传三星电子今年底启动HBM4流片 为明年底量产做准备

发布时间:2024-08-19  

【导读】有消息称,三星电子将于今年年底开始其第6代高带宽存储器HBM4的流片工作,这是为明年年底12层HBM4产品量产所做的前期工作。


传三星电子今年底启动HBM4流片 为明年底量产做准备


有消息称,三星电子将于今年年底开始其第6代高带宽存储器HBM4的流片工作,这是为明年年底12层HBM4产品量产所做的前期工作。


流片是半导体设计的最后一步,这意味着将设计图纸交付给半导体代工厂。因为还制作了光掩模,所以它们也被称为掩模流片(MTO)。


HBM4测试产品预计最早于明年初上市,最终的测试产品在流片后需要3~4个月的时间能出来。据悉,三星电子将在验证首次生产的HBM4产品的运行情况后,进行设计改进和工艺改进。之后,预计将对主要客户进行产品抽检。三星电子的一位官员称“很难回答有关产品路线图和相关时间表的问题。


SK海力士也计划在明年下半年实现12层HBM4产品的量产。


两家公司都从HBM4开始,将使用代工工艺而不是DRAM工艺来生产逻辑芯片。据报道,二星电子计划使用其4nm代工工艺大规模生产逻辑芯片,而SK海力士计划使用台积电的5nm和12nm工艺大规模生产逻辑芯片。


在内存核心芯片方面,三星电子已确认将使用第六代10nm(1c)DRAM,但SK海力士的工艺介于第五代10nm(1b)DRAM和1c DRAM之间。SK海力士负责HBM开发的一位主要员工解释说:“在内部,我们决定使用1b DRAM作为HBM4的核心芯片,”并补充说,“在听说三星电子正在为HBM4使用1c DRAM后,我们正在考虑是否在内部使用1b DRAM或1c DRAM。”


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