近日,据华矽盖泽半导体科技(上海)有限公司(以下简称“盖泽半导体”)消息,其自主研发生产的SiC外延膜厚测量设备GS-M06Y已正式交付客户。
消息显示,GS-M06Y将应用于半导体前道量测,主要针对硅外延/碳化硅外延层厚度进行测量。GS-M06Y设备采用了盖泽半导体自主研发的高精算法、Load Port、控制软件以及FTIR光路系统。据悉,该公司自主研发的FTIR光路系统,可快速检测晶圆厚度,实现了扫描速度快、分辨率高、灵敏度高等需求。
值得一提的是,此次出货的设备与以往不同,此台设备运用盖泽半导体最新研发的碳化硅外延检测技术,可对碳化硅外延精准测量,是继盖泽半导体9月硅外延检测设备出货后,公司的又一里程碑。盖泽半导体不仅突破了SiC外延检测技术,还可实现一代半导体(硅外延6英寸&8英寸&12英寸)、二代半导体(砷化镓、磷化铟衬底外延4英寸&6英寸&8英寸)、三代半导体(碳化硅外延4英寸&6英寸&8英寸、氮化镓外延)、SOI片顶层硅6英寸&8英寸&12英寸,以及锗硅外延制程工艺中不同的外延层厚度测量。
封面图片来源:拍信网
文章来源于:全球半导体观察 原文链接
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