防反接电路的用处很容易理解,实现也相对简单,但是防倒灌电路则可能到用到的时候才会发现有点复杂。比方说,一个东西既支持用PD 供电输入20V,又可以直接DC 输入24V,USB 5V 供电时也能亮,还允许插着DC 供电的同时插着USB 线连接上位机,并且传输数据的USB 接口和PD 供电接口是同一个,这时问题就出现了, DC 24V 可能会通过USB 的VBUS 直冲上位机 。
最万无一失、最豪华的方案可能是给VBUS 上串一个隔离变压器,先逆变再变回DC,这样一来有变压器挡着,后级电压绝对跑不到上位机去。说不定有些地方就是这么做的,只不过太豪华了。最贫穷的就是直接串个二极管,和最简单的防反接电路一样,但是当VBUS 需要在PD 模式下承担功率时问题就复杂了,二极管的功耗不可接受。一种方案是所谓的理想二极管,就是功能和二极管一样,可以反向截止,实现防反接和防倒灌保护,又没有二极管的正向压降。只不过专用的理想二极管芯片太贵了,赶得上一片STM32,规格也太高,车规、上百伏电压什么的。下面找了几篇和分立器件搭理想二极管相关的文档摘录翻译一下。
Reverse Current Protection Using MOSFET and Comparator to Minimize Power Dissipation
使用MOSFET 和比较器实现反向电流保护,从而减小功耗。
反向电流的定义
反向电流是指负载端试图将电流倒灌回电源。这种现象可能在电源电压突然降低或者完全消失的时候发生,以及当电源连接时,负载端的退耦、旁路电容或者电池也可能使电流倒灌。此外,负载端电压可能超过电源端,这也会导致反向电流,比如存在感性负载导致的反向电压,或者由失效的电池充电电路外泄的电压。
注:当然也可能出现在并联多个电源的时候,一个电源往另一个电源嘴里塞
基于比较器的反向电流保护
如图1 所示,一个比较器输入端跨接在MOSFET 两端,从而检测电路中电流的方向:
注:这里NMOS 的用法和防反接电路里的PMOS 类似,都是让体二极管方向和电流方向相同。用前面的电荷泵实现NMOS 高边驱动
在正常的正向电流情况下,由于MOS 管的导通电阻 R d s ( o n ) R_{ds(on)} R d s ( o n ) ,MOS 管的源极到漏极会存在一个轻微的压降,使漏极电压低于源极。比较器检测的就是这个压降。当电流反向,漏极的电压将会高于源极,比较器检测到这种情况,然后输出低电平,使MOS 管关断,从而断开负载。
注:MOS 管具有双向导电性,已经开启的MOS 管上电流可以双向流动,和BJT 三极管不同。
MOS 管导通时两端能产生的压降不过数十毫伏,共地连接的比较器需要精心设计输入电压偏置电路,使共模输入电压保持在比较器的工作参数范围内。这个附加的偏置电路也会增加噪声和漂移,影响对小信号的检测。
为了消除偏置电路引入的噪声和漂移,同时还能提供足够的电流用来驱动MOS 管,比较器的公共端(接地端)悬空连接到电源电压( V B A T T V_{BATT} V B A T T ),于是输入端和输出端都能直接连接到MOS 管上。
注:接地端接到电源电压,运放的共模输入电压以电源正端为参考,等于给输入加了一个负的偏置
此时要让比较器能工作,需要给它提供高于 V B A T T V_{BATT} V B A T T 的供电电压。比较器的供电电压(电源正端到接地端的压差)不能太低,否则无法驱动MOS 管使其完全导通,但是也不能高于MOS 管的栅极最高电压 V G S ( m a x ) V_{GS(max)} V G S ( m a x ) 。对于大部分MOS 管,5V 是个不错的栅极驱动电压。
要生成这个高于 V B A T T V_{BATT} V B A T T 的电压用来驱动比较器和MOS 管,这里使用了一个电荷泵。给电荷泵电路输入一个方波信号就能输出高于 V B A T T V_{BATT} V B A T T 的DC 电压。由于电荷泵的输入是一个电容,也就是交流耦合的,所以允许使用一个基于地电平的振荡器作为信号源。完整电路如下图:
注:左边555 输出方波,加上D2、C2、D3、C3 就组成所谓的迪克森电荷泵。R2 和C4 是RC 滤波,Z1 用来给运放稳压
比较器放在MOS 管旁边检测 V D S V_{DS} V D S 电压。为了最小化 V B A T T V_{BATT} V B A T T 线上的噪声或瞬态影响,比较器电路悬空放在 V B A T T V_{BATT} V B A T T 上。这消除了共模抑制的问题,也不再需要一个会造成信号减速和衰减的输入偏置电路。
注:原文这里写了一大段介绍电荷泵的原理,简直和写论文水字数一样~ 就不翻译了,想知道的可以去搜个视频讲解看看,绝对比干看文字舒服
比较器反相输入端的二极管D4A,D4B( BAT54A 是双肖特基二极管 ) 和电阻R5 用来将反相输入电压钳位到 V B A T T ± 300 V_{BATT} pm 300 V B A T T ± 3 0 0 mV。如果反相输入端被拉低到小于 V B A T T V_{BATT} 文章来源于:电子工程师笔记 原文链接