资讯

一文看懂MOS器件的发展与面临的挑战; 来源:内容来自半导体科技评论 ,作者温德通 ,谢谢。 随着集成电路工艺制程技术的不断发展,为了提高集成电路的集成度,同时提升器件......
功率MOS管总烧毁,看看是不是这些原因?; mos 管可能会遭受与其他功率器件相同的故障,例如过电压(半导体的雪崩击穿)、过电流(键合线或者衬底熔化)、过热(半导......
MOS管防护电路解析实测;自身拥有众多优点,但是MOS管具有较脆弱的承受短时过载能力,特别是在高频的应用场合,所以在应用对必须为其设计合理的保护电路来提高器件的可靠性。本文引用地址: 保护......
MOS管与电动汽车充电器电路的设计紧密相关;对于新能源汽车行业的国内需求市场的发展十分明确,电动汽车充电器作为电流转换设备,它的性能和元器件材料的质量,在一定程度上影响着充电的速度。 MOS管元器件......
工作频率。 4、碳化硅MOS管的应用 碳化硅MOSFET组件在光伏、风电、电动汽车、轨道交通等中、大功率电力系统应用中具有巨大优势。碳化硅器件的高电压、高频率、高效率的优势,可以突破现有电动汽车电机设计中器件......
, 为全球客户提供功率半导体整体解决方案。公司产品涵盖SiC碳化硅MOS、SiC碳化硅二极管、硅基平面MOS、超结MOS、中低压MOS、LED驱动IC、电机驱动IC和系列ESD&TVS静电保护器件......
源到各类型的功率驱动,都少不了MOS管的身影。今天我们来简单介绍一下汽车电子中,MOS管的应用。 1.功率模块 汽车上的功率器件一般有两类,阻性负载和感性负载。驱动这两种负载都是对电流有要求,因为MOS......
GaN功率器件。同年8月完成Gen3技术的1200V SiC MOS,填补了国内空白。2020年先后发布用于5G数据中心、服务器与工业辅助电源的650V、1700V工业级MOS以及......
安建半导体获1.8亿元B轮融资,用于MOS和IGBT全系列产品开发等;据投资界消息,半导体功率器件厂商安建半导体已于近日获1.8亿元B轮融资,募集资金将主要用于高、低压MOS和IGBT全系......
-FAB生产。2022年,M-MOS的营收为3200万美元(折合人民币约2.29亿元)。此外,根据M-MOS官网信息,其还具备硅基氮化镓(GaN-on-Si)功率分立器件......
,其中硅基功率器件包括平面高压MOS,超结MOS,Trench低压MOS和SGT低压MOS, 产品涵盖20V-1500V全耐压段,可以满足各种不同应用场景;以平面高压MOS为例,目前......
供需趋稳,MOSFET国产替代的机会在哪里?;金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET,又称MOS管)是功率半导体器件的主体之一。由于其具有输入阻抗高、驱动功率低、开关速度快、无二次击穿、安全......
按导电方式也可将MOS管分为耗尽型与增强型,如下图所示: 二、产品应用及特点 低压MOS管的器件主要应用于家电领域,如:榨汁机、果汁杯、暖奶瓶、打蛋器、吸尘器等。 产品特点:成熟的Trench设计......
广东省SiC功率器件与半导体元器件工程技术研究中心通过认定;4月28日,美浦森半导体宣布,广东省科学技术厅发布了关于认定2023年度广东省工程技术研究中心的通知,公司建设的“广东省SiC功率器件与半导体元器件......
敏电阻上的功耗也较大,一般不用此方法。 3.2 有源冲击电流限制法 3.2.1 利用MOS管限制冲击电流 利用MOS管控制冲击电流可以克服无源限制法的缺陷。MOS管有导通阻抗Rds_on低和驱动简单的特点,在周围加上少量元器件......
MOS管基础及选型指南;,即金属(Metal)—氧化物(Oxide)—半导体(Semiconductor)场效应晶体管,是一种应用场效应原理工作的半导体器件。本文引用地址: 和普......
于高压的存在,作为核心部分的AC-DC控制器对器件的可靠性与能效比有着较高的要求,所以合理的选择器件能有效降低损耗,提高可靠性,降低EMC。 针对现代适配器的需要,超结MOS采用......
60v mos管万代ao4264E/威兆VS6410AS替代料SVGP069R5NSA;MOS管是电压控制电流器件,用栅极电压的变化控制漏极电流的变化,N沟道增强型功率MOS场效......
威、锦浪科技等逆变器知名企业等, 结构件占成本23%的比例,IGBT、MOS占成本比20%,磁性元器件占成本比17%,芯片集成电路占成本比10%等,其中逆变器里IGBT、芯片......
