MOS电容器是由三层组成的两端器件：金属栅电极、隔离绝缘体（通常是氧化物层）和称为主体的半导体层。MOS电容器的电容取决于施加到栅极端子的电压。当施加栅极电压时，主体通常接地。MOS电容器本身并没有被广泛使用，但它是MOS晶体管的一部分，MOS晶体管是迄今为止使用最广泛的半导体器件。MOS晶体管中的寄生电容是由于结构内不同区域的移动电荷分离而形成的。这些电容是电路中不需要的元件，在低频工作时被忽略，但在高频（如RF和微波范围）工作时无法避免。KYOCERA AVX为RF、微波和GHz范围的应用提供MOS电容器。MOS电容器使用二氧化硅生产小、高Q值、温度稳定、高击穿电压、低泄漏的电容器。
延伸阅读
资讯
在ROS学习平台中常常使用到的直流电机控制原理与驱动电路(2023-09-18)
在驱动器设计过程中，我使用了12V电源作为MOS管的驱动，当MOS管导通时，MOS能够有很小的Rds,使MOS管有更大的通流能力。
电路中C7作为自举电容，当驱动H桥电路中的上桥臂时，由于上桥MOS管源......
安捷伦推出面向功率电路设计的功率器件电容分析仪(2014-07-11)
安捷伦推出面向功率电路设计的功率器件电容分析仪;安捷伦科技公司日前宣布推出业界首款能够自动表征实际工作电压下功率器件节点电容的功率器件电容分析仪。
随着新材料（SiC 和 GaN 等）功率器件......
高速吹风筒方案硬件电路特点【高速风筒PCBA】(2024-02-21)
往往成为核心竞争要素。尤其在电子产品领域，同质化严重，价格战几乎成为唯一的生存策略。
高速吹风筒市场发展至今，也不例外。初始时，PCB板的成本高昂，但现在已降至十多元，各元器件的成本被不断压缩，甚至包括MOS管参......
蓝牙降噪耳机设计实战篇（二）(2023-06-19)
蓝牙降噪耳机设计实战篇（二）;第二章 电路设计
上一章讲完了方案立项，这一章就进入电路设计了，电路设计有几项基本工作要做：
收集所有新用到的电子元器件的规格书，并仔细了解元器件......
解析开关电源的冲击电流的几种控制方法(2024-06-10)
就可以做成冲击电流限制电路。
MOS管是电压控制器件，其极间电容等效电路如图8所示。
图8. 带外接电容C2的N型MOS管极间电容等效电路
MOS管的极间电容栅漏电容Cgd、栅源电容Cgs......
基于STM32的四旋翼飞行器的控制系统(2023-04-06)
料的应用和电池技术的研究。
本文以ARMCortex-M3架构的STM32C8T6作为飞行器控制处理器，以MPU-6050作为飞行器的姿态传感器，以低功耗2.4GHz的nRF24L01作为无线传输器件，以HC-RS04......
三极管和MOS管下拉电阻的作用(2024-04-17)
边阻抗无穷大，A点右边接三极管，阻抗相对左边来说是很低的，因此电流会全部往阻抗低的方向跑，流入三极管，造成电流过大，使器件永久性损坏。
关于MOS管
具体可以看我之前的文章《MOS管充放电原理》，介绍......
电机驱动之PWM互补输出死区时间设定(2024-07-19)
色圈内的波形，高低电平相反，我们把这种波形称为互补PWM波形。
图1
二、添加死区原因
上图1红圈里的互补PWM输出会造成问题的，首先，半导体器件内部都有结电容的，列如MOS管，MOS管导通，需要......
从内部结构到电路应用，这篇文章把MOS管讲透了。(2024-04-29)
于预先形成了不能导通的沟道，严格讲应该是耗尽型了，好处是明显的，应用时抛开了负电压。
解释7：寄生电容
上图的栅极通过金属氧化物与衬底形成一个电容，越是高品质的mos，膜越薄，寄生电容越大，经常mos管的寄生电容达到nF级，这个......
