1、在常温下，硅二极管的门槛电压约为
0.5V
，导通后在较大电流下的正向压降约为
0.7V
；锗二极管的门槛电压约为
0.1V
，导通后在较大电流下的正向压降约为
0.2V
。
3、二极管的最主要特性是
单向导电性
。ＰＮ结外加正向电压时，扩散电流
大于
漂移电流，耗尽层
变窄
。
4、二极管最主要的电特性是单向导电性，稳压二极管在使用时，稳压二极管与负载并联，稳压二极管与输入电源之间必须加入一个
电阻
。
5、电子技术分为模拟电子技术和数字电子技术两大部分，其中研究在平滑、连续变化的电压或电流信号下工作的电子电路及其技术，称为
模拟
电子技术。
6、PN结反向偏置时，PN结的内电场
增强
。PN具有
具有单向导电特性
。
7、硅二极管导通后，其管压降是恒定的，且不随电流而改变，典型值为
0.7伏
；其门坎电压Vth约为
0.5伏
。
8、二极管正向偏置时，其正向导通电流由
多数
载流子的
扩散
运动形成。
9、P型半导体的多子为
空穴
、N型半导体的多子为
自由电子
。
10、因掺入杂质性质不同，杂质半导体可为
空穴（P）
半导体和
电子（N）
半导体两大类。
11、二极管的最主要特性是
单向导电性
，它的两个主要参数是反映正向特性的
最大整流电流
和反映反向特性的
反向击穿电压
。
12、在常温下，硅二极管的开启电压约为0.5 V，导通后在较大电流下的正向压降约为
0.7V
。
13、频率响应是指在输入正弦信号的情况下，
输出随频率连续变化的稳态响应
。
15、N型半导体中的多数载流子是
电子
，少数载流子是
空穴
。
16、按一个周期内一只三极管的导通角区分，功率放大电路可分为
甲类
、
乙类
、
甲乙类
三种基本类型。
17、在阻容耦合多级放大电路中，影响低频信号放大的是
耦合和旁路
电容，影响高频信号放大的是结电容。
18、在NPN三极管组成的基本共射放大电路中，如果电路的其它参数不变，三极管的β增加，则IBQ
增大
，ICQ
增大
，UCEQ
减小
。
19、三极管的三个工作区域是
截止
，
饱和
，
放大
。集成运算放大器是一种采用直接耦合方式的放大电路。
20、某放大电路中的三极管，在工作状态中测得它的管脚电压Va = 1.2V， Vb = 0.5V, Vc = 3.6V, 试问该三极管是
硅管
管（材料），
NPN
型的三极管，该管的集电极是a、b、c中的
C
。
21、已知某两级放大电路中第一、第二级的对数增益分别为60dB和20dB, 则该放大电路总的对数增益为
80
dB，总的电压放大倍数为
10000
。
22、 三极管实现放大作用的外部条件是：
发射结正偏、集电结反偏
。某放大电路中的三极管，测得管脚电压Va = -1V，Vb =-3.2V, Vc =-3.9V, 这是
硅
管（硅、锗），
NPN型
，集电极管脚是
a
。
23、三种不同耦合方式的放大电路分别为：
阻容（RC）耦合
、
直接耦合
和
变压器耦合
，其中
直接耦合
能够放大缓慢变化的信号。
24、在多级放大电路中，后级的输入电阻是前级的
负载
，而前级的输出电阻可视为后级的
信号源的内阻
。多级放大电路总的通频带比其中每一级的通频带
要窄
。
25、某放大电路在负载开路时的输出电压为4V，接入12kΩ的负载电阻后，输出电压降为3V，这说明放大电路的输出电阻为
4kΩ
。
①发射结
正向
偏置，集电结反向偏置。②对于ＮＰＮ型三极管，应使VBC
＜0
。
27、放大器级间耦合方式主要有阻容（RC）耦合、直接耦合和
变压器
耦合三大类。
28、在三极管组成的三种不同组态的放大电路中，
共射和共基
组态有电压放大作用，
共射
组态有电流放大作用，
共射和共集
组态有倒相作用；
共集
组态带负载能力强，
共集
组态向信号源索取的电流小，
共基
组态的频率响应好。
29、三极管放大电路的三种基本组态是
共集
、
共基
、
共射
。
30、多级放大器各级之间的耦合连接方式一般情况下有
直接耦合
，
阻容耦合
，
变压器耦合
。
31、在单级共射放大电路中，如果输入为正弦波形，用示波器观察VO和VI的波形，则VO和VI的相位差为
180°
；当为共集电极电路时，则VO和VI的相位差为
0
。
32、放大器有两种不同性质的失真，分别是
饱和
失真和
截止
失真。
33、晶体管工作在饱和区时，发射结
正偏
，集电结正偏；工作在放大区时，集电结反偏，发射结正偏。
34、在共射、共集和共基三种放大电路组态中，希望电压放大倍数大、输出电压与输入电压反相，可选用
共射
组态；希望输入电阻大、输出电压与输入电压同相，可选用
共集
组态。
35、场效应管同双极型三极管相比，其输入电阻
大
，热稳定性
好
。
36、影响放大电路通频带下限频率fL的是
隔直
电容和
极间
电容。
37、三极管工作在放大区时，它的发射结保持
正向
偏置，集电结保持
反向
偏置。
38、场效应管有
共源
、
共栅
、
共漏
三种组态。
39、在多级放大电路中总的通频带比其中每一级的通频带窄。
40、场效应管从结构上分成
结型FET
和
MOSFET
两大类型，它属于
电压
控制型器件。
41、场效应管属于
电压控制电流
型器件，而双极型半导体三极管则可以认为是
电流控制电流型
器件。
42、场效应管是
电压控制电流
器件，只依靠多
数载流子
导电。
43、根据场效应管的输出特性，其工作情况可以分为
可变电阻区
、
恒流区
、
击穿区
和
截止区
四个区域。
44、当栅源电压等于零时，增强型FET
无
导电沟道，结型FET的沟道电阻
最小
。
45、FET是
电压控制器件
，BJT是
电流控制
器件。
46、在甲类、乙类和甲乙类功率放大电路中，效率最低的电路为
甲类
。
47、一个输出功率为10W的扩音机电路，若用乙类推挽功放，则应选额定功耗至少应为
2W
的功率管
2只
。
48、在甲类、乙类和甲乙类功率放大电路中，效率最低的电路为
甲类
，为了消除交越失真常采用
甲乙类
电路。
49、乙类功放的主要优点是效率高，但出现交越失真，克服交越失真的方法是
采用甲乙类
。
50、乙类互补对称功率放大电路产生特有的失真现象叫
交越
失真。
51、双电源互补对称功率放大电路（OCL）中VCC=8v，RL=8Ω，电路的最大输出功率为
4W
，此时应选用最大功耗大于
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