前10年一直在消费电子领域冲浪的氮化镓（GaN）技术不断创新发展，近两年来逐渐在汽车、数据通信以及其他工业应用等行业崭露头角。

氮化镓应用不断扩充

消费领域一直是原始设备制造商（OEM）采用GaN的主要驱动力，其中电力设备市场为主流市场，快速充电器为主要应用，此外还包括一些音频设备等。借助GaN，智能手机制造商可以制造尺寸更小且性价比更高的充电器。

目前市场上大多数基于GaN的充电器都在65W左右或以下，业界表示这是性价比的“最佳点”。但是，随着市场对于更高功率的需求，智能手机快速充电器的目标功率高于75的新趋势可能会在不久的将来推动智能手机 OEM对GaN的采用。大多数国家超过75W的功率需要功率因数校正(PFC)电路，这需要使用更多的GaN含量。

另外，在汽车、数据通信以及其他工业应用中GaN技术的得到进一步应用。比如在汽车领域，其主要驱动力将是电动汽车的车载充电器（AC-DC转换）以及DC/DC转换器（电压范围为48V至400V）。市场消息显示，大概到2030年左右，OEM将开始考虑在主逆变器 (650-800V) 中集成GaN。

从市场情况看，在过去几年越来越多的汽车制造商与GaN器件供应商合作。如德国汽车系统制造商ZF与以色列GaN公司VisIC合作，意大利汽车零部件制造商Marelli则与GaN器件公司Transphorm合作等。

随着氮化镓应用不断扩充，国内外厂商动作频频。

国外GaN动态：收购、扩产、技术创新

英飞凌收购GaN Systems，巩固全球功率系统领导地位

3月2日，英飞凌宣布收购氮化镓公司GaN Systems，交易总值8.3亿美元（约57.3亿人民币）。根据公告，英飞凌计划以全现金收购GaN Systems，资金将来自现有的流动资金。

在第三代半导体领域，英飞凌此前重心偏向SiC，在SiC功率半导体市场已有丰富的客户积累，供应链布局也比较完善，但在氮化镓领域的动态不多。

此次英飞凌通过并购GaN Systems，不但可以快速丰富产品线、客户群，还能将GaN Systems积累的GaN技术与英飞凌先进的8-12寸晶圆厂、生产制程相结合，将氮化镓应用带上新高度。

瑞典SweGaN扩产，年产能达4万片

3月2日，瑞典公司SweGaN宣布，他们正在瑞典林雪平的创新材料集群建设一个新总部，包括一个大规模的半导体生产设施。

报道称，该项目计划于今年第二季度末完成，将部署创新制造工艺，以大批量生产下一代GaN-on-SiC工程外延晶圆，预计年产能将高达4万片4/6英寸外延片。

2022年9月，该扩产项目就已经获得1200万欧元（约8300万人民币）A轮融资的支持，以满足5G基站、国防雷达、低轨道卫星通信和电动汽车车载充电器主要供应商的市场需求。此前2022年7月，SweGaN还获得了一次投资，获投金额与本次融资金额相近（约8216万元人民币），资金将用于扩大员工数量，并建设新的生产线。

SweGaN于2022年表示，预计几年后，公司年营业额将从2021年的1700万瑞典克朗增加到2亿瑞典克朗（约1.3亿元人民币），营收目标做到“数十亿”。

罗姆开发出控制氮化镓功率半导体的新技术，有望年内供应样品

近日，罗姆官方消息显示，其开发出用于GaN半导体的高速控制IC，能够减少电源封装面积86%，可把通过集成电路切换电流开关时的时间缩短到了2纳秒（仅为原来的四分之一），是业界最快的。使用这种控制IC，GaN半导体就能最大限度地发挥出比现有的硅(Si)半导体等更好的高速开关性能，还能实现驱动外围部件的小型化。

业界消息显示，该技术预计将与该公司制造的GaN半导体等结合，应用于通信基站、数据中心(DC)、工业机器、飞行机器人(无人机)等领域。最早将在2023年内开始供应样品。