常用的电平转换方案分享(2024-03-19)
常用的电平转换方案分享;前段时间在设计NB-IOT模块与STM32的硬件通讯时用到了电平转换。当主控芯片引脚电平与外部连接器件电平不匹配的时候就需要用电平转换电路来进行转换。这几......
碳化硅器件动态特性测试技术剖析(2023-01-10)
运行的棘手问题和限制充分发挥其高开关速度的主要障碍之一。所以我们认为串扰特性应该算作碳化硅器件动态特性的一部分，这既能体现开关过程的影响，又能体现现阶段碳化硅器件相对于硅器件的特殊性。
最后，在整流输出和MOS-Diode桥式......
碳化硅器件动态特性测试技术剖析(2023-01-10)
动态特性的一部分，这既能体现开关过程的影响，又能体现现阶段碳化硅器件相对于硅器件的特殊性。
最后，在整流输出和MOS-Diode桥式电路中往往都会出现SiC Diode或......
MOS管的导通条件和MOS驱动电流计算(2023-12-20)
进行判断。
**3. 关于MOS管开启时，对于栅极的电流是否有要求呢？**
这个问题主要是很多时候的很多同学，都会提出反驳的意见。根据课本上学习的知识，MOS管是电压型控制器件，所以......
基于STM32G474RBT6 MCU的数字控制3KW通信电源方案(2023-09-11)
.
后级LLC转换部分，各主要功率器件的分布如下,结构非常紧凑：
12--高压MOS STW70N65DM6
13--谐振电感
14--谐振电容
15--主变压器
16--次级同步整流低压MOS
17......
两步走 解决开关电源输入过压的烦恼！(2023-02-06)
入电压波动较大的情况下，应选择 450 V 的电解电容器。6. MOS 晶体管 Q1 的标称电压选择MOS 晶体管的电压应力 (Vmos) 等于：VIN 指的是输入电压，最大输入电压为 431 V......
60v mos管万代ao4264E/威兆VS6410AS替代料SVGP069R5NSA(2023-09-12)
60v mos管万代ao4264E/威兆VS6410AS替代料SVGP069R5NSA;MOS管是电压控制电流器件，用栅极电压的变化控制漏极电流的变化，N沟道增强型功率MOS场效......
电源设计必学电路之驱动篇(2024-04-22)
的浮动接地驱动电路为自举驱动电路，它通过电平位移电路连接驱动电路与器件接地参考控制信号。自举电容器 CBST、图腾柱双极驱动器和常规栅极电阻器都可作为电平位移电路。此外，一些驱动芯片已内置自举电路，可直接将自举信号接入功率器件......
输入冲击电流抑制电路设计(2023-08-09)
接通后后端开关电源正常工作时，MOS管开通，水泥电阻被切出主功率回路，降低损耗。
优缺点分析：
三、小结
输入冲击电流抑制电路方案汇总：
从以上四种常用电路方案的原理以及优缺点分析来看，方案一以及方案二元器件数量少、原理......
浪涌电流是什么意思？如何抑制浪涌电流？4种浪涌电流抑制电路(2024-06-24)
远高于电路的稳态电流，高电流可能会损坏设备或触发断路器。浪涌电流通常出现在所有磁芯的设备中，如变压器、工业电压等。
二、为什么会出现浪涌电流？
产生浪涌电流的因素有很多，比如一些去耦电容或平滑电容......
一文读懂硬件设计的工作流程(2024-05-07)
项目实战经验。本文引用地址：设计一款电路，要熟悉元器件的基础理论，比如元器件原理、选型及使用，学会绘制原理图，并通过软件完成PCB设计，熟练掌握工具的技巧使用，学会如何优化及调试电路等。要如......
30V MOS管N沟道PKC26BB替代料SVG032R4NL5(2023-09-26)
30V MOS管N沟道PKC26BB替代料SVG032R4NL5;MOS管是电压控制电流器件，用栅极电压的变化控制漏极电流的变化。有P沟道MOS管和N沟道MOS管，SVG032R4NL5采用......
