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| 类别 | 描述 |
| 检视规则 | 原理图需要进行检视，提交集体检视是需要完成自检，确保没有低级问题。 |
| 检视规则 | 原理图要和公司团队和可以邀请的专家一起进行检视。 |
| 检视规则 | 第一次原理图发出进行集体检视后所有的修改点都需要进行记录。 |
| 检视规则 | 正式版本的原理图在投板前需要经过经理的审判。 |
| 差分网络 | 原理图中差分线的网络，芯片管脚处的P和N与网络命令的P和N应该一一对应。 |
| 单网络 | 原理图中所有单网络需要做一一确认。 |
| 空网络 | 原理图中所有空网络需要做一一确认。 |
| 网格 |
1、原理图绘制中要确认网格设置是否一致。
2、原理图中没有网格最小值设置不一致造成网络未连接的情况。 |
| 网络属性 | 确认网络是全局属性还是本地属性 |
| 封装库 |
1、原理图中器件的封装与手册一致。
2、原理图器件是否是标准库的symbol。 |
| 绘制要求 | 原理图中器件的封装与手册一致。 |
| 指示灯 | 设计默认由电源点亮的指示灯和由MCU点灭的指示灯，便于故障时直观判断电源问题还是MCU问题 |
| 网口连接器 | 确认网口连接器的开口方向、是否带指示灯以及是否带PoE |
| 网口变压器 | 确认变压器选型是否满足需求，比如带PoE |
| 按键 | 确认按键型号是直按键还是侧按键 |
| 电阻上下拉 | 同一网络避免重复上拉或者下拉 |
| OD门 | 芯片的OD门或者OC门的输出管脚需要上拉 |
| 匹配 | 高速信号的始端和末端需要预留串阻 |
| 三极管 | 三极管电路需要考虑通流能力 |
| 可测试性 | 在单板的关键电路和芯片附近增加地孔，便于测试 |
| 连接器防呆 | 连接器选型时需要选择有防呆设计的型号 |
| 仿真 | 低速时钟信号，一驱动总线接口下挂器件的驱动能力、匹配方式、接口时序必须经过仿真确认，例如MDC/MDIO、IIC、PCI、Local bus |
| 仿真 | 电路中使用电感、电容使用合适Q值，可以通过仿真。 |
| 时序 | 确认上电时序是否满足芯片手册和推荐电路要求。 |
| 时序 | 确认下电时序是否满足芯片手册和推荐电路要求。 |
| 时序 | 确认复位时序是否满足芯片手册和推荐电路要求。 |
| 复位开关 | 单板按键开关设计，要防止长按按键，单板挂死问题，建议按键开关设计只产生一段短脉宽低电平。 |
| 复位设计 |
复位信号设计
（1）依据芯片要求进行上下拉 （2）确认芯片复位的默认状态 （3）Peset信号并联几十PF的电容滤波，优化信号质量。 （4）复位信号保证型号完整性。 |
| 复位 | 所有接口和光模块默认处于复位状态。 |
| 电平匹配 | 不同电平标准互连，关注电压、输入输出门限、匹配方式。 |
| 功耗 | 详细审查各个芯片的功耗设计，计算出单板各个电压的最大功耗，选择有一定余量的电源。 |
| 缓启 | 热插拔电路要进行缓启动设计 |
| 磁珠 | 小电压大电流（安培级）值电源输出端口的磁珠，需要考虑磁珠压降 |
| 连接器 | 板间电源连接器通流能力及压降留有预量 |
| 标识 | 扣板与母板插座网络标识是否一致，前后插卡连机器管脚信号要一一对应。 |
| 电平匹配 | 一驱多信号要根据仿真结果进行阻抗匹配，确定是否加始端或末端匹配电阻 |
| 匹配电平 | 原理图设计要关注厂家器件资料的说明，输入输出都会有明确的匹配要求。 |
| 二级管 | 使用在控制、检测、电源合入等电路中的二极管，必须考虑二极管反向漏电流是否满足设计要求。 |
| MOS | CMOS器件未使用的输入/输出管脚需按照器件手册要求处理，手册未要求的必须与厂家确认处理方式。 |
| 温感 | 关键器件尤其的温度要进行监控 |
| 244/245 | 有上、下拉需要的信号在经过没有输出保持功能的总线驱动器后，需要在总线驱动器的输入、输出端加上下拉。 |
| 244/245 | 244/245如果不带保持功能，则必须将不用的输入管脚上下拉。 |
