资讯
英特尔展示下一代晶体管微缩技术突破，将用于未来制程节点(2023-12-10)
晶圆上，而非封装中，成功实现了硅晶体管与氮化镓（GaN）晶体管的大规模单片3D集成。
英特尔公司高级副总裁兼组件研究总经理Sanjay Natarajan表示：“我们正在进入制程技术的埃米时代，展望‘四年......
英特尔在IEDM 2023上展示3D堆叠、背面供电、背面触点研究成果(2023-12-10)
表的研究明确了超越PowerVia，进一步拓展背面供电技术的路径，及所需的关键工艺进展。此外，该研究还强调了对背面触点和其它新型垂直互联技术的采用，从而以较高的面积效率堆叠器件。
英特尔率先在同一块300毫米晶圆上成功集成硅晶体管和氮化镓......
英特尔在IEDM 2023上展示3D堆叠、背面供电、背面触点研究成果(2023-12-11 11:28)
需的关键工艺进展。此外，该研究还强调了对背面触点和其它新型垂直互联技术的采用，从而以较高的面积效率堆叠器件。英特尔率先在同一块300毫米晶圆上成功集成硅晶体管和氮化镓晶体管，且性能良好：●在IEDM 2022上......
Intel制程和封装4大突破：封装吞吐量提升100倍(2024-12-09)
技术都至关重要。
Intel代工此番公布的四大突破包括：
1、减成法钌互连技术
该技术采用了钌这种替代性的新型金属化材料，同时利用薄膜电阻率(thin film......
格芯获3500万美元资金补贴，加速制造下一代氮化镓芯片(2023-10-20)
Thomas Caulfield表示：“硅基氮化镓是新兴市场高性能射频、高压功率开关和控制应用的理想技术，对于6G无线通信、工业物联网和电动汽车非常重要。”
格芯......
先导激光氮化镓蓝光装备全链条国产化项目立项(2024-12-13)
先导激光氮化镓蓝光装备全链条国产化项目立项;近日，由先导科技集团旗下先导光电子事业部牵头的安徽省“科技创新攻坚计划-氮化镓蓝光装备的全链条国产化开发及应用”项目启动会在滁州市安徽省先进光电子材料......
“半导体口粮”出口管制影响多大？上市公司回应来了(2023-07-05)
大概率会引起下游产品价格变动。
以金属镓为例，目前我国金属镓的消费领域包括半导体和光电材料、太阳能电池、合金、医疗器械、磁性材料等。在半导体材料领域，金属镓是砷化镓、氮化镓的重要原料之一。
国金......
8月1日起！中国正式限制镓、锗等芯片关键材料出口(2023-08-01)
中指出，镓相关物项包含氮化镓、砷化镓、铟镓砷等;锗相关物项包含磷锗锌、锗外延生长衬底、二氧化锗等。
此举也引发了海外厂商囤货，因为没有这些是生产的关键材料，没有将没办法生产。
与铜或铝等工业金属......
3500万美元补贴，又一大厂发力氮化镓芯片(2023-10-20)
。
格芯佛蒙特州半导体制造工厂表示，继续朝着大规模生产用于航空航天和国防、蜂窝通信、工业物联网和汽车的下一代氮化镓芯片迈进。
格芯总裁兼CEO Thomas Caulfield表示：“硅基氮化镓是新......
中国宣布出口限制之后，美国如何采购镓？(2023-08-17)
这项工作的是纳维半导体公司，该公司正在开发氮化镓充电系统，该系统可以将电动汽车的家庭充电时间减少三分之一。这可能会对消费者对电动汽车的接受程度产生巨大影响。
由于大多数镓是作为铝土矿的「伴金属」开采的，因此......
碳化硅风头正劲，小心！氧化镓蓄势待发(2023-04-14)
和销售的科技型企业。
为满足日益增长的多元需求，半导体从以硅、锗为代表的第一代材料，以砷化镓、磷化铟为代表的第二代材料，以碳化硅、氮化镓为代表的第三代材料，发展至以氧化镓为代表的第四代半导体材料。氧化镓是什么？为何......
