资讯
H桥电机驱动解析(2024-03-04)
面的典型电路图和最初的设计原理图中均可发现：该芯片在Vcc和VB脚之间接了一个二极管，在VB和VS之间接了一个电容。这便构成了一个自举电路。
作用：在高端和低端MOS管中提到过，由于负载（电机）相对......
MOS管开通过程的米勒效应及应对措施(2023-02-14)
始下降的比较快，纵向扩散完成后，变成横向扩散，GD电容变大，所以Vds下降的斜率变缓。那么米勒平台什么时候结束呢？米勒平台要想结束，必须进入线性区，不然继续在饱和区待下去，就会被和Id“绑”在一起，所以当MOS进入......
谈谈几种常用的MOSFET驱动电路(2024-04-22)
能力很多时候是不一样的，需要注意驱动能力是否足够；
②MOS管寄生电容
如图1中C1、C2的值。如果C1、C2的值比较大，MOS管导通的需要的能量就比较大，如果电源IC没有比较大的驱动峰值电流，那么......
MOS管驱动电流估算(2024-04-02)
要注意的是要用Qg来计算开启关断速度，而不是用栅极电容来计算。
下面讲讲MOS管开通过程
开始给MOS管Cgs充电，当电压升到5V时，Id流过一定的电流。继续充电，Id越来越大，但还没完全导通。当Id......
从内部结构到电路应用，这篇文章把MOS管讲透了。(2024-04-29)
于预先形成了不能导通的沟道，严格讲应该是耗尽型了，好处是明显的，应用时抛开了负电压。
解释7：寄生电容
上图的栅极通过金属氧化物与衬底形成一个电容，越是高品质的mos，膜越薄，寄生电容越大，经常mos管的寄生电容达到nF级，这个......
在ROS学习平台中常常使用到的直流电机控制原理与驱动电路(2023-09-18)
在驱动器设计过程中，我使用了12V电源作为MOS管的驱动，当MOS管导通时，MOS能够有很小的Rds,使MOS管有更大的通流能力。
电路中C7作为自举电容，当驱动H桥电路中的上桥臂时，由于上桥MOS管源......
MOS驱动好不好，波形一看就知道(2024-03-01)
基极提供一定的电流。
一般认为是电压驱动型，所以驱动MOS管，只需要提供一定的电压，不需要提供电流。
实际是这样吗？
由于MOS管的制作工艺，决定了本身GS之间有结电容以及GD之间有弥勒电容，DS也有寄生电容......
MOS管的导通条件和MOS驱动电流计算(2023-12-20)
开关时对于栅极的电流没有任何要求。 其实这样的理解是不正确的。 这里就需要再重新理解下MOS管的开关过程。我们需要引入MOS管的寄生电容与米勒效应。
图中的CGD和CGS和CDS都是mos管的寄生电容，它是由于mos管的......
三极管和MOS管下拉电阻的作用(2024-04-17)
三极管和MOS管下拉电阻的作用;关于本文引用地址：简单讲解一下，如果工作在饱和区（完全导通），Rce≈0，Vce≈0.3V，且这个0.3V，我们就认为它直接接地了。那么就需要让Ib大于等于1mA，若......
MOS管驱动电路设计(2023-09-30)
驱动好处是提升电流提供能力，迅速完成对于栅极输入电容电荷的充电过程。这种拓扑增加了导通所需要的时间，但是减少了关断时间，开关管能快速开通且避免上升沿的高频振荡。
加速关断驱动
MOS管一般都是慢开快关。在关......
NMOS和PMOS详解(2023-12-19)
极性晶体管相比，一般认为使MOS管导通不需要电流，只要GS电压高于一定的值，就可以了。这个很容易做到，但是，我们还需要速度。
在MOS管的结构中可以看到，在GS，GD之间存在寄生电容，而MOS管的......
输入冲击电流抑制电路设计(2023-08-09)
输入冲击电流抑制电路设计;在开关电源的输入端存在容量较大的电容，由于电容两端电压不能突变的特性，设备接通瞬间电容相当于短路，这就导致开关电源输入回路在接通瞬间有很大的冲击电流，当输......
60v mos管万代ao4264E/威兆VS6410AS替代料SVGP069R5NSA(2023-09-12)
■ 低栅极电荷
■ 低反向传输电容
■ 开关速度快
■ 提升了dv/dt能力
SVGP069R5NSA 14a 60v mos管参数
SVGP069R5NSA采用sop-8封装，具有14A......
三相直流无刷电机驱动电路图解(2023-04-25)
母线电压采样电路
霍尔编码器驱动电路
1.三相逆变全桥电路
三相逆变桥电路采用IR2101S加MOS驱动方式。IR2101S本身是半桥驱动，采用上桥跟下桥驱动方式，也就是一路驱动需要1个IR2101S和2......
