是MOS管最经典的用法，它实现了单片机的IO口控制一个功率器件。当然你完全可以把灯泡替换成其他的器件。器件比如说像水泵、电机、电磁铁这样的东西。
图4 PWM波调光
如何选择NMOS......
总投资30亿元 华瑞微半导体IDM芯片项目预计年底投产(2021-03-15)
，南京华瑞微集成电路有限公司成立于2018年5月，是一家集功率器件产品研发、生产、销售和服务于一体的高新技术企业。华瑞微已经研发成功且量产的产品包括高压VDMOS、低压Trench MOS、超结MOS和......
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-MOS器件、（500V-650V）SJ-MOS器件、（1200V-1350V）IGBT的工艺设计的技术优势奠定基础，构建更加环保、节能、安全的创新应用
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;创辉电子有限公司;;电子元器件类，单片机，IGBT ，桥堆，三三极管，MOS 经营。
;深圳市东汇通科技有限公司;;IC,MOS管，二三极管等电子元器件
;羿烽科技有限公司;;本公司主要经营电源管理IC,MOS,ESD等电子元器件
;深圳奇华电子有限公司;;自己有生产防雷元器件、并代理二极管、MOS管等。
;锐意电子贸易公司;;专业代理MOS开关、电源管理元件等小型便携产品器件，厂价经销
;晶顺昌科技有限公司;;销售半导体器件.如:三极管,可控硅,MOS管,三端稳压管和部分IC