RS瑞森半导体低压MOS在小家电的应用(2022-11-28)
按导电方式也可将MOS管分为耗尽型与增强型，如下图所示：
二、产品应用及特点
低压MOS管的器件主要应用于家电领域，如：榨汁机、果汁杯、暖奶瓶、打蛋器、吸尘器等。
产品特点：成熟的Trench设计......
MOS管基础及选型指南(2024-03-20)
Rds(on)参数，导通内阻越小，NMOS管的损耗越小，一般NMOS管的导通内阻都是在mΩ级别。
5、开关时间
MOS作为开关器件，就会有开关时间概念，在高速电路中，尽可能选择输入、输出电容Ciss......
MOS管防护电路解析实测(2023-12-20)
MOS管防护电路解析实测;自身拥有众多优点，但是MOS管具有较脆弱的承受短时过载能力，特别是在高频的应用场合，所以在应用对必须为其设计合理的保护电路来提高器件的可靠性。本文引用地址：
保护......
《汽车芯片标准体系建设指南》技术解读与功率芯片测量概览(2024-03-06)
10 kV)、大电流 (数千安培)、栅极电荷以及连接电容表征和器件温度特征和 GaN器件电流崩溃效应测量功能十分必要，是推动新器件尽快上市的重要保证，静态参数测试的器件类型和项目主要包括：
器件......
NMOS和PMOS详解(2023-12-19)
极性晶体管相比，一般认为使MOS管导通不需要电流，只要GS电压高于一定的值，就可以了。这个很容易做到，但是，我们还需要速度。
在MOS管的结构中可以看到，在GS，GD之间存在寄生电容，而MOS管的......
从原理到实例：GaN为何值得期待？(2021-11-30)
特性对比
从器件的电容上看到， SJ MOSFET的电容在50V内非线性特征明显，同时整体的电容值要比GaN器件大很多（结电容是GaN的3倍）。这是因为，二维电耦合型的SJ器件虽然比平面MOS拥有着更小的器件......
一种低电压、低功耗模拟电路设计方案(2024-07-23)
级的输出端和输入端连接在一起，在第二级中补偿电容实际作为密勒电容使用。
通过提供足够的栅源电压值使场效应管导通，衬底驱动MOS晶体管即以耗尽型器件的原理工作，通过施加在衬底端的输入电压调制流经晶体管的电流，完成......
影响纯正弦波逆变器寿命的成分有什么？(2024-09-11)
寿命、设计和安装综合因素方面深度解析影响逆变器寿命的因素。
1、元器件寿命
逆变器从广义上面属于开关电源，所以其组成器件基本上可以分为电阻、电容、二极管、功率器件（IGBT或者MOS管）、电感......
一种高增益低噪声的图像探测器读出电路设计(2024-08-12)
结构
当Reset信号为高时，MOS开关开通，由运算放大器的虚短特性可知，输入端的电压与Vref相等，此时积分电容两端电压相等，都为Vref。当reset信号变为低电平时，MOS开关关断，由于......
Vishay的新款交流滤波薄膜电容器可在高湿环境下持续稳定工作(2021-05-06)
下测试长达56天—器件电气性能未发生变化。
日前发布的电容器恶劣环境条件下工作时，确保容量和ESR值稳定，使用寿命周期长。与上一代器件相比，在相同封装尺寸的情况下，MKP1847C交流滤波系列电容......
双运放电流源的基本操作(2024-01-03)
与温度的关系。
图 8：45 mOhm CoolSiC? MOSFET 的典型器件电容与漏极-源极电压（左）和相关开关能量（右）与漏极电流的函数关系（VGS = 15 / -5 V，RGext......
基于双频技术建模测量高k电介质堆层中频率的相关性(2023-06-09)
基于双频技术建模测量高k电介质堆层中频率的相关性;C-V测量是测定MOS器件特性的主要方法，它广泛地应用于半导体材料的研究中。C-V测量时常常在SiO2中观察到有害的频率离散。用于......
