肖特基二极管4大特性,你都知道吗? 发布时间: 2025-01-07 19:59:31 来源: 电路大讲堂 前言 肖特基二极管是重要的电子元器件,因为其承载着保护电路的重要作用,所以显得格外的不可或缺,我们都知道在选择肖特基二极管时,主要看它的正向导通压降、反向耐压、反向漏电流等。 但我们却很少知道其在不同电流、不同反向电压、不同环境温度下的关系是怎样的,在电路设计中知道这些关系对选择合适的肖特基二极管显得极为重要,尤其是在功率电路中。知道其特性,对于我们的使用也更加得心应手,下面这篇文章将带你一起去探索神秘的肖特基二极管特性。 1、正向导通压降与导通电流的关系 在肖特基二极管两端加正向偏置电压时,其内部电场区域变窄,可以有较大的正向扩散电流通过PN结。 只有当正向电压达到某一数值(这一数值称为“门槛电压”,锗管约为0.2V,硅管约为0.6V)以后,肖特基二极管才能真正导通。 但肖特基二极管的导通压降是恒定不变的吗?它与正向扩散电流又存在什么样的关系?通过下图的测试电路在常温下对型号为SM360A的肖特基二极管进行导通电流与导通压降的关系测试,可得到所示的曲线关系:正向导通压降与导通电流成正比,其浮动压差为0.2V。 从轻载导通电流到额定导通电流的压差虽仅为0.2V,但对于功率肖特基二极管来说它不仅影响效率也影响肖特基二极管的温升,所以在价格条件允许下,尽量选择导通压降小、额定工作电流较实际电流高一倍的肖特二极管。 2、正向导通压降与环境的温度的关系 在我们开发产品的过程中,高低温环境对电子元器件的影响才是产品稳定工作的最大障碍。 环境温度对绝大部分电子元器件的影响无疑是巨大的,肖特基二极管当然也不例外,在高低温环境下通过对SM360A的实测数据表的关系曲线可知道:肖特基二极管的导通压降与环境温度成反比。 在环境温度为-45℃时虽导通压降最大,却不影响肖特基二极管的稳定性,但在环境温度为75℃时,外壳温度却已超过了数据手册给出的125℃,则该二极管在75℃时就必须降额使用。这也是为什么开关电源在某一个高温点需要降额使用的因素之一。 3、肖特基二极管漏电流与反向电压的关系 在肖特基二极管两端加反向电压时,其内部电场区域变宽,有较少的漂移电流通过PN结,形成我们所说的漏电流。 漏电流也是评估肖特基二极管性能的重要参数,肖特基二极管漏电流过大不仅使其自身温升高,对于功率电路来说也会影响其效率,不同反向电压下的漏电流是不同的,关系所示:反向电压愈大,漏电流越大,在常温下肖特基二极管的漏电流可忽略。 4、肖特基二极管漏电流与环境温度的关系 其实对肖特基二极管漏电流影响最大的还是环境温度,是在额定反压下测试的关系曲线,从中可以看出:温度越高,漏电流越大。 在75℃后成直线上升,该点的漏电流是导致肖特二极管外壳在额定电流下达到125℃的两大因素之一,只有通过降额反向电压和正向导通电流才能降低肖特基二极管的工作温度。 部分电子书籍截图 【整套硬件学习资料合集】 相关关键词 肖特基二极管作用原理 肖特基二极管的特点 肖特基二极管伏安特性 肖特基整流特性 二极管的最主要特性是 肖特基二极管百度百科 整流特性 文章来源于: 电路大讲堂 原文链接 本站所有转载文章系出于传递更多信息之目的,且明确注明来源,不希望被转载的媒体或个人可与我们联系,我们将立即进行删除处理。 相关文章 国芯思辰|1200V/5A碳化硅肖特基二极管B1D05120K(替代科锐C4D05120A)用于电动车充电 的方案中提到基本半导体的SiC半导体器件,可为车载电源转换系统提供最高的功率密度和耐用性,非常适合车外充电和其他户外应用。 电动车充电 如下图所示,将快速恢复二极管或肖特基二极管作为整流二极管使用。 电动车充电一般原理... 2024-06-24 硬件工程师入门基础元器件与电路原理 硬件工程师入门基础元器件与电路原理; 本文介绍了硬件工程师入门的基础元器件,包括二极管、三极管、MOS管和IGBT。对比了肖特基二极管与硅二极管的特性,探讨了三极管作... 2024-12-03 11:23:44 肖特基二极管4大特性,你都知道吗? 知道吗?; 前言 肖特基二极管是重要的电子元器件,因为其承载着保护电路的重要作用,所以显得格外的不可或缺,我们都知道在选择肖特基二极管时,主要看它的正向导通压降、反向... 2025-01-07 19:59:31 三安集成完成碳化硅MOSFET量产平台打造,贯通碳化硅器件产品线 优良的阈值电压稳定性。 更强的体二极管能力 由于器件结构的原因,碳化硅MOSFET的体二极管是PiN二极管,器件的开启电压高,损耗大。在实际使用中,往往会通过并联肖特基二极管作续流,减小系统损耗。三安集成的碳化硅MOSFET... 2020-12-03 交流耦合视频驱动程序的直流恢复电路 确设置输入共模电平,滤波器或驱动器输入需要一个钳位和偏置电路。 采用肖特基二极管的直流恢复 对视频设备的输出进行交流耦合时,直流内容会丢失。要恢复直流偏置电平,视频... 2024-07-17 氧化镓半导体器件,中国再获重要进展 电荷浓度的器件击穿特性比较。(c)封装器件反向恢复特性测试电路。(d)与已报道的氧化镓肖特基二极管的性能比较。 氧化镓光电探测器 光电探测器在目标跟踪、环境监测、光通信、深空探索等诸多领域发挥着越来越重要的作用... 2022-12-14 碳化硅肖特基二极管在光伏逆变器的应用 碳化硅肖特基二极管在光伏逆变器的应用;在全球推进清洁与可再生能源的伟大征程中,光伏发电行业一路蓬勃发展。根据国家能源局发布的全国电力工业统计数据显示,2022年全... 2023-03-20 功率MOS体二极管参数分析 降低开关频率或者采用dead time更小的MOS驱动芯片,或者外部并联肖特基二极管,减小VSD。 体二极管导通压降损耗 我们来比较因体二极管的正向压降Vf引起的损耗与理想4 mohm的... 2024-12-07 19:11:23 基本半导体1200V碳化硅肖特基二极管B1D30120HC(替代科锐C4D30120D)助力车载充电机 基本半导体1200V碳化硅肖特基二极管B1D30120HC(替代科锐C4D30120D)助力车载充电机;车载充电机可实现交流输入(85VAC~265VAC)/直流输出(200VDC-750VDC... 2024-05-13 国芯思辰|基本半导体650V SiC肖特基二极管B1D10065F(替代IDK10G65C5)助力车载充电机 国芯思辰|基本半导体650V SiC肖特基二极管B1D10065F(替代IDK10G65C5)助力车载充电机;车载充电机可实现交流输入(85VAC~265VAC)/直流输出(200VDC... 2024-06-24