国内GaN动态：6大项目开工/投产

另外，我国2023年1月至3月有多个氮化镓项目迎来最新进展，包括百思特达半导体氮化镓项目、博康(嘉兴)半导体氮化镓项目、仙芈智造新型智能功率模组(IPM)研发生产基地项目、中国电科射频集成电路产业化项目、东科半导体超高频氮化镓电源管理芯片项目等。

百思特达半导体GaN外延片项目试生产

近日，据盘锦日报消息，辽宁百思特达半导体旗下氮化镓项目获得新进展——2英寸&4英寸外延片处于试生产和产品认证阶段，正式投产后，可实现月生产2500片的产能。

据介绍，百思特达是2019年兴隆台区和盘锦高新区共同引进的高新技术产业项目，该公司主要研发生产氮化镓晶圆及氮化镓基芯片系列产品。

2019年11月，百思特达氮化镓项目正式开工建设，该项目占地125亩，总投资15亿元，其中一期投资3亿元；去年5月，项目一期正式建成，预计增加10条氮化镓外延生产线，实现年产10万片氮化镓外延片和10亿颗氮化镓芯片的产能提升。

博康建GaN项目，年产能为3000片

3月6日，“嘉兴城南”官微发文称，博康(嘉兴)半导体总投资约6亿元的氮化镓射频功率芯片先导线项目正式开工，该项目占地面积46667平方米，其中一期用地约33200平方米。

公开资料显示，博康（嘉兴）半导体成立于2022年10月，公司主营业务包括半导体分立器件制造、销售及服务等。

而且，3月3日，嘉兴市公共资源交易中心发布招标公告称，博康（嘉兴）半导体年产3000片氮化镓射频功率芯片先导线项目设计对外采购施工总承包，招标估算价约为1.9亿元。

根据公告，博康的氮化镓项目位于浙江嘉兴经开区，总工期历时一年左右，将新建工业厂房30543平米，并引进光刻机、磁控溅射机等设备约100台套用于生产国内技术领先的通信用氮化镓射频芯片先导线，预计年产能将为3000片。

东科半导体超高频氮化镓电源管理芯片项目预计4月底投产

据北青网消息，2月16日，东科半导体表示，旗下总投资5.5亿元的“超高频氮化镓电源管理芯片项目”已竣工，正在进行厂房装修和生产线调试，预计4月底投产。

公开资料显示，该项目项目占地52亩，新建厂房5.1万平米，主要从事氮化镓超高频AC/DC电源管理芯片、氮化镓应用模组封装线的研发、生产和销售。

仙芈智造新型智能功率模组(IPM)研发生产基地项目开工

今年1月上旬，合肥仙芈智造科技有限公司（）仙芈智造新型智能功率模组(IPM)研发生产基地项目正式开工。该项目总投资5亿元，建成后可实现年产3000万颗工业级IPM产品、1000万颗汽车级IPM产品、1000万颗氮化镓芯片封装产能，预计全部投产后年销售收入可达12亿元。

此前消息显示，该项目于2022年6月签约落户安徽蚌埠传感谷。目前，厂房外部墙面改造已完成，开始装修厂房和设备入场。

中国电科射频集成电路产业化项目建成完工

据中铁建工集团公众号消息，1月10日，中铁建工集团旗下“中国电科射频集成电路产业化项目”已经建成完工，该项目总投资超过30亿元。

项目建成后将形成年均5亿只射频集成电路，6万片4～6英寸氮化镓射频功率器件，1000万只射频模块的设计、生产、测试能力。

格晶半导体第三代半导体产业化项目落地江西上饶 总投资25亿元

据格晶半导体官方消息，1月5日，江西上饶市万年县与上海格晶半导体有限公司举行合作签约仪式。

此次签约的第三代半导体产业化项目总投资达25亿元，项目投产后可实现年产5万片8寸GAN功率器件，成为江西省第一家中国第二家量产氮化镓车载功率器件的晶圆厂。

封面图片来源：拍信网