碳化硅风头正劲，小心！氧化镓蓄势待发(2023-04-17)
研发、生产和销售的科技型企业。
为满足日益增长的多元需求，半导体从以硅、锗为代表的第一代材料，以砷化镓、磷化铟为代表的第二代材料，以碳化硅、氮化镓为代表的第三代材料......
辉煌。”
氮化镓是一种宽禁带材料，功率密度更大、效率更高而尺寸更小，尤其是在高频开关应用中能够发挥重要作用。凭借低能耗和小型化的优势，氮化镓器件的适用范围极广。据市场分析机构预测，氮化镓......
英飞凌将收购氮化镓系统公司（GaN Systems）(2023-03-03)
凌是一家技术实力非常深厚的集成器件制造商，能够帮助我们充分发挥自身潜力，再创辉煌。”
氮化镓是一种宽禁带材料，功率密度更大、效率更高而尺寸更小，尤其是在高频开关应用中能够发挥重要作用。凭借低能耗和小型化的优势，氮化镓......
英飞凌成功收购GaN Systems，氮化镓市场向巨头“靠拢”？(2023-10-29)
宣布已获得美国提供的3500万美元联邦资金，以加速其位于佛蒙特州Essex Junction的工厂在硅半导体上制造差异化氮化镓（GaN）芯片。格芯总裁兼CEO Thomas Caulfield表示：“硅基氮化镓是新......
涨知识！氮化镓（GaN）器件结构与制造工艺(2024-06-17)
HEMT参数对比
因为氮化镓HEMT结构是外延结构，衬底可使用不同的材料。
附件：器件结构简介
为了更方便理解正文提及的器件结构概念，就常见的各类器件结构的缩写进行简单描述。
MOSFET：金属......
英飞凌将收购氮化镓系统公司，进一步巩固自身在全球功率系统领域的领导地位(2023-03-03)
辉煌。”
氮化镓是一种宽禁带材料，功率密度更大、效率更高而尺寸更小，尤其是在高频开关应用中能够发挥重要作用。凭借低能耗和小型化的优势，氮化镓器件的适用范围极广。据市场分析机构预测，氮化镓......
GaN在射频功率领域会所向披靡吗？(2017-08-01)
Act Title III氮化镓计划提供持续制造技术改进支持。还有其他一些先进的TriQuint氮化镓研发项目受到Tri-Services实验室（包括美国空军、陆军及海军）的资助。TriQuint研发人员是新型......
英特尔展示下一代晶体管微缩技术突破，将用于未来制程节点(2023-12-11 09:36)
晶圆上，而非封装中，成功实现了硅晶体管与氮化镓（GaN）晶体管的大规模单片3D集成。英特尔公司高级副总裁兼组件研究总经理Sanjay Natarajan表示：“我们正在进入制程技术的埃米时代，展望‘四年......
英特尔展示下一代晶体管微缩技术突破，将用于未来制程节点(2023-12-11)
晶圆上，而非封装中，成功实现了硅晶体管与氮化镓（GaN）晶体管的大规模单片3D集成。
英特尔公司高级副总裁兼组件研究总经理Sanjay Natarajan表示：“我们正在进入制程技术的埃米时代，展望‘四年......
三菱电机入局最强半导体，氧化镓将在10年后打败第三代半导体(2023-08-07)
”），一家开发和销售氧化镓晶圆的日本公司。
以碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)为代表的宽禁带半导体材料，凭借耐高温、抗高......
IQE 宣布与 SK siltron 达成战略合作协议(2022-10-13)
领域的领先企业能够联合起来，为氮化镓材料相关的增长市场共同开发产品，这一点可喜可贺。我期待着与 IQE 共同走向成功，并将这种关系发展到涵盖广泛的半导体材料领域。”关于氮化镓氮化镓是一种宽能隙半导体材料......
