资讯
解析开关电源的冲击电流的几种控制方法(2024-06-10)
围加上少量元器件就可以做成冲击电流限制电路。
MOS管是电压控制器件，其极间电容等效电路如图8所示。
图8. 带外接电容C2的N型MOS管极间电容等效电路
MOS管的极间电容栅漏电容Cgd、栅源电容Cgs......
电源防反接电路笔记(2024-11-11 14:18:47)
这个值GS之间的结电容可能被击穿，导致MOS管损坏。
这个时候电流的流向可以从D到S，也可以从S到D，具体怎么流取决于D和S之间的电压差值。但是只要导通了，电流......
H桥电机驱动解析(2024-03-04)
面的典型电路图和最初的设计原理图中均可发现：该芯片在Vcc和VB脚之间接了一个二极管，在VB和VS之间接了一个电容。这便构成了一个自举电路。
作用：在高端和低端MOS管中提到过，由于负载（电机）相对......
MOS管开通过程的米勒效应及应对措施(2023-02-14)
始下降的比较快，纵向扩散完成后，变成横向扩散，GD电容变大，所以Vds下降的斜率变缓。那么米勒平台什么时候结束呢？米勒平台要想结束，必须进入线性区，不然继续在饱和区待下去，就会被和Id“绑”在一起，所以当MOS进入......
谈谈几种常用的MOSFET驱动电路(2024-04-22)
能力很多时候是不一样的，需要注意驱动能力是否足够；
②MOS管寄生电容
如图1中C1、C2的值。如果C1、C2的值比较大，MOS管导通的需要的能量就比较大，如果电源IC没有比较大的驱动峰值电流，那么......
MOS管驱动电流估算(2024-04-02)
要注意的是要用Qg来计算开启关断速度，而不是用栅极电容来计算。
下面讲讲MOS管开通过程
开始给MOS管Cgs充电，当电压升到5V时，Id流过一定的电流。继续充电，Id越来越大，但还没完全导通。当Id......
功率MOS管总烧毁，看看是不是这些原因？(2024-09-27 19:49:51)
两个相对 mos 管的控制信号重叠，则可能会出现两个mos 管同时导通的情况，这会使电源短路，也就是击穿条件。
如果发生这种情况，每次发生开关转换时，电源去耦电容......
MOS管驱动电路有几种，看完就明白了(2024-11-01 12:17:03)
能力很多时候是不一样的。
②了解MOS管的寄生电容，如图C1、C2的值，这个寄生电容越小越好。如果C1、C2的值比较大，MOS管导通的需要的能量就比较大，如果电源IC没有比较大的驱动峰值电流，那么......
从内部结构到电路应用，这篇文章把MOS管讲透了。(2024-04-29)
于预先形成了不能导通的沟道，严格讲应该是耗尽型了，好处是明显的，应用时抛开了负电压。
解释7：寄生电容
上图的栅极通过金属氧化物与衬底形成一个电容，越是高品质的mos，膜越薄，寄生电容越大，经常mos管的寄生电容达到nF级，这个......
电机驱动之PWM互补输出死区时间设定(2024-07-19)
色圈内的波形，高低电平相反，我们把这种波形称为互补PWM波形。
图1
二、添加死区原因
上图1红圈里的互补PWM输出会造成问题的，首先，半导体器件内部都有结电容的，列如MOS管，MOS管导通，需要......
世微宽电压 9-100V 2.6A 降压恒流驱动IC LED车灯方案(2024-05-11)
MOS 管的输入电容较大时，芯片工作 电流会增大，相应地应减小供电电阻取值。
◆VDD 旁路电容
VDD 引脚需要并联一个 0.47uF 以上的旁路电容。 PCB 布板的时候 VDD 电容......
浪涌电流是什么意思？如何抑制浪涌电流？4种浪涌电流抑制电路(2024-06-24)
远高于电路的稳态电流，高电流可能会损坏设备或触发断路器。浪涌电流通常出现在所有磁芯的设备中，如变压器、工业电压等。
二、为什么会出现浪涌电流？
产生浪涌电流的因素有很多，比如一些去耦电容或平滑电容......
MOS管子又炸，分享几种常见的MOS管驱动波形的判断(2024-10-16 11:40:39)
要提供电流。
实际是这样吗？
由于MOS管的制作工艺，决定了本身GS之间有结电容以及GD之间有弥勒电容，DS也有寄生电容，这使得MOS管的......
