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(GaN)外延工艺全球研发中心,开发8寸先进GaN外延片工艺及设备平台,用于制作氮化镓光电子和功率器件。 此外,麻省光子技术还将在创新园设立全港首条超高真空量产型GaN外延......
科技园公司与麻省光子技术(香港)有限公司(以下简称麻省光子技术)联合举行香港首条超高真空第三代半导体氮化镓外延片中试线启动仪式。 仪式上,专注研发氮化镓外延技术的麻省光子技术宣布,该公司计划于香港科技园设立全港首个第三代半导体氮化镓外延工艺......
公司(以下简称麻省光子技术)联合举行香港首条超高真空第三代半导体氮化镓外延片中试线启动仪式。 仪式上,专注研发氮化镓外延技术的麻省光子技术宣布,该公司计划于香港科技园设立全港首个第三代半导体氮化镓外延工艺......
结构不同决定的部分特性。此外,对氮化镓功率器件的外延工艺以及功率器件的工艺进行描述,加深对氮化镓功率器件的工艺技术理解。在理解氮化镓功率器件结构和工艺的基础上,对不同半导体材料的特性、不同衬底材料的氮化镓HEMT进行......
技术的麻省光子技术宣布,该公司计划于香港科技园设立全港首个第三代半导体氮化镓外延工艺全球研发中心,并于香港科技园微电子中心(MEC)开设首条超高真空量产型氮化镓外延片中试线,预计将在香港投资至少2亿港元(约1.82亿人......
目建成后,将具备4-6英寸碳化硅、6-8英寸氮化镓外延材料生长到器件研制的全套工艺流程能力,有助于芜湖市解决半导体产业在知识产权培育和转化、特殊工艺与特色产品定制、中试......
技术的各个方面,包括材料、设计和工艺等等。我们期待ECLIPSE项目能够顺利开展,以增强我们提供先进氮化镓外延片的能力。” 该合同的投标流程由National Security Technology......
片生产线正式建成并投入使用。 据介绍,中科重仪生产的氮化镓外延片,氮化镓层厚度约5μm表面无裂纹,翘曲度小于100μm。HEMT结构室温下,方块电阻为465Ω/sq,二维电子气(2DEG)浓度约8×1013cm-2......
百斯特达氮化镓半导体芯片项目建成,将增加10条氮化镓外延生产线;据盘锦日报报道,5月9日,盘锦高新技术产业开发区的氮化镓半导体芯片项目现场,工程施工人员正在接通水电气,辽宁......
,百川街西,南荡田巷北,总建筑面积23443.27平方米。项目聚焦第三代半导体材料——氮化镓外延片的研发生产,预期项目建成后,将成为国内规模最大的氮化镓电力电子材料和微显示材料生产基地。 据苏......
电力电子材料、射频材料和微显示材料的生产基地。 消息显示,晶湛半导体致力于为高端光电、电力电子、微波射频等领域提供高品质氮化镓外延材料解决方案,是园区自主培育的第三代半导体氮化镓外延......
术和运营方面已经实现了EpiGaN协同增效。现在EpiGaN生产主要针对RF氮化镓外延片,同时还在关注应用于功率产品方面的氮化镓外延片生产。 Power-SOI......
片(EPI)、碳化硅氮化镓外延片(EPI)、氮化镓功率场效应管(HEMT)、氮化镓射频场效应管、GaN快充电源模块设计等,贯穿半导体制造全流程。 8、Porotech完成2000......
半导体拟在苏州工业园区自建厂房和办公楼,进行半导体材料—氮化镓外延片的产业化生产,预计年产氮化镓外延片24万片,其中,6英寸和8英寸氮化镓外延片年产能均为12万片,用于......
年产能24万片,苏州一氮化镓外延片材料项目开工在即;近日,苏州工业园区管理委员会公示了苏州晶湛半导体有限公司新建氮化镓外延片生产扩建项目环境影响报告书。 △Source:苏州......