氮化镓争夺战火热进行中，规模超60亿元的收购案尘埃落定(2023-10-26)
Junction的工厂在硅半导体上制造差异化氮化镓（GaN）芯片。格芯总裁兼CEO Thomas Caulfield表示：“硅基氮化镓是新兴市场高性能射频、高压功率开关和控制应用的理想技术，对于6G无线......
氮化镓争夺战火热进行中，规模超60亿元的收购案尘埃落定(2023-10-26)
宣布已获得美国提供的3500万美元联邦资金，以加速其位于佛蒙特州Essex
Junction的工厂在硅半导体上制造差异化氮化镓（GaN）芯片。格芯总裁兼CEO Thomas
Caulfield表示：“硅基氮化镓是新......
英飞凌将收购氮化镓系统公司（GaN Systems），在扩充氮化镓产品线的同时(2023-03-03 17:28)
非常期待与英飞凌携手开始书写新的篇章。英飞凌是一家技术实力非常深厚的集成器件制造商，能够帮助我们充分发挥自身潜力，再创辉煌。”氮化镓是一种宽禁带材料，功率密度更大、效率更高而尺寸更小，尤其是在高频开关应用中能够发挥重要作用。凭借......
非常期待与英飞凌携手开始书写新的篇章。英飞凌是一家技术实力非常深厚的集成器件制造商，能够帮助我们充分发挥自身潜力，再创辉煌。”
氮化镓是一种宽禁带材料，功率密度更大、效率更高而尺寸更小，尤其......
15亿！台湾8英寸氮化镓功率厂商投资案通过(2024-10-10)
，台亚半导体举行股东会，会议通过了将8英寸GaN（氮化镓）事业群分割的计划。分割后，6英寸氮化镓产线继续保留在台亚，产线同时生产感测组件，且生产6英寸氮化镓是为子公司冠亚或其他厂商代工；8英寸氮化镓......
自力更生！韩国研发出替代氮化镓的新材料(2020-03-09)
产品和高频设备的核心设备。
公开资料显示，氮化镓是第三代半导体材料的代表之一，具备易散热，体积小，损耗小，功率大等诸多优点，被业内寄予厚望。可被应用于光电、功率和射频等多个领域，同时能满足高功率密度、低能耗、高频......
突破！西安高校团队从 8 英寸硅片制备出氧化镓外延片~(2023-03-17)
外延片，标志着在超宽禁带半导体研究上取得重要进展。
据悉，该研究成果出自西安邮电大学新型半导体器件与材料重点实验室的陈海峰教授团队。
陈海峰教授表示，氧化镓是一种超宽禁带半导体材料......
12英寸氮化镓，新辅助？(2024-09-10)
12英寸氮化镓，新辅助？;第三代半导体材料氮化镓，传来新消息：日本半导体材料大厂信越化学为氮化镓外延生长带来了有力辅助。
2024年9月3日，信越化学宣布研制出一种用于GaN（氮化镓）外延......
第四代半导体氧化镓，被忽略的商机(2023-07-31)
（极化率十倍于氮化镓，适合于高电子迁移率晶体管）方面的研究也逐渐增加。
所以从材料属性来说，氧化镓是一种很有希望的超宽禁带材料。氧化镓的优势不仅是材料性能高，更重要的是成本较低。2019年有......
重点研发“卡脖子”项目，同济大学氧化镓材料项目签约江苏无锡(2023-06-21)
共服务平台，建立院士工作站，挂牌“同济大学人工晶体研究院”等项目内容。
氧化镓是提升集成电路产业市场竞争力、实现产业跨越式技术进步的重要材料，正在逐渐成为半导体材料界一颗冉冉升起的新星，市场......
氧化镓：10年后将直接与碳化硅竞争(2023-01-09)
性质各有千秋。目前研究比较多的是β相（热稳定性最佳，禁带宽度~4.8eV），而α相（高禁带宽度~5.3eV）和ε相（极化率十倍于氮化镓，适合于高电子迁移率晶体管）方面的研究也逐渐增加。所以从材料属性来说，氧化镓是一种很有希望的超宽禁带材料......