在ROS学习平台中常常使用到的直流电机控制原理与驱动电路(2023-09-18)
在驱动器设计过程中，我使用了12V电源作为MOS管的驱动，当MOS管导通时，MOS能够有很小的Rds,使MOS管有更大的通流能力。
电路中C7作为自举电容，当驱动H桥电路中的上桥臂时，由于上桥MOS管源......
MOS驱动好不好，波形一看就知道(2024-03-01)
基极提供一定的电流。
一般认为是电压驱动型，所以驱动MOS管，只需要提供一定的电压，不需要提供电流。
实际是这样吗？
由于MOS管的制作工艺，决定了本身GS之间有结电容以及GD之间有弥勒电容，DS也有寄生电容......
MOS管的导通条件和MOS驱动电流计算(2023-12-20)
开关时对于栅极的电流没有任何要求。 其实这样的理解是不正确的。 这里就需要再重新理解下MOS管的开关过程。我们需要引入MOS管的寄生电容与米勒效应。
图中的CGD和CGS和CDS都是mos管的寄生电容，它是由于mos管的......
三极管和MOS管下拉电阻的作用(2024-04-17)
三极管和MOS管下拉电阻的作用;关于本文引用地址：简单讲解一下，如果工作在饱和区（完全导通），Rce≈0，Vce≈0.3V，且这个0.3V，我们就认为它直接接地了。那么就需要让Ib大于等于1mA，若......
MOS管驱动电路设计(2023-09-30)
驱动好处是提升电流提供能力，迅速完成对于栅极输入电容电荷的充电过程。这种拓扑增加了导通所需要的时间，但是减少了关断时间，开关管能快速开通且避免上升沿的高频振荡。
加速关断驱动
MOS管一般都是慢开快关。在关......
NMOS和PMOS详解(2023-12-19)
极性晶体管相比，一般认为使MOS管导通不需要电流，只要GS电压高于一定的值，就可以了。这个很容易做到，但是，我们还需要速度。
在MOS管的结构中可以看到，在GS，GD之间存在寄生电容，而MOS管的......
电源防反接和防倒灌 - 使用MOS 管和运放实现理想二极管(2024-10-21 20:54:06)
文献
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旁路电容C5 是必要的，因为电荷泵需要一个对地交流阻抗较低的通路才能正常工作。如果没有C5，电荷泵的峰值电流可能从MOS 管的检测部分流过，导致比较器被错误触发，尤其是当MOS 管处......
输入冲击电流抑制电路设计(2023-08-09)
输入冲击电流抑制电路设计;在开关电源的输入端存在容量较大的电容，由于电容两端电压不能突变的特性，设备接通瞬间电容相当于短路，这就导致开关电源输入回路在接通瞬间有很大的冲击电流，当输......
60v mos管万代ao4264E/威兆VS6410AS替代料SVGP069R5NSA(2023-09-12)
■ 低栅极电荷
■ 低反向传输电容
■ 开关速度快
■ 提升了dv/dt能力
SVGP069R5NSA 14a 60v mos管参数
SVGP069R5NSA采用sop-8封装，具有14A......
几种常用的防反接电路(2024-06-05)
就像是一个开关闭合了，电流是从D到S或S到D都一样的电阻。
在实际应用中，G极一般串接一个电阻，为了防止MOS管被击穿，也可以加上稳压二极管。并联在上面的电容，有一个软启动的作用，在电......
三相直流无刷电机驱动电路图解(2023-04-25)
母线电压采样电路
霍尔编码器驱动电路
1.三相逆变全桥电路
三相逆变桥电路采用IR2101S加MOS驱动方式。IR2101S本身是半桥驱动，采用上桥跟下桥驱动方式，也就是一路驱动需要1个IR2101S和2......
基于STM32G474RBT6 MCU的数字控制3KW通信电源方案(2023-09-11)
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后级LLC转换部分，各主要功率器件的分布如下,结构非常紧凑：
12--高压MOS STW70N65DM6
13--谐振电感
14--谐振电容
15--主变压器
16--次级同步整流低压MOS
17......
EMI总不过？老师傅给了90种整改方法，轻轻松松！(2024-10-16 23:32:18)
电容后 EM 降下来了的话，就可在变压器初次级间加多几层胶纸。
9、将 MOS 管散热片接 MOS 管 S 极。
10、在输入端滤波电容上并联小容量高压瓷片或者高压贴片电容......
电源设计--DC/DC工作原理及芯片详解(2024-11-08 11:12:29)
电感两端产生一个瞬间高压，并且电感量越大该电压越高；
3、电容的基本方程为：
I(t)=dV(t)/(C*dt)
，当一电流流经电容时，电容两端电压逐渐增加，并且电容......
