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路的型号有H108型和108型两种：H108的e、b两端已内接l kfl，电阻R；而108型在使用时必须在b、e之间接一只1Ω电阻；由于H108型e、b之间屯阻为扩散电阻，其阻值易随温度变化，因此......
流的大小决定了器件性能。碲镉汞器件各种暗电流中，扩散电流和产生-复合电流由材料电学性能及复合机制决定，隧道电流与材料缺陷性能有关。扩散电流是PN结空间电荷区两端载流子在电场作用下发生扩散和漂移而形成的电流，是热平衡下由空间电荷区两端少子扩散......
部电场区域变窄，可以有较大的正向扩散电流通过PN结。只有当正向电压达到某一数值(这一数值称为“门槛电压”，锗管约为0.2V，硅管约为0.6V)以后，二极管才能真正导通。但二......
MOSFET 的p 型宽扩散区（p 阱）底部注入氮气，可减小扩散电阻（Rspread）并增大 SBD 电流。东芝还通过减小JFET 区和注入氮气，减小了反馈电容和JFET 电阻。因此，在未增大RonA......
。   图1.在运算放大器输入端增加串联电阻之后，可以测量运算放大器的输入电容。 在记录频率响应时，必须确保测量精度不受PCB或测试设备的杂散电容和杂散电感影响。 为提高测量分辨率，应尽可能降低杂散电......
在线性上升，到t2结束时刻，Id上升到电感电流，换流结束。在电感电流上升的这个过程中Vds会稍微有一些下降，这是因为下降的di/dt在杂散电感上面形成一些压降，所以侧到的Vds会有一些下降。从t2开始......
减少关断电压与电流的重叠面积，达到减少损耗提高效率的目的。由于系统杂散电感的存在，IGBT两端不可避免会承受超过母线的尖刺电压，正常工况下通过合理布板与母排设计可以减小此寄生电感，同时通过驱动电阻......
第四个：亚阈值区域，它在超低功耗模拟集成电路设计中非常流行。 该区域的形成是因为晶体管在VGS低于Vth时不会完全关闭。相反，扩散电流在源极和漏极之间形成了一个小沟道。当VGS < Vth时，这种扩散电......
振荡的原因 （图片来源于Bel Fuse） 由于能量无法及时耗散，因此能量在电容和电感之间，以恒定的幅度长久持续地振荡。 ●   可能的解决方案 - 引入耗散电阻 为了避免振荡的发生，可以引入耗散电阻......
保护电路的电路图（：IEEE） 软关断功能用于限制由于高杂散电感变化而产生的电压尖峰。R3 电阻和有源 MOSFET 开关实现相同的功能。当故障信号变高时，MOSFET 被触发以使用用于 GaN HEMT 栅极......
接头的屏蔽与电缆中心导体互联， 以降低对地杂散电容的影响。 3.3 4端子法 设置独立的电压检测电缆， 以消除由于测试电缆串联阻抗所引起的电压降和接触电阻的影响， 是一种减少低阻抗测试误差的方法。 但需......
载流能力以及低的寄生参数，如寄生电阻和电感。从模块到直流母线的低杂散电感需要叠层，正负电位之间间距必须尽可能小。此外简便的自上而下的高批量生产和坚固的连接是汽车较为恶劣的环境所需要的，汽车......
）］ 结论：同样的条件下，电容值C跟时间值t成正比关系，电容越大，充电到达某个临界值的时间越长。 02电路设计 电路设计时其实就是个上拉电阻 PCB设计，直接一个圆形，和底层接地覆铜形成杂散电......
、引线电感和杂散电容，因此，一个标准的脉冲信号在经过较长的传输线后，极易产生上冲和振铃现象。大量的实验表明，引线电阻可使脉冲的平均振幅减小；而杂散电容和引线电感的存在，则是......
应变片主要有金属和半导体两类，金属应变片有金属丝式、箔式、薄膜式之分。半导体应变片具有灵敏度高（通常是丝式、箔式的几十倍）、横向效应小等优点。 压阻式传感器 压阻式传感器是根据半导体材料的压阻效应在半导体材料的基片上经扩散电阻......
用于各种复杂恶劣的环境（如存在影响测量精度的高杂散电流）。 产品特点： • 自动定范围：自动选择最佳电阻范围和测试电流 • 设计拒用高频噪音和干扰 • 电阻和故障连接相关情况 • 大型易读背光显示器 • 坚固......