基于STM32G474RBT6 MCU的数字控制3KW通信电源方案(2023-09-11)
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后级LLC转换部分，各主要功率器件的分布如下,结构非常紧凑：
12--高压MOS STW70N65DM6
13--谐振电感
14--谐振电容
15--主变压器
16--次级同步整流低压MOS
17......
这位大牛记录下了电路设计的全过程(2024-04-24)
而言，DCM 模式使得初级电流的RMS 增大，这将会增大MOS 管的导通损耗，同时会增加次级输出电容的电流应力。因此，CCM 模式常被推荐使用在低压大电流输出的场合，DCM 模式常被推荐使用在高压 小电......
锂电池充电及保护电路(2024-05-06)
电压固定于4.2V，充电电流最大支持800mA，并且自身的待机消耗电流只有2uA。
TP4054应用电路图
在TP4054充电管理芯片应用电路图中，大伙可以很清楚地观察到，整个电路设计的方案非常简洁，外围电路只有几个电阻电容......
30V MOS管N沟道PKC26BB替代料SVG032R4NL5(2023-09-26)
30V MOS管N沟道PKC26BB替代料SVG032R4NL5;MOS管是电压控制电流器件，用栅极电压的变化控制漏极电流的变化。有P沟道MOS管和N沟道MOS管，SVG032R4NL5采用......
基础知识之图像传感器(2024-03-12)
CCD图像传感器中，像素由p 掺杂 金属氧化物半导体(MOS)电容器表示。这些MOS 电容器是 CCD 的基本构建模块，在图像采集开始时偏置高于反转阈值，从而允许在半导体-氧化......
两步走 解决开关电源输入过压的烦恼！(2023-02-06)
入电压波动较大的情况下，应选择 450 V 的电解电容器。6. MOS 晶体管 Q1 的标称电压选择MOS 晶体管的电压应力 (Vmos) 等于：VIN 指的是输入电压，最大输入电压为 431 V......
超结MOS/低压MOS在微型逆变器上的应用(2023-10-23)
积聚能量；由于变压器的特点，副边电流i2经过二极管D3继续向电容C3充电并快速下降直至零，二极管D3关断。DC/DC(MPPT)开关管 MOS1 和MOS2 管推荐使用瑞森半导体低压MOS-SGT系列......
MOS管基础及选型指南(2024-03-20)
输入阻抗很大，容易受到外界信号的干扰，只要少量的静电，就能使G-S极间等效电容两端产生很高的电压，如果不及时把静电释放掉，两端的高压容易使MOS管产生误动作，甚至有可能击穿G-S极，起到......
基于双频技术建模测量高k电介质堆层中频率的相关性(2023-06-09)
上。高k薄膜和硅衬底间的界面层是～1nm的原始SiO2，由截面透射电子显微镜测得（没有示出）。用1100℃下干法氧化热生长的SiO2样品与高k叠层比较。MOS电容用Au栅热蒸发制造，有效面积为4.9x10......
电源设计必学电路之驱动篇(2024-04-22)
制核心输出低电平时，三极管Q1截止，电阻R3和R4对电源（V+）分压，MOS管导通并达到饱和状态。G极电压为:
2）推挽驱动电路
当电源IC驱动能力不足时可使用推挽驱动电路。推挽驱动电路能提升电流供给能力并能快速完成栅极输入电容......
RS瑞森半导体低压MOS在小家电的应用(2022-11-28)
RS瑞森半导体低压MOS在小家电的应用;
一、分类
MOSFET是集成电路中带有绝缘层的栅型场效应管，主要分为N沟道和P沟道两大类。其中N沟道MOS管电路中BEEP引脚......
矽力杰集成功率级DrMOS方案(2023-02-20)
的供电系统（VRM），输出电流大，要求具有快速瞬态响应特性，通常采用多相同步BUCK降压转换器。SQ29663通过高集成整合，将MOS管与驱动IC整合在一起，集成自举二极管，最大程度减少寄生电感、电容......
REASUNOS瑞森半导体高低压MOS在车载逆变器上的应用(2024-04-22)
荐使用瑞森半导体高压MOS系列。瑞森半导体高压MOS系列，超小内阻，结电容适中，散热性能好，高温漏电小，高温电压跌落小，广受市场好评。
......
加湿器工作原理与电路图(2023-01-13)
动采用图腾柱电路驱动，在MOS管的D端增加了一个RCD吸收电路，升压后的电压通过一个电容耦合到雾化片一端。
(2)雾化片一端接MOS管S端，S端串接采样电阻采样电流Icur，另一端通过滤波电路检测电压FB来追频，以......
