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研发客服MOS管是电压控制电流器件，用栅极电压的变化控制漏极电流的变化。有P沟道MOS管和N沟道MOS管，SVG032R4NL5采用LVMOS工艺技术制造是100A、30VN沟道增强型场效应管，可兼容替代尼克森PKC26BB。
PKC26BB替代料SVG032R4NL5特点
■ 100A,30V,RDs(on)(典型值)=2.0mΩ @Vcs=10V
■ 低栅极电荷
■ 低反向传输电容
■ 开关速度快
■ 提升了dv/dt能力
■ 100%雪崩测试
■ 无铅管脚镀层
■ 符合RoHS环保标准
SVG032R4NL5N关键特性参数
SVG032R4NL5 100A、30VN沟道增强型场效应管采用PDFN56封装，具有100A、30V的电流、电压，RDS(on) = 2.0mΩtyp) ，封装、参数和PKC26BB基本一致，可兼容替代尼克森PKC26BB，广泛应用于不间断电源及逆变器系统的电源管理领域。
文章来源于:电子工程世界 原文链接
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