源汽车市场大有可为 资料显示,百识电子成立于2019年8月,专门生产碳化硅及氮化镓相关外延片,包含GaN on Silicon、GaN on SiC以及SiC on SiC,针对高压、高功率以及射频微波等应用市场提供碳化硅及氮化镓外延......
年产新增1万片氮化镓外延片,晶湛半导体项目获新进展;7月29日,苏州独墅湖科教创新区发布了晶湛半导体氮化镓外延片年产新增10000片项目环境影响评价第一次公示。 根据公示,晶湛......
/8英寸碳化硅基氮化镓外延片、4/6英寸蓝宝石基氮化镓外延片等通用规格及客制化规格,公司在HEMT结构的外延技术可提供D-mode和E-mode两种工艺,同时......
宽禁带半导体,适合高压、大电流的应用场景,近年来受到新能源汽车、光伏储能等行业影响,市场增速极快,国内SiC产业也在2021年~2022年得到迅速发展。但SiC衬底硬度高、脆性大,给抛光带来了极大难度。而抛光后因其晶圆和机台的清洗工艺流程......
筑面积51302.28平方米,其中包括2栋氮化镓外延片及芯片生产车间、1栋芯片封装及应用产品生产制造车间、1栋成品库房、1栋制氢站、1栋研发中心及综合管理用房等建设内容。 2022年12月中旬,氮化镓......
中科半导体氮化镓外延片及单晶衬底材料研发生产项目落户赣州经开区;近日,据赣州经济技术开发区招商引资消息,8月17日上午,赣州经开区举行2021年第9批招商引资项目线上集中签约仪式,此次签约共有6个项......
福州新区两个GaN项目签约;近日,福州新区集中签约38个重点项目,总投资超220亿元,其中2个项目涉及氮化镓,包括芯睿半导体氮化镓晶圆厂项目和福州镓谷氮化镓外延片项目。 资料显示,芯睿半导体氮化镓......
来源:温州网 报道显示,本次青科基金所投资的项目中,芯生代和星耀激光均属于科技成果转化。其中,芯生代首席科学家钟蓉博士团队掌握了第三代半导体氮化镓外延片及功率芯片制造的技术,目前......
、SOT-23系列、SOD系列)和精密电子元器件生产的工厂。 近期,氮化镓产线建设热度不减,8月18日,WaveLoad对外宣布,其计划明年年初量产氮化镓外延片。 WaveLoad已在......
氮化镓外延厂瑞典企业SweGaN宣布已开始出货;8月13日,瑞典企业SweGaN宣布,公司生产碳化硅基氮化镓(GaN on SiC)晶圆的新工厂已开始出货,产品将用于下一代5G先进......
片成本占整个流片成本的一半,未来公司将开发自有的氮化镓外延片来控制芯片成本,同时优化外延良率,形成公司核心技术。同时公司也会不断优化器件结构和工艺设计来提升产品的性能,并降低器件成本。另外在应用层面,公司产品丰富,可利......
这家GaN外延工厂开业!;作为第三代半导体两大代表材料,SiC产业正在火热发展,频频传出各类利好消息;GaN产业热度也正在持续上涨中,围绕新品新技术、融资并购合作、项目建设等动作,不时......
在大功率和高频率应用中具有优势,且导通电阻更低,损耗更小。 目前,中国、日本、韩国等国的研究机构和团队在氧化镓材料的技术研发和产业化方面都取得了一定的进展。其中,厦门大学的研究团队在氧化镓外延......
半导体(砷化镓、磷化铟衬底外延4英寸&6英寸&8英寸)、三代半导体(碳化硅外延4英寸&6英寸&8英寸、氮化镓外延)、SOI片顶层硅6英寸&8英寸&12英寸......
融资将用于建设江苏能华微电子在长三角地区的第二家FAB(制造车间)。 据官网介绍,江苏能华微电子成立于2010年,是一家专业设计、研发、生产、制造和销售高性能氮化镓外延、晶圆、器件及模块的高科技公司。2017年,该公......
