性能是传统HBM的两倍,三星公布HBM-PIM、LPDDR-PIM研究成果

发布时间:2023-08-31  

据韩媒报道,三星电子在今年的Hot Chips 2023上公布了高带宽存储器(HBM)-内存处理(PIM)和低功耗双倍数据速率(LPDDR)-PIM研究成果。这两款存储器是未来可用于人工智能(AI)行业的下一代存储器。

三星电子展示了一项研究成果,将HBM-PIM应用于生成式AI,与现有HBM相比,加速器性能和功效提高了一倍以上。本研究中使用的GPU是AMD的MI-100。 

为了验证MoE模型,还构建了 HBM-PIM 集群。集群中使用了 96 台配备 HBM-PIM 的 MI-100。在MoE模型中,HBM-PIM还表明加速器性能比HBM高两倍,功率效率比HBM高三倍。 

HBM-PIM是将PIM与HBM结合在一起的半导体。它是一个概念,通过处理一些以前由CPU在内存中处理的操作来减少数据移动量。近年来,随着内存瓶颈成为AI半导体领域的一大挑战,HBM-PIM作为下一代内存半导体备受瞩目。

除了HBM-PIM,三星电子还展示了LPDDR-PIM。LPDDR-PIM 是一种将 PIM 与移动 DRAM 相结合的形式,可直接在边缘设备内处理计算。由于它是针对边缘设备开发的产品,因此带宽(102.4GB/s)也较低。三星电子强调,与DRAM相比,功耗可降低72%。 

业内人士表示,与AI加速器性能的提升相比,存储器的发展速度缓慢。在大规模语言模型(LLM)中,数据重用率很高,并且可以减少数据移动(通过 HBM-PIM 中的计算)。

然而,HBM-PIM和LPDDR-PIM的商业化还需要相当长的时间。PIM在通过存储器工艺实现非存储器半导体的特性方面存在技术困难。此外,与现有的HBM相比,还有一个缺点是价格昂贵。


文章来源于:电子工程世界    原文链接
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