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研发客服市场消息指出，三星电子（Samsung Electronics）与NVIDIA顺利完成第五代高带宽存储器HBM3E的实地检测。虽然HBM3E量产时间还不确定，但双方合作已经有进一步进展。
此前有报导指出，三星8层HBM3E已通过NVIDIA测试，可用于英伟达的AI处理器上，预期今年第四季就会展开供应，至于12层HBM3E芯片还没通过测试。
从三星和NVIDIA合作来看，Al、游戏和资料中心应用都必须使用先进半导体技术。不过市场较为担忧三星存储器部门，因为该部门复苏缓慢，且在AI芯片市场反应相对较慢，目前也正努力赶上SK海力士，以服务AI领域的领导者NVIDIA。
整体来说，通过实地检测对三星来说仍是正面发展，但要量产和重回市场领先地位仍是一项挑战。
封面图片来源：拍信网
文章来源于:全球半导体观察 原文链接
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