应用信息

◆输出电流

输出电流由芯片内部的误差放大器采样并且和内部 的基准电压进行比较以及误差放大，从而实现系统 的恒流控制，输出电流公式如下: Iout=176mV/RCS

◆芯片工作

系统上电后通过启动电阻对连接于电源引脚 VDD 的电容充电，当电源电压高于 3.4V 后，芯片电路 开始工作，直到 VDD 端口电压稳定达到钳位电压 5.4V 左右，芯片的供电电流主要有 VDD 端口接入 的电阻 RVDD 提供。

◆电感选择

为了确保恒流精度，需要选择合适的电感，使得电感 工作在连续电流模式， 电感的临界值为： 为保证系统的输出恒流特性，应用当中电感值的选择 要大于 LBCM ，电感电流应工作在连续模式。

◆MODE 设置

功能 MODE

全亮 悬空

半亮 VDD

◆过温保护

芯片内置了智能过温保护电路，随着温度的升高，逐 渐降低输出电流，既能防止温度过高烧毁电路，又能 防止突然关闭电流引起照明异常。

◆续流二极管

注意续流二极管的额定平均电流应大于流过二极管 的平均电流。平均电流计算公式如下：

注意，二极管应具有承受反向峰值电压的能力。建议 选择反向额定电压大于 VIN 的二极管。为了提高 效率，建议选择快恢复的肖特基二极管。

◆VDD 供电电阻

芯片主要是通过一个供电电阻 RVDD 到芯片 VDD 提供芯片的工作电流，通常情况下，VDD 满足

VDDVINIDRVDD

公式中可以看出，RVDD 过大会导致系统供电不足， 过小则会导致功耗过大、芯片过热。IVDD 典型值取 2mA。如果 MOS 管的输入电容较大时，芯片工作 电流会增大，相应地应减小供电电阻取值。

◆VDD 旁路电容

VDD 引脚需要并联一个 0.47uF 以上的旁路电容。 PCB 布板的时候 VDD 电容需要紧挨着端口布局。

◆MOS 管选择

MOS 管耐压选择要高于 输入电压的 1.2 倍以 上； MOS 管电流 IDS 选择一般要求是电感最大峰值 电流的 2 倍以上。MOS 管的导通电阻 RDSON 越 小，损耗在 MOS 管上的功率也越小，系统转换的 效率越高。MOS 管阈值电压 VGS 要选择较低的阈 值电压值，芯片的电源工作电压决定了 DRV 驱动电 压，通常芯片的 驱动电压为 5.4V，所以要保证 MOS 管在 VGS 等于 5.4V 时能完全导通。

◆PCB 设计注意事项

1：芯片 SW 端与续流二极管、功率电感的布线覆铜 尽可能长度短、线宽大。 2：芯片 SW 端与 CS 检流电阻的布线覆铜，CS 检 流电阻与输入电容 GND 的布线覆铜，都应尽可能 长 度短、线宽大。 3：芯片的 VDD 电容靠近芯片布局，VDD 电容的 GND 端与 CS 检流电阻 GND 端保持单点连接。 4：系统的输入电容尽可能靠近 AP5125 系统布局， 保证输入电容达到最好的滤波效果。

电源芯片特点

◆宽输入电压范围：9V～100V

◆固定工作频率：140KHZ

◆可设定电流范围：10mA～6000mA

◆内置抖频电路，降低对其他设备的 EMI 干扰

◆平均电流模式采样，恒流精度更高

◆CS 电压：176mV

◆输出短路保护

◆过温保护

◆功能模式：全亮/半亮

◆内置稳压管

◆SOT23-6 封装

应用领域

◆电动车，摩托车灯照明

◆汽车灯照明

◆手电筒

芯片应用原理图：

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