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利用武汉新芯的3DLink™晶圆堆叠技术平台，创新地将逻辑晶圆和DRAM晶圆直接键合，给业界提供了领先的超大带宽、超低功耗内嵌存储器解决方案。公司凭借多年来的DRAM开发量产能力和SoC设计服务能力，持续......
Xilinx 推出新型Virtex UltraScale+ VU57P FPGA高速数据与高带宽存储器支持带来卓越高速计算体验;自适应和智能计算的全球领导赛灵思公司（Xilinx, Inc......
Xilinx 推出新型Virtex UltraScale+ VU57P FPGA高速数据与高带宽存储器支持带来卓越高速计算体验;自适应和智能计算的全球领导赛灵思公司（Xilinx, Inc......
加速器一年的能耗降低了约2100GWh。 2021年2月，三星推出了其首个HBM-PIM，这是业界第一个高带宽存储器（HBM）集成人工智能（AI）处理能力的芯片。 HBM是高带宽存储器......
市场带来了新的发展机会。 资料显示，HBM（High Bandwidth Memory，高带宽存储器）是一种可以实现高带宽的高附加值DRAM产品，与普通DRAM相比，HBM以堆叠方式实现更大带宽......
三星9月将向英伟达独家供应12层堆叠HBM3E芯片; 【导读】三星电子正在高带宽存储（HBM）市场迅速占据一席之地。三星已成功开发12层DRAM的HBM3E芯片，可能......
、低引脚数存储器解决方案。该器件具有全新的16位扩展HyperBus™接口，可将吞吐量翻倍提升至800MBps。在推出HYPERRAM™ 3.0器件后，英飞凌可提供完善的低引脚数、低功耗的高带宽存储器......
、低引脚数存储器解决方案。该器件具有全新的16位扩展HyperBus™接口，可将吞吐量翻倍提升至800MBps。在推出HYPERRAM™ 3.0器件后，英飞凌可提供完善的低引脚数、低功耗的高带宽存储器......
、低引脚数存储器解决方案。该器件具有全新的16位扩展HyperBus™接口，可将吞吐量翻倍提升至800MBps。在推出HYPERRAM™ 3.0器件后，英飞凌可提供完善的低引脚数、低功耗的高带宽存储器......
市场带来了新的发展机会。 资料显示，HBM（High Bandwidth Memory，高带宽存储器）是一种可以实现高带宽的高附加值DRAM产品，与普通DRAM相比......
等劲敌，为全球首创。该3D整合芯片提供相对于现有高带宽存储器（HBM）十倍以上的高速带宽及数倍容量，为中国台湾地区半导体业筑起更难超越的高墙。 力晶集团昨（25）日透......
云端厂商陆续采购高端AI服务器，以持续训练及优化其AI分析模型。而高端AI服务器需采用的高端AI芯片，将提升2023-2024年高带宽存储器（HBM）的需求，并将驱动先进封装产能2024年增长30......
解决方案就需要取得更大的进步。 高带宽存储实现超现实游戏和虚拟现实的关键  完善虚拟现实技术的主要挑战之一，是在......
HBM需求火热，半导体设备商加速研发; 【导读】据集微网消息，随着高带宽存储器（HBM）工艺设备的商业化，半导体设备公司正在加速研发（R&D）工作......
想的解决方案，其实是在三维集成技术架构下，打造真正的存算一体，突破“存储墙”的限制，所以集超高容量、超大带宽等特点于一身的存算一体人工智能芯片便应运而生。利用三维集成技术，可实现不同功能、不同......
，满足佰维DDR5、LPDDR5产品的高频高速测试需求，同时可兼顾测试DDR4、LPDDR4/4X及高带宽存储器器件。 T5503HS2具备如下特点： 配备4.5-GHz高速......
机构：HBM3E竞争加剧！美光、三星、SK海力士最新进展; 【导读】摩根大通近日发布存储市场报告，表示在美光宣布开始大规模生产用于英伟达H200的高带宽存储器（）后，HBM3E的竞......