这位大牛记录下了电路设计的全过程(2024-04-24)
而言，DCM 模式使得初级电流的RMS 增大，这将会增大MOS 管的导通损耗，同时会增加次级输出电容的电流应力。因此，CCM 模式常被推荐使用在低压大电流输出的场合，DCM 模式常被推荐使用在高压 小电......
大牛多年研发电源问题汇总（受益匪浅）！(2024-11-14 22:46:54)
有几个简单的方法，不一定完全准确，可以参考，输入线套磁环若对EMC有好处，一般是原边MOS管，输出线套磁环若对EMC有效果，一般是副边输出整流管，尤其是大于100M的高频。
可以考虑在输出加电容......
锂电池充电及保护电路(2024-05-06)
电压固定于4.2V，充电电流最大支持800mA，并且自身的待机消耗电流只有2uA。
TP4054应用电路图
在TP4054充电管理芯片应用电路图中，大伙可以很清楚地观察到，整个电路设计的方案非常简洁，外围电路只有几个电阻电容......
MOS管在汽车LED 中的应用方案(2024-07-09)
MOS管在汽车LED 中的应用方案;LED汽车灯采用LED技术，提供外部照明和舒适光源。设计中需解决热极限、EMC等挑战。有源纹波补偿Buck电路是关键，可提升LED驱动电源的可靠性与寿命。选择......
30V MOS管N沟道PKC26BB替代料SVG032R4NL5(2023-09-26)
30V MOS管N沟道PKC26BB替代料SVG032R4NL5;MOS管是电压控制电流器件，用栅极电压的变化控制漏极电流的变化。有P沟道MOS管和N沟道MOS管，SVG032R4NL5采用......
电机控制器中的MOS驱动(2024-10-18 15:10:10)
机驱动电路
。
电机在运转过程中可能会遇到堵转而导致过流，因此MOS驱动电路需要具有保护功能，以防止烧坏控制器或电机。
对于单个NMOS来说，在开通时，需要提供瞬间大电流向MOS内的寄生电容......
基础知识之图像传感器(2024-03-12)
CCD图像传感器中，像素由p 掺杂 金属氧化物半导体(MOS)电容器表示。这些MOS 电容器是 CCD 的基本构建模块，在图像采集开始时偏置高于反转阈值，从而允许在半导体-氧化......
两步走 解决开关电源输入过压的烦恼！(2023-02-06)
入电压波动较大的情况下，应选择 450 V 的电解电容器。6. MOS 晶体管 Q1 的标称电压选择MOS 晶体管的电压应力 (Vmos) 等于：VIN 指的是输入电压，最大输入电压为 431 V......
一种高增益低噪声的图像探测器读出电路设计(2024-08-12)
结构
当Reset信号为高时，MOS开关开通，由运算放大器的虚短特性可知，输入端的电压与Vref相等，此时积分电容两端电压相等，都为Vref。当reset信号变为低电平时，MOS开关关断，由于......
超结MOS/低压MOS在微型逆变器上的应用(2023-10-23)
积聚能量；由于变压器的特点，副边电流i2经过二极管D3继续向电容C3充电并快速下降直至零，二极管D3关断。DC/DC(MPPT)开关管 MOS1 和MOS2 管推荐使用瑞森半导体低压MOS-SGT系列......
SW与电感之间的铺铜面积越大越好吗？(2024-06-20)
SW与电感之间的铺铜面积越大越好吗？;开关电源是以功率MOS为核心的电能变换器，除了芯片自身的参数会对电能质量产生较大影响外，PCB的设计也是非常重要。本文引用地址：
今天，我们将以简单的Buck......
MOS管基础及选型指南(2024-03-20)
输入阻抗很大，容易受到外界信号的干扰，只要少量的静电，就能使G-S极间等效电容两端产生很高的电压，如果不及时把静电释放掉，两端的高压容易使MOS管产生误动作，甚至有可能击穿G-S极，起到......
电源设计必学电路之驱动篇(2024-04-22)
制核心输出低电平时，三极管Q1截止，电阻R3和R4对电源（V+）分压，MOS管导通并达到饱和状态。G极电压为:
2）推挽驱动电路
当电源IC驱动能力不足时可使用推挽驱动电路。推挽驱动电路能提升电流供给能力并能快速完成栅极输入电容......
基于双频技术建模测量高k电介质堆层中频率的相关性(2023-06-09)
上。高k薄膜和硅衬底间的界面层是～1nm的原始SiO2，由截面透射电子显微镜测得（没有示出）。用1100℃下干法氧化热生长的SiO2样品与高k叠层比较。MOS电容用Au栅热蒸发制造，有效面积为4.9x10......