电机驱动电路的两种设计方案解析(2023-01-12)
培!而且也有其可替代产品 BTN7970，它的驱动电流最大也能达七十几安!
其内部结构基本相同如下：
每片芯片的内部有两个 MOS 管，当 IN 输入高电平时上边的 MOS 管导通，常称为高边 MOS......
具备高功率因数性能的单级 AC-DC 拓扑结构(2023-10-24)
ZCS 模式下，二次侧的D8关闭。输出电容器C4开始放电，并为负载供电。
在上述操作状态的描述中，我们没有单独分析死区时间。实际上，当两个开关都关断时，电感器 L1的电流将通过MOS体二......
变频器的辅助电源设计(2023-08-25)
，IRCD为MOS管导通时RCD吸收电路产生的电流，可由下面吸收电路计算得到。
考虑到启动瞬间MOS管电压比正常工作时要高，所以选择1500V的MOS管，其损耗为
式中，
Co.Q——MOS管输出电容......
具备高功率因数性能的单级AC-DC拓扑结构(2023-10-24)
。输出电容器C4开始放电，并为负载供电。
在上述操作状态的描述中，我们没有单独分析死区时间。实际上，当两个开关都关断时，电感器 L1的电流将通过MOS体二极管继续流动，并对 MOSFET 电容器放电，从而......
ZS2934SL-24W电源适配器方案(2024-02-22)
品采用原边反馈控制机制.无需光耦和TL431即可实现高精度输出.恒流恒压精度达到正负4%以内.同时内部集成了高压MOS管.内部设计了无电容控制电路.无需外接补偿和采样滤波电容.同时......
MOS管防护电路解析实测(2023-12-20)
栅极与源极的阻抗很高，漏极与源极间的电压突变会通过极间电容耦合到栅极而产生相当高的栅源尖峰电压，此电压会使很薄的栅源氧化层击穿，同时栅极很容易积累电荷也会使栅源氧化层击穿，所以要在MOS管栅极并联稳压管(图中......
双通道隔离驱动在OBC上的典型应用(2023-05-26)
SiC MOS管的大量使用，在开关过程中会出现尖峰，这与电压电流的瞬态变化以及寄生参数 (电感、电容) 有关，特别是针对高频开关。在SiC MOS开通过程中，伴随很大的电压瞬变，即dv/dt，从而在寄生电容......
金升阳推出内置高压MOS管和高压启动的AC／DC电源控制芯片(2020-08-21)
金升阳推出内置高压MOS管和高压启动的AC／DC电源控制芯片;继推出5W和20W的开关电源控制IC后，为满足客户对更多功率段的需求，金升阳推出内置高压MOS管和高压启动的AC／DC电源......
ZS2935SL-36W电源适配器方案(2024-02-22)
品采用原边反馈控制机制.无需光耦和TL431即可实现高精度输出.恒流恒压精度达到正负4%以内.同时内部集成了高压MOS管.内部设计了无电容控制电路.无需外接补偿和采样滤波电容.同时......
【干货】抛开教材，从实用的角度聊聊MOS管(2022-11-29)
【干货】抛开教材，从实用的角度聊聊MOS管;我们把单片机的一个IO口接到这个的gate端口，就可以控制这个灯泡的亮灭了。当然别忘了供电。当这个单片机的IO口输出为高的时候，NMOS就等......
吉时利2450型触摸屏数字源表的性能特点及应用优势(2023-05-25)
吉时利2450型触摸屏数字源表的性能特点及应用优势;电容-电压（C-V）测量广泛用于测量半导体参数，尤其是MOS CAP和MOSFET结构，C-V 测试可以方便的确定二氧化硅层厚度dox、衬底......
一文看懂3D晶体管(2016-11-01)
在现今半导体制程已经缩小到了30nm以下的境界，有许多问题是不断发生的，也因此开发新材料或新型结构的晶体管就成了各家厂商努力的目标。
难题1 漏电流
理想的MOS晶体管除了少许拉动闸极电容......
从原理到实例：GaN为何值得期待？(2021-11-30)
管比SJ MOS有着更小的饱和电流以及更高的BV值，这也是受限于其芯片面积和无雪崩能力的特殊特性；同时更低的驱动电压和栅极电荷Qg，造就了其高频低损的优良开关特性。
图2 GaN&Si电容......
手把手教你制作高速吹风机(2024-03-27)
补偿算法，减小母线电解电容，降低高压电容成本，极致性价比。
· 双电阻采样，运行平稳，噪音小，FOC快速刹。
· 功率部分采用LKS1D500xD单相IPM-ESOP13封装，生产工艺简单，散热好，性价......