共建和产业化应用等方面开展的全方位多层次战略合作。 据官微介绍,中试线建设分为两期,其中,一期是通过设备工艺改造和升级,初步建成氮化镓外延片中试线。二期......
项目正式开工建设,该项目占地125亩,总投资15亿元,其中一期投资3亿元;去年5月,项目一期正式建成,预计增加10条氮化镓外延生产线,实现年产10万片氮化镓外延片和10亿颗氮化镓芯片的产能提升。 博康......
12英寸氮化镓,新辅助?;第三代半导体材料氮化镓,传来新消息:日本半导体材料大厂信越化学为氮化镓外延生长带来了有力辅助。 2024年9月3日,信越化学宣布研制出一种用于GaN(氮化镓外延......
,百思特达氮化镓项目正式开工建设,该项目占地125亩,总投资15亿元,其中一期投资3亿元;去年5月,项目一期正式建成,预计增加10条氮化镓外延生产线,实现年产10万片氮化镓外延片和10亿颗氮化镓......
这家氮化镓相关厂商或将赴港上市;近日,据《路透社》旗下IFR报道,英诺赛科正计划最早于今年内,在香港进行IPO,融资规模约3亿美元。 据悉,英诺赛科成立于2015年12月,是一家致力于第三代半导体硅基氮化镓外延......
网络高功率射频应用。 资料显示,SweGaN新工厂位于瑞典林雪平,于2023年3月动工建设,可年产4万片4/6英寸碳化硅基氮化镓外延片。SweGaN表示,旗下......
建成达产后,预计年生产BGA、LGA系列集成电路13亿只。 晶湛半导体总部大楼封顶,聚焦氮化镓外延片研发生产 据苏州晶湛半导体有限公司公众号消息,11月5日,苏州......
光子晶体透明显示芯片、深圳氮化镓外延片等项目。其中,北京中科芯电分子束外延片项目,团队由中国科学院半导体研究所博导曾一平领衔,成员多为国内半导体材料行业尖端人才。项目总投资5亿元,其中设备投资约4.8亿元,将建设砷化镓分子束外延......
晶湛半导体完成数亿元C轮融资,美团、歌尔微电子现身投资方;近日,第三代半导体氮化镓外延领军企业晶湛半导体宣布完成数亿元C轮融资,这是继今年3月完成B+轮数亿元战略融资以来的又一轮融资。本轮......
威半导体为芯冠科技的第三大股东,持股比例为19.84%。 图片来源:天眼查截图 芯冠科技成立于2016年,公司采用整合设计与制造(IDM)的商业模式,主要从事第三代半导体硅基氮化镓外延......
材料及器件,致力于打造一个国际领先技术水平的技术及产品研发平台,包括芯片设计实验室、氮化镓外延材料实验室、芯片制造实验室、产品开发实验室、产品检测及可靠性分析实验室等等。 同时,现场......
董事长焦平海受访时表示,合晶已走过半导体景气谷底,第二季度运营明显回升,虽然未呈现V型反转,却已重回上升轨道。 在化合物半导体方面,合晶主攻氮化镓外延及基板领域,包括硅基氮化镓、碳化硅基氮化镓等。合晶......
率以及射频微波等应用市场提供专业、高质量的碳化硅及氮化镓外延代工服务。 此外,截至目前,百识电子共计完成4轮融资,融资总额超4.5亿元。2019年12月,百识电子完成5000万元天使轮融资,投资机构有和利资本。2020年8月......
兰和卡塔尼亚设有技术和制造中心。 ASM总裁兼首席执行官Benjamin Loh表示,LPE提供的先进SiC外延工具是对ASM产品的补充,双方合作将推动汽车行业的进一步电气化。 5 IDM半导体企业进军氮化镓......
公司实现了低成本α-氧化镓材料的突破,2018年实现了α-氧化镓外延材料的量产。据称2022年量产600V 10A SBD、2023年将年产10万颗器件供给丰田新能源车。 我国来看,中电科46所于2014......
