资讯
ADALM2000测量二极管动态特性(2024-12-14)
10kHz，可以看到单向导通特性出现了一些变化。将三角波的频率提高到 100kHz，可以观察到二极管在反向电压下，出现了恢复电流。将二极管替换成肖特基二极管。在同样的频率下，肖特基二极管......
肖特基二极管4大特性，你都知道吗？(2025-01-07 19:59:31)
肖特基二极管4大特性，你都......
碳化硅肖特基二极管在光伏逆变器的应用(2023-03-20)
碳化硅肖特基二极管在光伏逆变器的应用;在全球推进清洁与可再生能源的伟大征程中，光伏发电行业一路蓬勃发展。根据国家能源局发布的全国电力工业统计数据显示，2022年全......
功耗低。
B1D10065F封装TO-263-2
基本半导体碳化硅肖特基二极管的低开关损耗和高开关频率可达MHz特性，可无限的将PFC效率提升至99%以上。B1D10065F可替代罗姆的SCS210AJ......
Multisim中虚拟伏安特性图示仪的使用(2023-06-27)
的仪器，除了电阻外、二极管、三极管元件的伏安特性均可测试。本节介绍Multisim的虚拟伏安特性图示仪使用。
1）将伏安特性图示仪放置在工作平台
操作步骤与万用表相同：将鼠......
氧化镓半导体器件，中国再获重要进展(2022-12-14)
关的边缘终端结构一直是难点。该工作基于氧化镓异质PN结的前期研究基础，将异质结终端扩展结构成功应用于氧化镓肖特基二极管。
该研究通过合理设计优化JTE区域的电荷浓度，确保不影响二极管正向特性的同时最大化削弱肖特基......
耗为129W（@25℃）。相对其他同类产品来说导通特性好、损耗小、功率效率更高，具有更高的稳定性。
此外，B1D05120K碳化硅肖特基二极管的工作温度和储存温度范围都为-55℃~+175℃，满足......
Nexperia针对要求严苛的电源转换应用推出先进的650 V碳化硅二极管(2023-04-20)
半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia今日宣布推出650 V碳化硅(SiC)肖特基二极管，主要面向需要超高性能、低损耗和高效功率的电源应用。10 A、650 V SiC肖特基二极管满足工业级器件标准，可应......
Nexperia针对要求严苛的电源转换应用推出先进的650 V碳化硅二极管(2023-04-20)
Nexperia针对要求严苛的电源转换应用推出先进的650 V碳化硅二极管;
【导读】基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia今日宣布推出650 V碳化硅(SiC)肖特基二极管......
Nexperia针对要求严苛的电源转换应用推出先进的650 V碳化硅二极管(2023-04-20 11:10)
碳化硅(SiC)肖特基二极管，主要面向需要超高性能、低损耗和高效功率的电源应用。10 A、650 V SiC肖特基二极管满足工业级器件标准，可应对高电压和高电流应用带来的挑战，包括开关模式电源、AC......
SemiQ推出高性能1700V SiC肖特基二极管和双二极管模块(2024-07-04 09:41)
创新举措旨在满足包括开关电源(SMPS)、不间断电源(UPS)、电动汽车(EV)充电站在内的多种高要求应用场景在尺寸和功率上的严格标准。这款新推出的SiC肖特基二极管技术亮点在于其无反向恢复电流的特性......
SemiQ推出高性能1700V SiC肖特基二极管和双二极管模块(2024-07-04)
汽车(EV)充电站在内的多种高要求应用场景在尺寸和功率上的严格标准。
这款新推出的SiC肖特基二极管技术亮点在于其无反向恢复电流的特性......
中国科大在氧化镓半导体器件领域取得重要进展(2022-12-13)
Extension, JTE）成功应用于氧化镓肖特基二极管。该研究通过合理设计优化JTE区域的电荷浓度，确保不影响二极管正向特性的同时最大化削弱肖特基边缘电场，从而有效提高器件的耐压能力。优化......
TI推出支持业界最低功耗的智能旁路二极管SM74611(2013-03-18)
列包括适用于太阳能微型逆变器的 UCD3138 数字电源控制器、SM72441 最大功率点跟踪控制器以及 SM72295 全桥驱动器。
SM74611 智能旁路二极管的主要特性与优势
·比肖特基二极管......
基本半导体1200V碳化硅肖特基二极管B1D30120HC(替代科锐C4D30120D)助力车载充电机;车载充电机可实现交流输入（85VAC~265VAC）/直流输出（200VDC-750VDC......
英飞凌与威迈斯加强合作，为电动汽车提供节能经济的快速充电服务(2024-03-04)
英飞凌与威迈斯加强合作，为电动汽车提供节能经济的快速充电服务;科技股份公司的新型CoolSiC™混合分立器件采用 TRENCHSTOP™ 5 快速开关 IGBT 和 CoolSiC 肖特基二极管......
英飞凌与威迈斯加强合作，为电动汽车提供节能经济的快速充电服务(2024-03-04)
开关 IGBT 和 CoolSiC 肖特基二极管。中国领先的新能源汽车功率电子和电机驱动器制造商深圳威迈斯新能源股份有限公司（VMAX）将这款器件用于其下一代6.6 kW OBC/DCDC车载充电器。英飞......