第三代半导体科普，国产任重道远(2017-05-15)
。
这里要特别说明一下氮化镓GaN材料。
镓是地球上存在的一种贵金属材料，大约排名第十左右，中国储量全球第一。作为三代半导体材料当家花旦的氮化镓,近二十年来，由于LED照明产业的发展推动，已成为三代半导体材料中的核心材料......
长光华芯氮化镓子公司再获融资(2024-10-25)
激光芯片具有高效的能量转换效率和长时间稳定的性能，是激光显示、高亮照明、有色金属加工、3D打印和数字光刻等战略新兴产业不可或缺的新型高效半导体光源。
而氮化镓激光器具有直接发光、高效率、高稳定性等优势，其中，蓝光和绿光波段的氮化镓......
最新回应！事关“芯片新粮食”出口管制(2023-07-04)
，目前镓的世界总储量约23万吨，中国的镓金属储量居世界第一，约占世界总储量的80%-85%。其中：
被列入出口管制中的砷化镓作为第二代半导体材料的代表，在高频、高速......
安徽、山东接连发利好政策，发展第三代半导体！(2022-04-12)
，包括先进金属材料、先进化工材料、硅基新材料。
硅基新材料中包含半导体材料、新型显示材料、新能源材料和特种硅基材料。
半导体材料方面，将聚焦新能源、先进存储、智能......
氮化镓激光芯片厂商镓锐芯光完成天使轮融资(2024-09-04)
激光芯片具有高效的能量转换效率和长时间稳定的性能，是激光显示、高亮照明、有色金属加工、3D打印和数字光刻等战略新兴产业不可或缺的新型高效半导体光源。
而氮化镓激光器具有直接发光、高效率、高稳定性等优势，其中，蓝光和绿光波段的氮化镓......
从手机充电器到汽车充电器，氮化镓开启逆袭之路(2023-10-08)
从手机充电器到汽车充电器，氮化镓开启逆袭之路;
【导读】如今的消费类电源市场，要说「几乎人手一个氮化镓快充充电器」并不过分吧？从 2018 年前后开始，氮化镓快充充电器进入国内市场，随后便开启了第三代半导体材料......
广西大学团队制备出芯片产业关键原材料7N高纯镓(2023-08-07)
获得超高纯度、符合纳米级别芯片使用的金属镓是解决我国高精尖科技“卡脖子”的核心技术之一，这也是广西大学资源环境与材料学院研究生李柔遊一直致力攻克的难题。
保“镓”卫国......
从手机快充到电动汽车，氮化镓功率半导体潜力无限(2022-03-21)
亿美元
氮化镓是第三代半导体核心材料之一，具备开关频率高、禁带宽度大、更低的导通电阻等优势，这种材料通常应用于LED（照明、显示）、射频通讯与高频功率器件领域，手机快充是氮化镓......
全球芯片正在破局...(2024-07-15)
。其中氮化铝（AlN）和金刚石仍面临大量科学问题亟待解决，而针对氧化镓，业界指出，氧化镓是继第三代半导体碳化硅和氮化镓之后，最具市场潜力的材料。
氧化镓方面，根据资料，特性上，氧化镓......
多个芯片概念股涨停！涉及第三代半导体等领域(2022-02-23)
、PVD、清洗机等设备，氮化镓方面可以提供刻蚀、PECVD、清洗机等设备。
安集科技目前最新市值达130.94亿元，该公司主营业务为关键半导体材料的研发和产业化，目前......
氮化镓取代碳化硅？PI颠覆式1700V InnoMux2先来打个样(2024-11-12 09:47)
，继续推高氮化镓的裕量和耐用性，但“天空才是尽头”，所以才有了如今的1700V 氮化镓。实际上，1700V的碳化硅技术PI也有，但是阎金光表示，氮化镓在价格上更具优势，包括材料、生产工艺、切割......
西安邮电大学成功在8英寸硅片上制备出了高质量的氧化镓外延片(2023-03-13)
西安邮电大学成功在8英寸硅片上制备出了高质量的氧化镓外延片;近日，西安邮电大学由电子工程学院管理的新型半导体器件与材料重点实验室陈海峰教授团队成功在8吋硅片上制备出了高质量的氧化镓外延片，这一......
