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研发客服在实际的电路应用中，有时会遇到电流倒灌现象，今天我们就来分享三个PMOS防倒灌电路。
我们来看这个电路：控制信号G_CTRL控制VB4.2+给VCC_OUT供电。
在这里，源漏极两端没有接反，电阻R2的作用是为了控制栅极电流时不会太大，R3控制栅极的常态。
将R3上拉为高时，Pmos截止。
这个电路也可以看成是对控制信号的上拉，当MCU内部的管脚没有上拉时，此时的输出为开漏，PMOS无法驱动关闭。
那么就需要外部电压的上拉了，这时R3就起到了两个作用。
第二个电路：
这个电路不仅可以防倒灌，还可以实现防反接保护功能。
当电源接反时，PMOS不导通，后级电路断开。
在这里加入了一个稳压管，是为了保护MOS管。
除了上面两个电路，实际应用中我们还可以连接两个MOS管进行背靠背防倒灌。
当控制端为高电平时，三极管Q9导通，Q3和Q4的栅极被拉低到0V，Q3通过体二极管导通，接着Q4导通，负载端得到Vin电压。
当控制端为低电平，三极管Q9断开，Q3与Q4不导通，并且完全关断，由于3与Q4的体二极管是反向串联的，所以无论那个方向都是不通的，实现了防倒灌。
不过要注意，这个电路可能需要一个IO来控制。
文章来源于:电子工程师笔记 原文链接
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