制造商通常使用螺丝接头来连接SiC模块的外部铜触点与汇流排，但螺丝接头对逆变器的电感值、大小和电阻都有负面影响。为了减少SiC模块的杂散电感，越来越多企业将DC输入端的叠层母排与薄膜电容，通过激光焊接进行连接。 模块......
坡速度。在设计电源电路时，依赖性很重要。然而，更换 Rg 并不方便，因为 GaN 功率电路的栅极电阻通常是 SMD 类型，以限度地减少杂散电感。因此，应焊接和拆焊 Rg 以测量栅极电阻依赖性。　　对于......
电压，|Vth|）时，漏极-源极电阻减小，使得MOSFET导通。这种漏极-源极电阻称为导通电阻。n沟道和p沟道MOSFET的栅极和源极之间施加的电压方向不同。图3显示了MOSFET导通的条件。 图3......
LCR表测试直流电阻的具体方法;LCR表测量功能中有Rdc测试，即直流电阻测试功能。与数字万用表采用固定直流电源作为输出，利用欧姆定律求得电阻值不同，LCR表内部施加正负0.1V的电压，然后......
器件的特征尺寸缩小到深亚微米（0.25um≥L），限制MOS器件缩小的主要效应是短沟道效应。为了改善短沟道效应，MOS器件的扩散区结深也不断缩小，结深不断缩小导致扩散区的电阻不断变大，因为扩散......
的噪声电压密度，AD8065是一款145 MHz FET输入运算放大器，具备2.1 pF共模输入容抗。10 GΩ电阻热噪声为12.8 μV/√Hz，直至电路板的输入电容和插座杂散电容滚降电压噪声。理想情况下，应该在–20......
电路中，必须考虑PN结电容的影响(正向偏置为扩散电容，反相偏置为势垒电容) 5、在高密度的场合下，由于收发信号挨在一起，很容易发生串扰，这在布线时要遵守3W原则，即相邻PCB走线的中心线间距要大于PCB......
电路中，必须考虑 PN 结电容的影响（正向偏置为扩散电容，反向偏置为势垒电容）。 5、在高密度的场合下，由于收发信号挨在一起，很容易发生串扰，这在布线时要遵守 3W 原则，即相......
还是用水管内流水来比喻电流，当这个控制电流为10mA时使主水管上的阀开大到能流过1A的电流，但是不是就能有1A的电流流过呢？不是的，因为上面还有个电阻，它就相当于是个固定开度的阀门，它串在这个主水管的上面，当下面那个可控制的阀开度到大于上面那个固定电阻......
导电性 。ＰＮ结外加正向电压时，扩散电流 大于 漂移电流，耗尽层 变窄 。 4、二极......
剂材料可以改善脱溶锂离子在固体电解质界面（SEI）和负极材料内的扩散，从而实现高电导率、低阻抗和良好的稳定性。 研究人员Noriyoshi Matsumi和Rajashekar Badam教授表示：“目前......
满足10BASE-T1S规范的共模扼流圈及片状压敏电阻;随着以实现自动化驾驶为目标的新一代车辆的开发蓬勃发展，车辆架构开始发生巨大变化。其中，连接负责高级驾驶辅助系统（ADAS）的ECU之间......
的脉冲负载极限。但是，如果把整个电阻热扩散特征时间延伸较长脉冲持续时间，则非绝热极限曲线可以涵盖连续负载极限曲线（图2）。 图2：从绕线角度看非绝热边界条件下最大允许脉冲负载（蓝曲线），根据相应热扩散......
器件作为动力核心，旨在显著提升车辆的续航里程并优化系统整体效率。 SiC 功率器件不仅集成了传统高性能的功率半导体模块与先进的隔离式栅极驱动器，还实现了前所未有的开关速度飞跃，大幅降低了导通电阻......
电容体上的累积电量，转换为电容量的读数。 电容法，可能因电缆绕成圈状、各绝缘芯绕在一起而形成的电感，非良导体(如钢带)的电阻、各导电体之间的杂散电容等而影响精确度；此中的电感很小，可以不计；电阻......
外围器件进行繁琐的应用程序设计。 系统程序流程如图4所示。 读两字节的温度值寄存器时序。 3、 远程离温度数据采集的实现方法 本实例中要求测量近20m的温度节点，为了简化系统硬件设计，没有使用缓冲器进行驱动；而通过加适当的上拉电阻......
积和连接阻抗仅为其他头部企业相同规格模块的50%，且产品具有极低内部杂散电感，是一种可直接水冷的高可靠性压注封装，具有高环境友好性和高功率循环寿命。 此次发布会上，赛晶......