英飞凌对英诺赛科提出专利侵权诉讼(2024-03-14)
度增长，达到约 20 亿美元（资料来源：Yole，Power SiC and GaN Compound Semiconductor Market Monitor Q4 2023）。氮化镓是一种宽禁带半导体，具有......
上海、山西、辽宁、湖南...国内再添一批第三代半导体项目(2021-08-12)
产业以及物流产业等领域进行全方位合作。
根据协议，双方将合作建设以氮化镓半导体为核心的第三代半导体产业基地、以金属铜为原料向下游延伸建设5G新材料产业基地，同时搭建金属和新材料等大宗商品交易平台，建设......
氮化镓激光芯片终于实现国产，氮化镓正在向快充以外的市场进军(2023-08-29)
三代半导体，除了碳化硅，就是近几年声名鹊起，后来者居上的“氮化镓”了。
氮化镓作为第三代半导体材料的前沿代表，与前代半导体材料相比，多项指标有显著提升。氮化镓是......
氧化镓商业化脚步临近，或将与碳化硅直接竞争(2023-09-22)
对市场需求产生的带动作用。
氮化镓适用于1000V以下的中低压的市场，碳化硅适用于650V以上的中高压市场。氧化镓作为一种新型超宽禁带半导体材料，虽然......
2026年全球GaN射频器件市场预计超过24亿美元(2021-06-08)
2026年全球GaN射频器件市场预计超过24亿美元;氮化镓是一种无机物，化学式GaN，是氮和镓的化合物，是一种直接能隙（direct bandgap）的半导体，可以用在高功率、高速的光电元件中。
在......
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;上海勤峰新型金属材料制品有限公司;;上海勤峰新型金属材料制品有限公司是一家集生产加工、经销批发的私营有限责任公司，超微晶铁芯、非晶态镍基带、非晶态铜基带、各种焊接材料、超微晶带材、电感铁芯、零序铁芯是上海勤峰新型金属材料
;苏州道瀚新型金属材料有限公司;;
;金属材料东莞市德鑫金属材料制品厂;;各种不锈钢拉技料，钛拉技料 各种工业电炉：成套精密铸造设备 氮化炉（光亮退火炉） 钨钢陶瓷烧结炉 脱脂炉，网带炉 遂道炉及各种电炉配件
子体 (PDP)显示荧光粉、氮化镓基白光二级管光源材料，新型太阳能光源等新型环保节能产品的研发生产。
公司与等离子体研究所专家们精诚协作，致力于金属材料离子氮化工艺的研究和开发，只需要您提出加工零件的技术要求和生产纲领，其余的事就交给我们吧！
公司与等离子体研究所专家们精诚协作，致力于金属材料离子氮化工艺的研究和开发，只需要您提出加工零件的技术要求和生产纲领，其余的事就交给我们吧！
苦创业的道路上大胆探索，闯过无数惊涛骇浪，涉过无数风暴险滩，在金属销售市场创造了多个记录，成为华南地区生产规模最大、技术装备最先进、品种规格最齐全、产品质量领先、综合实力最强的综合性特大型金属材料企业。 机遇
;长沙遥疆金属材料科技有限公司 排气塞 透气钢;;长沙遥疆金属材料科技有限公司 排气塞 透气钢,排气塞. 。 长沙遥疆金属材料科技有限公司 排气塞 透气钢,排气塞. 我们公司长沙遥疆金属材料
manufacturing in Taiwan.
; EPC设计，开发，市场，销售基于氮化镓的电源管理设备，采用成熟的晶圆代工厂。使最高效的能源转换，利用优越的半导体材料，EPC是率先推出增强型氮化镓
;龙岩市纳星超硬材料发展有限公司;;龙岩市纳星超硬材料发展有限公司成立于1992年，是由福建龙岩超硬新材料应用研究所转制组建的科技型企业。公司拥有一批多年从事非金属材料研发、生产制造的专业人才，具有