Vishay推出B和C外壳代码新产品扩充EP1高能量密度湿钽电容器(2020-09-21)
其EP1湿钽电容器，满足国防和航空航天应用的需求。电容器每款电压等级和外形尺寸器件的容量达到业内最高水平，提供径向通孔或表面贴装端头，有A、B和C三种外壳代码，每种均可选择螺栓固定，从而......
基础知识之图像传感器(2024-03-12)
何工作的？
2.1 电荷耦合器件( CCD )
电荷的产生：电荷耦合器件( CCD ) 是包含一系列链接或耦合电容器的集成电路。在外部电路的控制下，每个电容器都可以将其电荷转移到相邻的电容器。在......
H桥电机驱动解析(2024-03-04)
面的典型电路图和最初的设计原理图中均可发现：该芯片在Vcc和VB脚之间接了一个二极管，在VB和VS之间接了一个电容。这便构成了一个自举电路。
作用：在高端和低端MOS管中提到过，由于负载（电机）相对......
MOS管开通过程的米勒效应及应对措施(2023-02-14)
始下降的比较快，纵向扩散完成后，变成横向扩散，GD电容变大，所以Vds下降的斜率变缓。那么米勒平台什么时候结束呢？米勒平台要想结束，必须进入线性区，不然继续在饱和区待下去，就会被和Id“绑”在一起，所以当MOS进入......
第8章 单片机系统扩展设计(2024-08-09)
第8章 单片机系统扩展设计;系统接口扩展技术
存储器扩展技术
输入输出（I/O）和中断扩展技术
MCS-51单片机并行接口基本方法
单片机与片外并行器件接口设计有两个任务：硬件电......
REASUNOS瑞森半导体高低压MOS在车载逆变器上的应用(2024-04-22)
升压电路(防反接)+控制电路（推挽式）
在DC-DC升压电路中，选用MOSFET作为开关器件，场效应管所需承受的最大电压约为20-30V左右，选型时MOS管的最大耐受电压应留有余量一般会选择40V以上......
Vishay推出新款高压汽车级铝电容，可提高设计灵活性，并增强系统稳定性(2020-05-06)
Vishay推出新款高压汽车级铝电容，可提高设计灵活性，并增强系统稳定性;表面贴装器件电压高达450 V ，可在+125℃温度下工作，使用寿命长达6,000小时，适用......
电机驱动电路的两种设计方案解析(2023-01-12)
是最便宜的，如图所示自举电路给一只电容器充电，电容器上的电压基于高端输出晶体管源极电压上下浮动。
图中的D和C2是IR2104在PWM应用时应严格挑选和设计的元器件,根据一定的规则进行计算分析;并在......
SW与电感之间的铺铜面积越大越好吗？(2024-06-20)
路径损耗。
另一方面，和功率MOS直接相连的铺铜，也承担着器件散热的角色。我们知道，散热能力往往会成为电源芯片输出能力的瓶颈。由于芯片pin脚的导热性较好，芯片内核到PCB的热......
吉时利2450型触摸屏数字源表的性能特点及应用优势(2023-05-25)
这类测量中使用的交流信号频率在10KHz 到10MHz 之间。所加载的直流偏压用作直流电压扫描，扫描过程中测试待测器件待测器件的交流电压和电流，从而计算出不同电压下的电容值。
C-V测试系统
LCR表与待测件连接图
MOS......
谈谈几种常用的MOSFET驱动电路(2024-04-22)
能力很多时候是不一样的，需要注意驱动能力是否足够；
②MOS管寄生电容
如图1中C1、C2的值。如果C1、C2的值比较大，MOS管导通的需要的能量就比较大，如果电源IC没有比较大的驱动峰值电流，那么......
数字D类功放噪音出现的原因及解决方法(2023-09-18)
noise。该场景下可通过降低输入电容值，如换成1uf或0.47uf来实现降低 pop noise。
对于差分功放而言，如果P端和N端的输出外围硬件电路不匹配或者输入外围硬件电路不匹配，功放......
D类功放“爆破音”机理与抑制措施浅析(2024-07-09)
两端的电压差经放大后，输出产生pop noise。该场景下可通过降低输入电容值，如换成1uf或0.47uf来实现降低 pop noise。
对于差分功放而言，如果P端和N端的输出外围硬件电路不匹配或者输入外围硬件电......