杂后的半导体本身为电中性 4、P+和N+表示重度掺杂;P-和N-表示轻度掺杂 PN结原理如下图，空穴和电子的扩散形成耗尽层，耗尽......
°C时，扼流圈能处理的额定电流介于0.7 A和2.3A之间。产品所用的塑 料底座和磁芯涂覆的环氧树脂都符合UL94 V-0要求。 除了优异的共模抑制能力，由于杂散电感相对高约2%，新型......
一个固定电平的作用。 ▉ G极串联电阻的作用 MOS管是压控型，有的情况下，为什么还需要在G极串联一个电阻呢？ 1、减缓Rds从无穷大到Rds(on)。 2、防止震荡，一般单片机的I/O输出口都会带点杂散电感，在电......
三极管和MOS管下拉电阻的作用;关于本文引用地址：简单讲解一下，如果工作在饱和区（完全导通），Rce≈0，Vce≈0.3V，且这个0.3V，我们就认为它直接接地了。那么就需要让Ib大于等于1mA，若......
恶劣工况下内管的电压应力，优化外围直流母线及功率走线杂散电感或是调整外围驱动参数以改善内管的电压应力，避免器件过压失效。 图13 F3L400R10W3S7双脉冲实测波形 同时通过DPT也可量化两种换流回路杂散电......
你知道PTC热敏电阻与NTC热敏电阻的区别吗？;超级电容因充电速度快，转换能量效率高，可以循环使用数十万次，工作时间长等优势，现在已经运用到新能源公交上。用超......
基本都是绑定线这种形式，当然也有带状绑定线的形式。而这类模块的回路杂散电感一般从9nH到20nH以上，其实对于SiC等高速开关器件来说是存在一定限制的。 因为在硬开关操作过程中，回路杂散电......
作为一种宽禁带半导体器件，具有耐高温、高压，导通电阻低等优点，被公认为将推动新能源汽车领域产生重大技术变革。如何充分发挥碳化硅器件高压高温大容量的优异性能，给封装技术带来了新的挑战。   针对......
x 267.5 mm。 在设计系统时，需要考虑五个关键点： 使用碳化硅（SiC）技术可实现的高功率密度。虽然碳化硅（SiC）支持在更高温度下运行，但高功率密度需要采用先进的散热技术。 开关速度快会令系统更容易出现杂散电......
现更高的电流和电压处理一级更高的效率，但是要使其应用于高压MOSFET，还有很多工作要做。不断改进超结结构，不同的材料、技术和设计以优化性能。努力得到了回报，我们成功开发出了MDmesh，比以前的超结有了更低的导通电阻......
接地电阻测试仪的常见故障分析;1．在测高层建筑物接地时，阻值为什么会比地面阻值大。且显示数据跳动严重，是什么原因造成的，如何避免？ 这是因为高层建筑测量时，高层......
Microsemi扩展高频率垂直扩散金属氧化物半导体MOSFET产品系列;Microsemi宣布扩展高频率垂直扩散金属氧化物半导体(VDMOS) MOSFET产品系列，两款更大功率、更高电压(V......
-Clip技术，所以今天针对TPAK我们就简单聊一聊这两个小话题。 01、激光焊接技术 常见的模块功率端子的外部连接方式是通过螺丝，板级的通过常规焊接方式进行连接。相对于螺丝的安装方式，接触电阻......
在系统层面上性价比。 与1200V共集电极IGBT模块组合，可以实现NPC2拓扑结构，与1200V的NPC1拓扑结构相比杂散电感小，可以把IGBT开关得更快，这一相同的封装尺寸下，系统......
？ 接地电阻就是电流由接地装置流入大地再经大地流向另一接地体或向远处扩散所遇到的电阻......
远小于RL的话，那么可以忽略 RL 对 R2 的影响。 在功耗和瞬态时间之间存在取舍权衡。为了使接口电流的功耗需求最小，串联电阻 R1 和 R2 应尽可能大。但是，负载电容 （由杂散电容 CS 和......
19个常用的5V转3.3V技巧(2024-10-22 16:05:36)
使接口电流的功耗需求最小，串联电阻 R1 和 R2 应尽可能大。但是，负载电容 （由杂散电容 CS 和 3.3V 器件的输入电容 CL 合成）可能会对输入信号的上升和下降时间产生不利影响。如果 R1 和 R2 过大......

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