我们将陆续提供1200V、1700V碳化硅系列MOS。随着国产汽车的进步和产销量的进一步提高,为我们这些半导体器件厂家提供了更广阔的前景。 ......
RS瑞森半导体低压MOS-SGT在电动车控制器上的应用;目前市面上的电动车包含电动自行车、电动摩托车、电动三轮车、电动四轮车等。无论何种电动车,动力系统都是由蓄电池、控制器和电机组成。本文......
什么是H桥?介绍H桥电机驱动电路;什么是H桥     因为电路长得像字母H而得名,通常它会包含四个独立控制的开关元器件,例如下图有四个MOSFET开关元器件Q1、Q2、Q3、Q4。     它们......
介绍H桥电机驱动电路(2024-11-05 11:58:11)
介绍H桥电机驱动电路; 什么是H桥 因为电路长得像字母H而得名,通常它会包含四个独立控制的开关元器件,例如......
甚至超过1000个不同类型的芯片。这远远超过了传统的燃油车。汽车的芯片种类主要包括主控芯MCU、存储芯片、传感器类器件、 IGBT功率类芯片 、其次......
推动产品升级迭代,提高分立器件产业化及服务闭环的能力,为客户提供可持续、全方位、差异化的一站式产品解决方案。 总之,MOS管在电动车窗开关中的卓越应用,为汽车工程师带来了更多创新的可能性。通过高效的能耗管理、智能......
进行判断。 **3. 关于MOS管开启时,对于栅极的电流是否有要求呢?** 这个问题主要是很多时候的很多同学,都会提出反驳的意见。根据课本上学习的知识,MOS管是电压型控制器件,所以......
一个STM32G474RBT6 MCU 控制的+同步整流(SR)。 STDES-3KWTLCP还可以帮助用户使用ST最新的功率器件: MOSFET、高压MDmesh MOSFET、超结MOSFET、隔离MOS......
查询官网可知,目前其有1200V SiC MOS和650V / 900V GaN MOS产品。据了解,安森德成立于2018年,是一家专注于模拟芯片和系统级芯片设计的公司,其产品覆盖功率器件:中低......
上海雷卯推出稳定性和效率兼备的MOSFET新产品; 【导读】MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)是一种常用的半导体器件,由源(Source)、漏(Drain)和栅(Gate)三个......
相比,新款80V U-MOS X-H产品的漏源导通电阻降低了大约40%。通过优化器件结构,漏源导通电阻与栅极电荷特性[1]之间的平衡也得到了进一步的改善[2]。因此,新产品可提供业界最低[3]功耗。 东芝......
层外延超结MOS等产品。 公开资料显示,上海超致半导体科技有限公司成立于2015年,是一家专注于高端功率器件的半导体产品公司。目前超致半导体是国内首家多层外延工艺的超结MOS供应商(和英......
STM32的GPIO介绍(2024-02-03)
尽管如此,还是不能直接外接大功率器件,须加大功率及隔离电路驱动,防止烧坏芯片或者外接器件无法正常工作。P-MOS管和N-MOS管:由P-MOS管和N-MOS管组成的单元电路使得GPIO具有“推挽......
STM32中GPIO工作原理详解(2024-10-26 11:28:55)
脚电压高于VDD时,上方的二极管导通;当引脚电压低于VSS时,下方的二极管导通,防止不正常电压引入芯片导致芯片烧毁。但是尽管如此,还是不能直接外接大功率器件,须加大功率及隔离电路驱动,防止烧坏芯片或者外接器件......
MOS管热阻的测量方法;预备知识 1、首先,明确两个概念: 稳态热阻:两处测量点温差△T,单位时间内通过散热面的能量为Pd,热阻RΘ=△T/Pd,单位℃/W。它是一个反映了散热体散热性能的参数。热阻......
30V MOS管N沟道PKC26BB替代料SVG032R4NL5;MOS管是电压控制电流器件,用栅极电压的变化控制漏极电流的变化。有P沟道MOS管和N沟道MOS管,SVG032R4NL5采用......
了漏极电流的大小,控制栅极电压VGS的大小就可以控制漏极电流ID的大小,这就可以得出如下结论: MOS管是一个由改变电压来控制电流的器件,所以是电压器件MOS管道输入特性为容性特性,所以......
,与以往产品相比,VF改善了约7%,IR改善了约82%。另一方面,在普通沟槽MOS结构中,寄生电容(元器件中的电阻分量)较大,因此trr要比平面结构的差。“YQ系列”不仅改善了VF和IR,而且......