| 时钟 | 晶振管脚直接输出的信号禁止直接1驱多，多个负载会影响信号质量，建议采用1对1的方式。 |
| 时钟 | 晶体的xt-out和时钟驱动器相连需要0402串阻，阻值选择不能影响单板起震。 |
| 时钟 | 锁相环电路及参数的选取必须经过专项计算。 |
| 时钟 | 时钟环路滤波陶瓷电容优选NPO介质电容。 |
| 时钟 | 确认信号摆幅，jitter等是否超出器件要求。 |
| 时钟 | 确认时钟器件在中心频率、工作电压、输出电平、占空比、相位等各项指标上能完全满足要求。 |
| DDR | DDR等存储器接口都要有时钟频率降额设计。 |
| DDR | 对于可靠性要求较高的单板建议在RAM开发中满足ECC设计规则要求。 |
| DDR | DDR的VTT电源滤波要做到Vtt电阻和滤波电容的搭配。 |
| PHY | MDC/MDIO采用一驱多的匹配方式，主器件经过串阻-》上拉电阻-》串阻到从器件，串阻要放置在两端。 |
| PHY | 1对多的控制，PHY需要预留地址信号，用于控制。 |
| PHY | CAM等芯片功耗根据访问条件和温度，功耗变化较大，设计时要要仔细查询器件手册，明确功耗和厂家芯片的关系。 |
| PHY | 设备有光模块接口是，光模块内部串接10nf电容，链路不需要进行重复设计。 |
| 散热器 | 选择散热器时，要考虑到散热器的重量和与设备的结合方式。 |
| I2C | 设备通过I2C进行互联时，可以使用芯片内I2C模块，也可以通过I2C模块。 |
| 电容 | 单板中射频相关部分设计的时候，需要旁路，滤波电容，针对不同的干扰频率要选择不同容值的滤波电容。 |
| 电容 | 电容并联设计时，要计算或通过仿真分析谐振点，避免可能会出现的谐振问题。 |
| 电容 | 滤波电容的设计要关注对控制管脚的影响。 |
| 电容 | 没有使用的管脚如何使用需要参考芯片手册和demo板的设计去关注这些管脚的设计是否合理。 |
| 特征阻抗 | 对PCB布线的特征阻抗有特殊要求时，需要在原理图或者给互连工程师的需求文档中进行特殊说明。 |
| 复位设计 | 关键功能器件应该预留独立的复位设计。 |
| 复位设计 | 很多Flash都有rst的管脚，为满足启动阶段的软件功能实现要求，在 |
| 射频滤波 | 视频放大器的电源设计时要添加合适的滤波电容，防止电源噪声对射频信号质量造成本良影响。 |
| 射频滤波 | 电源、功率电路设计是应用电需要考虑电阻的功率特性的选择。 |
| 可测试性 | 部分功能模块要保持可以长工状态，利于进行硬件测试。 |
| 射频电路 | 直流偏置电路是否需要使能控制，控制电压精度是否满足放大器的要求。 |
| 射频电路 | 保证前级可能输出的最大RF峰值功率小于后级级联器件的最大极限输入功率3dB左右，需要关注信号峰值和过冲对器件过功率的影响。 |
| 射频电路 | 射频器件功率放大器的中心散热焊盘在原理图上必须接地。 |
| 射频电路 | 具备on/off的射频器件功能，在off状态下隔离度有问题，隔离度影响收发的干扰情况，干扰信号需要保持在合理电平内，否则影响套片正常工作。 |
| 射频电路 | PA的RF发送端链路PA外围电路正价负反馈设计防止烧PA。 |
| 射频电路 | 射频接收电路，需要在接收机和套片之间预留PI型位置，调试接收灵敏度。 |
| 电源 | 确保所有的电源转换模块OCP/OVP点(过流保护点和过压保护点)设定正确 |
| 电源 | 电源的带负载能力是否足够，相数是否足够，能提供足够大的电流、功率給CPU,Chipset等（1相按最大20A计算，保守15A） |
| 电源 | PWM单相频率范围是200K-600K；集成MOS的可以达到1MHz |
| 电源 | 输入电容的Ripple current(参考2700mA)；电容Ripple Current小会导致电容发热，影响寿命 |
| 电源 | 输出电容的ESR是否足够小 |
| 电源 | 电容的耐压是否满足，同时满足降额 |
| 电源 | H-MOS导通时间短；L-MOS导通时间长 |
| 电源 | H-Side MOSFET要选择导通速度快的 |
| 电源 | L-Side MOSFET要选择Rds(on)低的 |
