10月4日,中国台湾科学园区审议会第19次会议召开,会中通过冠亚半导体股份有限公司(下文简称“冠亚”)投资议案。据介绍,该案投资金额达15亿元新台币(折合人民币约3.29亿元),主要用来生产氮化镓功率元件相关产品。
资料显示,冠亚为台亚半导体子公司,专注于氮化镓(GaN)功率技术。公司可提供的氮化镓功率元件包含650V(GaN on Si)以下与1200V(GaN on Sapphire/SiC)以上规格,产品可应用在快速充电器、电动车、太阳能逆变器等新兴应用领域。值得一提的是,未来冠亚或将重心放在8英寸氮化镓业务的发展。
今年5月底,台亚半导体举行股东会,会议通过了将8英寸GaN(氮化镓)事业群分割的计划。分割后,6英寸氮化镓产线继续保留在台亚,产线同时生产感测组件,且生产6英寸氮化镓是为子公司冠亚或其他厂商代工;8英寸氮化镓事业群则在分割完成后由冠亚承接。
据集邦化合物半导体此前报道,冠亚8英寸氮化镓产线的第一批设备已经全数到位,原计划预定在第三季试产8英寸氮化镓,若一切顺利冠亚将在第四季前完成第一颗产品,第一条线月产能预估达2,000片。据了解,目前8英寸氮化镓业务已接到客户订单。
本次投资案通过以后,冠亚将借助母公司台亚半导体的外延技术和研发资源,进一步整合上下游产业链,加强中国台湾地区在化合物半导体外延技术及相关高功率元件开发领域的竞争优势,并推动氮化镓长晶、晶圆切片及周边材料供应链的产业集群的完善。
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