MOS管驱动电流估算(2024-04-02)
要注意的是要用Qg来计算开启关断速度，而不是用栅极电容来计算。
下面讲讲MOS管开通过程
开始给MOS管Cgs充电，当电压升到5V时，Id流过一定的电流。继续充电，Id越来越大，但还没完全导通。当Id......
国家奖项公布：华润微/士兰微等集成电路A股企业上榜(2024-07-01)
目在国家重大重点项目支持下，建立了功率MOS器件电荷平衡新理论，突破了功率高压MOS集成耐压瓶颈，创建了三类具有国际先进水平的功率半导体制造量产工艺平台，为全球200余家企业提供了芯片制造服务，有效......
众多电子元器件厂商齐聚第103届中国电子展(2024-02-27)
我国已经成为扬声器、铝电解电容器、显像管、印制电路板、半导体分立器件等电子元器件的世界生产基地。本文引用地址：处于电子信息产业链上游，是通信、计算机及网络、数字音视频等系统和终端产品发展的基础，对电......
Vishay推出适用于强调高可靠应用领域的新型含铅（Pb）端接涂层SMD MLCC(2021-01-27)
（NP0）电介质的器件，电容低至1.0 pF，–55°C ~ +125°C条件下，电容温度系数（TCC）为0 ppm/°C ± 30 ppm/°C，每十年最大老化率为0 %。X7R器件电容高于1.0 µF......
相关企业
;深圳市海宏成电子有限公司;;本公司专业代理销售.罗姆，通嘉，三和，晶导 ，乐山，新洁能，华晶等知名品牌 二三极管/IC/MOS管/贴片，插件电容等等 ····全部物料皆原装进口，大量库存，诚信
;济南信华智能电子有限公司;;电子元器件电子元器件电子元器件电子元器件电子元器件电子元器件电子元器件电子元器件电子元器件电子元器件电子元器件电子元器件电子元器件电子元器件电子元器件电子元器件电子元器件电子元器件电子元器件电子元器件电
;益维德电子（香港）有限公司;;益维德电子主要代理，经销电子元器件配套；二极管,三极管,场效应管（MOS）,稳压管,光耦, 集成电路（IC）,三端稳压管,桥堆,电容（钽电容，铝电解，可调电容）,电感
;创想电子商行;;常年在亚洲最大市场华强北设立服务点，专注于被动元器件电容电阻电感磁珠电解电容钽电容等，主要经营台湾华新科国巨厚声、韩国三星、日本TDK尼吉康红宝石黑金刚等品牌，可以提供贴片元器件
;深圳市益为亚电子有限公司;;深圳市益为亚电子有限公司，是专业的代理经销各品牌电子元器件 产品有 贴片电容 电阻 ，插件电容 电阻 ， 二 三极管 IC 公司经销代理：三星，国巨 风华 TDK 长电
;东莞市肇宏电子有限公司;;东莞市肇宏电子有限公司主营电子元器件、贴片电容、电阻、插件电容、电阻、电解电容、二三极管、磁珠等。公司秉承“顾客至上，锐意进取”的经营理念，坚持“客户第一”的原
;深圳市欧铭达电子有限公司;;深圳市欧铭达电子有限公司位于中国广东省深圳市福田区华强北路新亚洲二期N1A098，深圳市欧铭达电子有限公司是一家插件电阻、插件电容、贴片电阻、贴片电容、二级管、三级
;深圳市京昊电子有限公司;;自主生产薄膜电容等插件电容，品牌代理贴片电容电阻
根据客户需要做配套等产品的经销批发的私营股份有限公司。东莞市诚益电子有限公司经营的贴片二极管、贴片三极管、贴片电感、贴片电解、贴片二极管、贴片电阻、贴片电容、贴片IC、插件二极管、插件三极管、插件电阻、插件电容、插件电感、插件
;东莞双飞电子有限公司;;东莞市双飞电子有限公司，专业生产 插件电解电容，贴片电解电容