了约7%,IR改善了约82%。另一方面,在普通沟槽MOS结构中,寄生电容(元器件中的电阻分量)较大,因此trr要比平面结构的差。“YQ系列”不仅改善了VF和IR,而且还利用ROHM自有的结构设计,实现......
公司和而泰股份跟投。 美浦森指出,本轮资金将用于包含SJ-MOS、SGT-MOS、SiC器件产品线、IGBT等新产品的扩充和先进工艺研发、吸引高精端人才、并继续投入“美浦......
的二极管导通;当引脚电压低于VSS时,下方的二极管导通,防止不正常电压引入芯片导致芯片烧毁。但是尽管如此,还是不能直接外接大功率器件,须加大功率及隔离电路驱动,防止烧坏芯片或者外接器件无法正常工作。 P-MOS......
脚电压低于VSS时,下方的二极管导通,防止不正常电压引入芯片导致芯片烧毁。但是尽管如此,还是不能直接外接大功率器件,须加大功率及隔离电路驱动,防止烧坏芯片或者外接器件无法正常工作。 P-MOS管和N......
的二极管导通;当引脚电压低于VSS时,下方的二极管导通,防止不正常电压引入芯片导致芯片烧毁。但是尽管如此,还是不能直接外接大功率器件,须加大功率及隔离电路驱动,防止烧坏芯片或者外接器件无法正常工作。 P......
升压电路(防反接)+控制电路(推挽式) 在DC-DC升压电路中,选用MOSFET作为开关器件,场效应管所需承受的最大电压约为20-30V左右,选型时MOS管的最大耐受电压应留有余量一般会选择40V以上......
管和1200V的SiC平面式MOS管的研发。 在基于硅基类第一代半导体的功率器件产品上,天狼芯生产的MOS管和IGBT模组已经与晶圆厂合作落地量产:针对消费电子场景,公司主要生产20V~150V的MOS管......
接连接电源微控制器。同时,芯片具有过电流和短路保护的DESAT检测功能、有源米勒箝位功能以及两级关断(TLTO)功能,常被用于逆变器和DC/DC转换器等场合。 3、其他功率器件驱动 除了常用的MOS管和......
的二极管导通,防止不正常电压引入芯片导致芯片烧毁。但是尽管如此,还是不能直接外接大功率器件,须加大功率及隔离电路驱动,防止烧坏芯片或者外接器件无法正常工作。 P-MOS管和N-MOS管:由P-MOS管和......
,须加大功率及隔离电路驱动,防止烧坏芯片或者外接器件无法正常工作。 P-MOS管和N-MOS管:由P-MOS管和N-MOS管组成的单元电路使得GPIO具有“推挽输出”和“开漏输出”的模......
不正常电压引入芯片导致芯片烧毁。但是尽管如此,还是不能直接外接大功率器件,须加大功率及隔离电路驱动,防止烧坏芯片或者外接器件无法正常工作。 P-MOS管和N-MOS管:由P-MOS管和N-MOS管组......
边阻抗无穷大,A点右边接三极管,阻抗相对左边来说是很低的,因此电流会全部往阻抗低的方向跑,流入三极管,造成电流过大,使器件永久性损坏。 关于MOS管 具体可以看我之前的文章《MOS管充放电原理》,介绍......
色圈内的波形,高低电平相反,我们把这种波形称为互补PWM波形。 图1 二、添加死区原因 上图1红圈里的互补PWM输出会造成问题的,首先,半导体器件内部都有结电容的,列如MOS管,MOS管导通,需要......

相关企业

;尹卫;;专营MOS及其他元器件
;JLDZ;;IC 芯片 MOS等电子元器件
-MOS器件、(500V-650V)SJ-MOS器件、(1200V-1350V)IGBT的工艺设计的技术优势奠定基础,构建更加环保、节能、安全的创新应用
;杭州嘉硕电子科技有限公司;;本公司主要经营二三极管,可腔硅,MOS管,IC等电子元器件,二三极管,可控硅,MOS管,IC等电子元器件等。本公司秉承“顾客至上,锐意进取”的经营理念,坚持“客户
;创辉电子有限公司;;电子元器件类,单片机,IGBT ,桥堆,三三极管,MOS 经营。
;深圳市东汇通科技有限公司;;IC,MOS管,二三极管等电子元器件
;羿烽科技有限公司;;本公司主要经营电源管理IC,MOS,ESD等电子元器件
;深圳奇华电子有限公司;;自己有生产防雷元器件、并代理二极管、MOS管等。
;锐意电子贸易公司;;专业代理MOS开关、电源管理元件等小型便携产品器件,厂价经销
;晶顺昌科技有限公司;;销售半导体器件.如:三极管,可控硅,MOS管,三端稳压管和部分IC