性能是传统HBM的两倍，三星公布HBM-PIM、LPDDR-PIM研究成果;据韩媒报道，三星电子在今年的Hot Chips 2023上公布了高带宽存储器（HBM）-内存处理（PIM）和低......
卡搭载 的Achronix Speedster7t AC7t1500 FPGA器件，也是业内第一款使用二维片上网络（2D NoC）的FPGA芯片，其实现了与最高带宽的I/O和存储接口无缝连接。它集成了400G......
卡搭载 的Achronix Speedster7t AC7t1500 FPGA器件，也是业内第一款使用二维片上网络（2D NoC）的FPGA芯片，其实现了与最高带宽的I/O和存储接口无缝连接。它集......
赛道三足鼎立 HBM是一种新型的CPU/GPU内存芯片，全称为High Bandwidth Memory，即高带宽存储器，专门用于高性能计算和图形处理领域，具有高带宽、低延迟和低功耗等特点，被广......
中介层可提供最高的互连密度，并且与高带宽存储器（HBM）相兼容，但其成本最高。 与独立FPGA芯片解决方案相比，chiplet解决方案可以使设计人员减少所需电路板空间，且对比独立FPGA来说可以实现新的集成可能性。使用......
的最高互连密度；第二种，基于具有重布线层（RDL）的中介层可以提高互连密度，但其更加昂贵；最后一种，硅内中介层可提供最高的互连密度，并且与高带宽存储器（HBM）相兼容，但其成本最高。 与独立FPGA芯片......
Memory ，高频宽存储器）属于DRAM（动态随机存取存储器）中的一个类别，具有高带宽、大容量、低延迟的DDR DRAM组合阵列。 AI时代，算力可以轻松破T（TOPS......
入口 2023年，以ChatGPT为代表的AIGC推动AI进入2.0时代，AI算力中心蓬勃兴起，对存储技术创新要求更高。HBM（高带宽存储）、存算一体解决方案等能很好满足AIGC对存储器......
，使得存储器单一读写指令可存取的数据量是DDR4的两倍；此外，DDR5每个模块均拥有两个独立的32位I/O子通道，双通道设计在保证大带宽的同时，可提高存储器存取效率，大幅缩短存取延迟，提高信号完整性，保障......
了Altera直接存储器访问(DMA)参考设计。Stratix V GX FPGA为PCIe Gen3应用提供了增强协议栈，这些应用对带宽要求非常高，要求以较低的成本和总功耗实现系统集成，提高......
，应用于AI服务器的128GB DDR5比64GB DDR4贵上10倍，但订单仍持续涌进。 此外，在AIGC的热潮带动之下，三星电子和SK海力士的高带宽存储器......
% 为解决高速运算下，存储器传输速率受限于DDR SDRAM带宽而无法同步成长的问题，高带宽存储器（High Bandwidth Memory，HBM）应运而生，其革......
速接口，是高性能网络和计算应用的理想选择。此外，Speedster7t FPGA支持高带宽GDDR6存储接口，提供超过4 Tbps的存储带宽，也是唯一一款可支持低成本GDDR6存储器的FPGA器件。为了......
存储器市场NAND、DRAM此消彼长？;近期，韩国《京乡新闻》引用半导体业界消息表示，随着对人工智能服务器领域投资的扩大，对高带宽存储器（HBM）、DDR5等高附加值DRAM的需求不断增加。与之......
片提供了足够的算力，并利用其片上搭载的二维片上网络（2D NoC）和机器学习处理单元（MLP），各种高速接口和GDDR6高带宽存储接口，提供了用于大规模推理应用需要的计算器件内外连接、硬件加速和存储......
片提供了足够的算力，并利用其片上搭载的二维片上网络（2D NoC）和机器学习处理单元（MLP），各种高速接口和GDDR6高带宽存储接口，提供了用于大规模推理应用需要的计算器件内外连接、硬件加速和存储......
帮助更多的创新者实现突破。 该芯片提供了足够的算力，并利用其片上搭载的二维片上网络(2D NoC)和机器学习处理单元(MLP)，各种高速接口和GDDR6高带宽存储接口，提供了用于大规模推理应用需要的计算器件......
