1月12日，全磊光电股份有限公司（下文简称“全磊光电”）化合物半导体外延片/芯片研发及产业化项目在厦门开工。

据全磊光电官方微信介绍，该园区将引进国际领先的生产设备和技术工艺，打造集智能化生产、研发创新以及配套服务于一体的产业化基地，致力于实现产业的规模化、智能化、集约化。

据了解，全磊光电主要为光电子和微电子行业客户提供光通信、数据中心、智能传感等应用的高品质外延片，包含InP和GaAs基多种光电产品，涵盖激光器（FP/DFB/VCSEL）以及探测器（MPD/PIN/APD）等各系列产品。据集邦化合物半导体观察，近期国内还有多个化合物半导体项目刷新进度。

·芯辰半导体

12月16日，芯辰半导体外延设备已投产，覆盖砷化镓（GaAs）及磷化铟（InP）光芯片四元化合物全材料体系。此外，相关外延片已获客户长期合作订单，其中砷化镓外延片最大可支持6英寸晶圆、磷化铟外延片最大可支持4英寸晶圆，同时配套有相关晶圆质量检测设备。

·唐晶量子

12月22日，唐晶量子化合物半导体外延片研发和生产项目投产。该项目建设了一条砷化镓和磷化铟化合物半导体外延片生产线，用于化合物半导体外延片的研发及生产。

·立昂微

12月23日，立昂微子公司海宁立昂东芯6英寸微波射频芯片及器件项目正式通线。项目规划总投资50亿元，布局6英寸砷化镓微波射频芯片、氮化镓（GaN HEMT）以及垂直腔面激光器（VCSEL）等产品领域，建成后将达到年产36万片6英寸微波射频芯片及器件的生产规模。

·浪潮半导体

1月6日，浪潮集团打造的半导体激光器外延片、芯片、器件一体化研发生产基地——浪潮半导体产业园投产。项目总投资6个多亿，投产后年产半导体激光芯片、器件等6000多万只。

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