一种低电压、低功耗模拟电路设计方案(2024-07-23)
级的输出端和输入端连接在一起，在第二级中补偿电容实际作为密勒电容使用。
通过提供足够的栅源电压值使场效应管导通，衬底驱动MOS晶体管即以耗尽型器件的原理工作，通过施加在衬底端的输入电压调制流经晶体管的电流，完成......
RS瑞森半导体低压MOS在小家电的应用(2022-11-28)
RS瑞森半导体低压MOS在小家电的应用;
一、分类
MOSFET是集成电路中带有绝缘层的栅型场效应管，主要分为N沟道和P沟道两大类。其中N沟道MOS管电路中BEEP引脚......
REASUNOS瑞森半导体高低压MOS在车载逆变器上的应用(2024-04-22)
荐使用瑞森半导体高压MOS系列。瑞森半导体高压MOS系列，超小内阻，结电容适中，散热性能好，高温漏电小，高温电压跌落小，广受市场好评。
......
矽力杰集成功率级DrMOS方案(2023-02-20)
的供电系统（VRM），输出电流大，要求具有快速瞬态响应特性，通常采用多相同步BUCK降压转换器。SQ29663通过高集成整合，将MOS管与驱动IC整合在一起，集成自举二极管，最大程度减少寄生电感、电容......
加湿器工作原理与电路图(2023-01-13)
动采用图腾柱电路驱动，在MOS管的D端增加了一个RCD吸收电路，升压后的电压通过一个电容耦合到雾化片一端。
(2)雾化片一端接MOS管S端，S端串接采样电阻采样电流Icur，另一端通过滤波电路检测电压FB来追频，以......
电机驱动电路的两种设计方案解析(2023-01-12)
培!而且也有其可替代产品 BTN7970，它的驱动电流最大也能达七十几安!
其内部结构基本相同如下：
每片芯片的内部有两个 MOS 管，当 IN 输入高电平时上边的 MOS 管导通，常称为高边 MOS......
具备高功率因数性能的单级 AC-DC 拓扑结构(2023-10-24)
ZCS 模式下，二次侧的D8关闭。输出电容器C4开始放电，并为负载供电。
在上述操作状态的描述中，我们没有单独分析死区时间。实际上，当两个开关都关断时，电感器 L1的电流将通过MOS体二......
直流电动机的工作原理简述 直流电机工作原理图 直流电机有几种类型(2024-07-12)
机、压缩机、轧钢机以及小型、微型仪器设备或者充当控制元件。其中三相同步电动机是其主体。此外，还可以当调相机使用，向电网输送电感性或者电容性无功功率。
Chapter 03
H桥电路分析
以MOS管搭......
变频器的辅助电源设计(2023-08-25)
，IRCD为MOS管导通时RCD吸收电路产生的电流，可由下面吸收电路计算得到。
考虑到启动瞬间MOS管电压比正常工作时要高，所以选择1500V的MOS管，其损耗为
式中，
Co.Q——MOS管输出电容......
相关企业
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;深圳建荣电子有限公司;;Vishay 二极管，电阻，电容，TVS,MOS 等
;枫港电子有限公司;;杭州分公司，主营mos管 ic 电阻电容
;吴经理;;客我共赢：MOS场效应管、二、三极管、可控硅、电感、电容、电阻、IC等
;广信;;钽电容AXV.KEMET.NEC.TDK.专营贴片二三极管，电容电阻，发光管,MOS管（场效应管）专业原装长，ST先科，TO-92 CJ431 78L05 SS8050 SS8550
;深圳市泰科电子商行;;本公司是一家具有多年销售经验，〈SMD、独石陶瓷电容、钽电容、IC〉、〈DIP、SMD、二、三极管〉等电子元器件专业公司！ 本司现经营产品范围有： 一 SMD、《TDK系列电容
;金贤科达电子;;主营产品：集成电路,可控硅,场效应管,MOS管,二三极管,光耦,热敏电阻,保险管,电阻电容，钽电容等 。欢迎新老客户来电定货
;杨盛电子;;长期需求多种IC MOS管 二三极管 电容电阻 电感 变压器材 胶料等等
;朱贤生;;深圳市兴源电子经营部位于中国深圳市高科德电子市场一楼12860，深圳市兴源电子经营部是一家二三极管、电容电阻、IC、电感、发光管、MOS、可调电阻、可调电容
;正信电子;;本公司专业从事各类IC 二极管 三极管，mos管，电容器销售，现货供应不断货。