和硬件平台提出的要求也越来越高。发挥核心器件内部每一个计算单元的作用，以更大带宽连接内外部存储和周边计算以及网络资源，已经成为智能化技术的一个重要趋势。这使得片上网络（Network-on-Chip......
和硬件平台提出的要求也越来越高。发挥核心器件内部每一个计算单元的作用，以更大带宽连接内外部存储和周边计算以及网络资源，已经成为智能化技术的一个重要趋势。这使得片上网络（Network-on-Chip......
和硬件平台提出的要求也越来越高。发挥核心器件内部每一个计算单元的作用，以更大带宽连接内外部存储和周边计算以及网络资源，已经成为智能化技术的一个重要趋势。这使得片上网络(Network......
展HyperBus接口，可将吞吐量翻倍提升至800MBps。在推出HYPERRAM 3.0器件后，英飞凌可提供完善的低引脚数、低功耗的高带宽存储器产品组合。该芯片非常适用于需要扩展RAM存储器的应用，包括......
DRAM等。三星、SK海力士对3D DRAM加速商业化有助于推进该技术的发展。 HBM（High Bandwidth Memory，高带宽存储器）技术......
加速卡搭载 的Achronix Speedster7t AC7t1500 FPGA器件，也是业内第一款使用二维片上网络（2D NoC）的FPGA芯片，其实现了与最高带宽的I/O和存储接口无缝连接。它集......
市场，搅动风云：SK海力士市值突破千亿美元、台积电CoWoS先进封装产能告急、DRAM投片量面临挤压…… 存储器件......
几乎必须搭载HBM。 什么是HBM HBM（High Bandwidth Memory，高带宽存储器），与其他DRAM最大的差别就是拥有超高的带宽，目前最新的HBM3的带宽最高可以达到819GB......
芯片尺寸的不断微缩，DRAM工艺的微缩变得越来越困难，平面DRAM的“摩尔定律”正在逐渐走向极限，各大厂商开始将目光锁定3D化发展。其中，HBM（高带宽存储器）为代表性产品。 2014年，AMD和SK海力......
乎也从侧面印证了英伟达对三星HBM3E产品的认可。 资料显示，HBM高带宽存储器全称为“High Bandwidth Memory”，具有高带宽、高容量、低延时与低功耗等优势。在人工智能发展浪潮下，AI大模型应用的加速，推动高性能存储器......
把传统服务器的预算挪至内容更加丰富的AI服务器。 Mehrotra指出，美光的HBM3e高带宽存储器将应用于英伟达次世代Grace Hopper GH200超级芯片及H200 GPU，目前已来到最后品管阶段。 美光......
帮助更多的创新者实现突破。 该芯片提供了足够的算力，并利用其片上搭载的二维片上网络（2D NoC）和机器学习处理单元（MLP），各种高速接口和GDDR6高带宽存储接口，提供了用于大规模推理应用需要的计算器件内外连接、硬件加速和存储......
用其片上搭载的二维片上网络（2D NoC）和机器学习处理单元（MLP），各种高速接口和GDDR6高带宽存储接口，提供了用于大规模推理应用需要的计算器件内外连接、硬件加速和存储调用等新技术，从而......
还减少功耗和成本。下图为CoWoS封装示意图，将逻辑芯片及HBM（高带宽存储器）先连接于中介板上，透过中介板内微小金属线来整合左右不同芯片的电子讯号，同时经由“硅穿孔（TSV）”技术来连结下方基板，最终......
引入通用高层图优化和大规模算子融合技术，充分释放了大容量片内存储和高带宽存储的利用率，将模型平均性能提升3.5倍，硬件算力利用率平均提升2倍；通过升级的编程模型以及算子自动分片、自动生成技术，自定义算子开发效率翻倍，模型......
作用是将垂直堆栈的多个半导体牢固地固定并连接起来。而经过测试后获得的结论，MUF 不适用于高频宽存储器 (HBM)，但非常适合 3DS RDIMM，而目前 3DS RDIMM 使用硅通孔 (TSV) 技术制造，主要......

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