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研发客服特别是充电桩电路设计是否能够达到安全防护的目的，比如是否具有急停功能、过负荷保护、短路保护、漏电保护、防雷保护、过热保护、绝缘保护、电池反接、电池过压、电池故障等保护功能，而且要充电桩电路性能稳定可靠。
这里给大家分享几个快速、高效、安全、合理的充电桩电路图和充电桩电路设计方案。大家感兴趣的可以看看罗姆半导体的方案。
面向大功率Vienna PFC+LLC电路拓扑的方案
Vienna整流＋LLC构成了充电桩的基本电路。如果考虑设备成本，罗姆推荐使用硅器件、FRD（快恢复 二极管 ）方案；如果需要高功率密度和高效率，则推荐使用碳化硅 MOS/SBD方案。
PFC部分更适合使用碳化硅器件，理由有二：其一，高温时导通电阻增加较少，能实现高效率，同时可抑制发热，使用更小的散热板；其二，碳化硅器件的恢复损耗非常小， 开关 损耗较小，能够提高工作频率，有助于输入 线圈 的小型化。作为硅器件解决方案，也可以使用具有高速开关的罗姆SJ-MOSFET“R65xKN系列”以及IGBT“RGW系列”。
其次，对于LLC部分，罗姆通过高耐压1200V 碳化硅MOS来削减部件个数。通过将1200V 碳化硅MOS应用于LLC部分，可以将Stack型的LLC电路变更为下述Single型。具备高耐压、高速开关特点的碳化硅器件给Single LLC带来以下优点：
减少功率器件数量，节省空间，简化电路，降低故障率；
减少控制元件数量，简化驱动电路，减少MCU使用数、减少端口数。
碳化硅MOS可以实现Single LLC的优势
针对双向充电桩
面向三相B6-PFC电路拓扑的解决方案
罗姆针对双向充电桩的三相B6-PFC拓扑的方案使用1200V 碳化硅MOS，它具有以下优点：
受高温影响小；
高速恢复性能有助于可实现输入线圈、绝缘变压器的小型化；
抑制偏共振时的破坏风险。
20kW以下使用1200V开关 元器件 ，例如高效率的碳化硅MOSFET “SCT3xxxKx（1200V/17-95A）”或标准IGBT “RGSxxTSX2”。在20kW以上的应用中，可以选择全碳化硅 功率模块 “BSMxxxD1xPxCxxx/Exxx/Gxxx（1200-1700V/80-600A/Half-Bridge）”，实现双有源桥谐振变换器（绝缘双向DC-DC）。
针对充电桩二次电源系统的解决方案
针对充电桩系统中的二次部分（控制器，驱动部分），罗姆也有非常多的产品可供选择，其中在电源方面，有电源树形式的提案，从HV-DCDC到DCDC或LDO。
电源树形式的提案
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