年夏季进行设备安装。首批晶圆将于2024年下半年开始出货。对居林工厂的新增投资主要用于外延工艺和晶圆切割等具有高附加值的环节。 马来西亚高级部长、国际贸易与工业部长拿督斯里莫哈末·阿兹敏·阿里......
方米,将围绕“新一代信息功能材料及功率器件”和“战略型新兴产业”需求,重点发展第三代宽禁带半导体氮化镓材料及器件,致力于打造一个国际领先技术水平的技术及产品研发平台,包括芯片设计实验室、氮化镓外延......
南京百识 主要生产6''碳化硅外延片、6''8''硅基氮化镓外延片以及4''6''GaN/SiC碳化硅基氮化镓外延片 江苏能华 是一......
化硅(SiC)以外,其他所有新兴宽带隙半导体必须生长在另一种材料盘中,比如氮化镓通常依靠复杂的工艺在硅、碳化硅、蓝宝石基底上生长,由于基底的晶体结构明显不同于氮化镓的晶体结构,这种差异会造成基底和氮化镓......
人民币购买于安徽长江产权交易所公开挂牌的启迪半导体及芜湖太赫兹工程中心等相关股权。启迪半导体及芜湖太赫兹工程中心主要从事以碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)为代表的第三代半导体产品的工艺研发和制造。 IDM半导体企业华润微电子进军氮化镓......

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照明等 , 华磊光电之Green LEDs ,已符合各种应用之需求。此外华磊光电将Green LEDs相关产品与应用端接轨,与应用厂商协力开发更多的 LED 应用产品。 3.华磊光电积极以产学合作模式开发高质量氮化镓外延
能光滑表面缺陷分析仪;        5、微型光纤光谱仪、中红外光谱仪、积分球及系统、光谱仪附件; 6、半导体材料,氮化镓外延片、裸片,二维半导体材料等;
;佛山诺曼帝钢业有限公司;;佛山市诺曼帝钢业有限公司及同韶达金属压延厂,在数年来积累精湛的压延工艺流程,生产出极高精度、平整、光滑洁白的不锈钢卷带。   主要采用进口/国产
;东莞市远东金属表面处理材料有限公司;;东莞市远东金属表面处理材料有限公司主营:电镀,电镀材料,电镀原材料,电镀添加剂,电镀化工,电镀化工材料,电镀化工原材料,电镀技术,电镀工艺,电镀工艺流程,电镀环保工艺
;远东金属表面处理材料有限公司;;远东金属表面处理材料有限公司主营:电镀材料,电镀原材料,电镀添加剂,电镀光亮剂,电解剥离剂,电镀化工,电镀化工材料,电镀化工原材料,电镀技术,电镀工艺,电镀工艺流程
位服务于客户!的经营理念,竭诚为您服务。公司注册时间1997年,注册资金1000万,现有员工100多人。我们郑重声明:金龙矿山选矿专家还为您提供最新磁铁矿选矿工艺流程、赤铁矿选矿工艺流程、褐铁矿选矿工艺流程
;江阴诚信调度自动化厂;;我厂(江阴诚信调度自动化厂)专业生产马赛克调度模拟屏、马赛克控制屏、热控屏。粮食工艺流程图、化工及其它工艺流程图,各种调度成套设备。并生产相关各类数显仪表、电流变送器、电压
manufacturing in Taiwan. ; EPC设计,开发,市场,销售基于氮化镓的电源管理设备,采用成熟的晶圆代工厂。使最高效的能源转换,利用优越的半导体材料,EPC是率先推出增强型氮化镓
;慈溪市师桥镇双宏塑料电器配件厂;;我厂是一家专业制造电器工具类产品的厂家。生产设备先进,工艺流程合理。几年来在全体员工的共同努力下,现已形成三大系列产品:室内外延长线,电瓶夹检修灯,万用插座。并分
;建德市邦德威电器工具厂;;我厂是一家专业制造电器工具类产品的厂家。生产设备先进,工艺流程合理。几年来在全体员工的共同努力下,现已形成三大系列产品:室内外延长线,电瓶夹检修灯,万用插座。并分