CCD 图像传感器 —— 颠覆人类记录影像的方式(2022-12-01)
质量就越高越清晰。CCD 上有许多排列整齐的电容，能感应光线、储存信号并将影像转变成数字信号。经由外部电路的控制，每个小电容能将其所带的电荷转给相邻的图像处理器来形成图像。
MOS 电容器是构成 CCD 的最......
ACM6753无霍尔传感器三相正弦波控制直流无刷电机BLDC马达驱动IC解决方案(2023-01-13)
市永阜康科技有限公司现在大力推广一颗三相无传感器正弦波驱动直流无刷-ACM6753，集成驱动算法+预驱+MOS，内置电流检测，外围元件仅需5个电容，应用极其简单。采用控制的正弦波驱动（支持单霍尔的应用），有助于降低振动与噪声，适用......
ACM6753 无霍尔传感器三相正弦波控制直流无刷电机BLDC马达驱动IC解决方案(2023-01-13)
市永阜康科技有限公司现在大力推广一颗三相无传感器正弦波驱动直流无刷马达驱动IC-ACM6753，集成驱动算法+预驱+MOS，内置电流检测，外围元件仅需5个电容，应用极其简单。采用无霍尔传感器控制的正弦波驱动（支持单霍尔的应用），有助......
ACM6753 无霍尔传感器三相正弦波控制直流无刷电机BLDC马达驱动IC解决方案(2023-01-13)
市永阜康科技有限公司现在大力推广一颗三相无传感器正弦波驱动直流无刷马达驱动IC-ACM6753，集成驱动算法+预驱+MOS，内置电流检测，外围元件仅需5个电容，应用极其简单。采用无霍尔传感器控制的正弦波驱动（支持单霍尔的应用），有助......
IU5925输入电流自适应及NTC功能，2A同步降压型1-2节超级电容充电管理IC(2024-03-21)
IU5925输入电流自适应及NTC功能，2A同步降压型1-2节超级电容充电管理IC;
IU5925T是一款支持1-2节超级电容充电管理IC。IU5925T集成功率MOS，采用同步开关架构，使其......
IGBT驱动电路介绍(2024-02-29)
这个过程与MOS管的过程略有不同，同时栅极电压也达到了米勒平台电压。
第3阶段：栅极电流对Cge和Cgc电容充电，这个时候VGE是完全不变的，值得我们注意的是Vce的变化非常快。
第4阶段：栅极......
STM32从入门到精通—Nucleo板卡的原理图(2023-02-23)
自己在命名的时候也要参考这种方案。
MOS管用很多不同的引脚同时输出，这是因为封装的引脚不一定能承受大电流，这样可以增加电流的可靠性。
VIN可以接受比较宽的范围，然后经过LD1117转换成5V。如果VIN没有输入，通过......
DC-DC电源测试哪些项目(2024-01-16)
纹波：
A.选择低ESR的电容。
B.加大电容容值。
C.优化电源布局布线。
D.提高开关频率。
抑制开关噪声：
A.SW加缓冲吸收电路。
B.外置MOS栅极串小阻值电阻，使开关边沿变缓。
C.内置MOS可以......
相关企业
;华联盛;;IR.FSC.AO.CET.TI.ON等品牌IC，MOS管 电容，电阻，二三级管
;深圳建荣电子有限公司;;Vishay 二极管，电阻，电容，TVS,MOS 等
;枫港电子有限公司;;杭州分公司，主营mos管 ic 电阻电容
;吴经理;;客我共赢：MOS场效应管、二、三极管、可控硅、电感、电容、电阻、IC等
;广信;;钽电容AXV.KEMET.NEC.TDK.专营贴片二三极管，电容电阻，发光管,MOS管（场效应管）专业原装长，ST先科，TO-92 CJ431 78L05 SS8050 SS8550
;深圳市泰科电子商行;;本公司是一家具有多年销售经验，〈SMD、独石陶瓷电容、钽电容、IC〉、〈DIP、SMD、二、三极管〉等电子元器件专业公司！ 本司现经营产品范围有： 一 SMD、《TDK系列电容
;金贤科达电子;;主营产品：集成电路,可控硅,场效应管,MOS管,二三极管,光耦,热敏电阻,保险管,电阻电容，钽电容等 。欢迎新老客户来电定货
;杨盛电子;;长期需求多种IC MOS管 二三极管 电容电阻 电感 变压器材 胶料等等
;朱贤生;;深圳市兴源电子经营部位于中国深圳市高科德电子市场一楼12860，深圳市兴源电子经营部是一家二三极管、电容电阻、IC、电感、发光管、MOS、可调电阻、可调电容
;正信电子;;本公司专业从事各类IC 二极管 三极管，mos管，电容器销售，现货供应不断货。