兼容C3D02065E，碳化硅肖特基二极管B1D02065E助力LED显示屏电源(2023-08-16)
兼容C3D02065E，碳化硅肖特基二极管B1D02065E助力LED显示屏电源;LED显示屏是一种迅速发展起来的新型信息显示媒体，凭借智能控制、节能环保、寿命长、光效高、安全可靠等优点，其使......
功率MOS体二极管参数分析(2024-12-07 19:11:23)
降低开关频率或者采用dead time更小的MOS驱动芯片，或者外部并联肖特基二极管，减小VSD。
体二极管导通压降损耗
我们来比较因体二极管的正向压降Vf引起的损耗与理想4 mohm的......
交流耦合视频驱动程序的直流恢复电路(2024-07-17)
确设置输入共模电平，滤波器或驱动器输入需要一个钳位和偏置电路。
采用肖特基二极管的直流恢复
对视频设备的输出进行交流耦合时，直流内容会丢失。要恢复直流偏置电平，视频......
对标C4D40120D，1200V SiC肖特基二极管B2D40120HC1让车载充电机更高效(2023-10-24)
不能满足车载充电机日益增长的性能需求，而高耐压、低损耗且具有高速开关特性的SiC器件，正逐步取代Si器件，成为车载充电机的主流应用。
下面我们以6.6kW车载充电机为例，介绍基本半导体的SiC肖特基二极管......
40A/1200V碳化硅肖特基二极管B2D40120HC1用于机车空调(2023-10-26)
40A/1200V碳化硅肖特基二极管B2D40120HC1用于机车空调;在动车或地铁中，机车空调需要有稳定的电力供电，保持车厢内的空气质量。当机车出现故障时，需要通过后备电池给空调供电。而机......
SiC 半导体功率器件对能源效率的重要性(2023-02-16)
强调了 SiC
二极管的一些特性。
与普通的 PiN
二极管不同，肖特基二极管没有恢复电流，因为它们是具有多数电荷载流子的单极元件。然而，它们......
NIV3071 eFuse 在汽车应用中的优势(2024-04-23)
上述公式和图5，用户可以设置导通容性负载时的最大浪涌电流。下面的图6和图7提供了一个测试用例：
图6 浪涌电流控制测试用例
图7 测试用例的测量结果
大容性负载和肖特基二极管
对于较大的容性负载（和低......
Nexperia现可提供采用节省空间的CFP3－HP汽车平面肖特基二极管(2024-02-26)
Nexperia现可提供采用节省空间的CFP3－HP汽车平面肖特基二极管;
提供卓越散热性能的同时维持较小尺寸基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia今日宣布，现可提供采用CFP3-HP......
Nexperia现可提供采用节省空间的CFP3-HP汽车平面肖特基二极管(2024-02-26)
Nexperia现可提供采用节省空间的CFP3-HP汽车平面肖特基二极管;提供卓越散热性能的同时维持较小尺寸
奈梅亨，2024年2月26日：基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia今日......
Nexperia的650 V SiC二极管产品组合现可满足汽车和更广泛的工业应用需求(2024-06-15)
Nexperia的650 V SiC二极管产品组合现可满足汽车和更广泛的工业应用需求;
【导读】Nexperia今天宣布，其一流的650 V、10 A碳化硅(SiC)肖特基二极管......
英飞凌与威迈斯加强合作，为电动汽车提供节能经济的快速充电服务(2024-03-04)
5 快速开关 IGBT 和 CoolSiC 肖特基二极管。中国领先的新能源汽车功率电子和电机驱动器制造商深圳威迈斯新能源股份有限公司（VMAX）将这款器件用于其下一代6.6 kW OBC/DCDC车载......
英飞凌与威迈斯加强合作，为电动汽车提供节能经济的快速充电服务(2024-03-04 10:27)
分立器件采用 TRENCHSTOP™ 5 快速开关 IGBT 和 CoolSiC 肖特基二极管。中国领先的新能源汽车功率电子和电机驱动器制造商深圳威迈斯新能源股份有限公司（VMAX）将这款器件用于其下一代6.6 kW OBC......
三安集成完成碳化硅MOSFET量产平台打造，贯通碳化硅器件产品线(2020-12-03)
集成表示，“良性竞争有助于产业链上下游协同发展，我们会加快新产品的推出速度和产能建设，以便保持先发优势。”据悉，三安集成碳化硅肖特基二极管于2018年上市后，已完成了从650V到1700V的产......
民德电子：全资子公司拟累计5.18亿元购买江苏联芯6英寸晶圆生产线设备(2022-07-06)
司2021年向特定对象发行股票项目，即碳化硅功率器件的研发和产业化项目、适用于新型能源供给的高端沟槽型肖特基二极管产能的提升及技术改进项目的实施主体。此次购买设备是为了保障募投项目顺利开展。
据此......
NIV3071 eFuse 在汽车应用中的优势(2024-04-23)
电流控制测试用例
图 7.测试用例的测量结果
大容性负载和肖特基二极管
对于较大的容性负载（和低电流直流负载），可以在输出和输入之间放置一个肖特基二极管，如图 8 所示，以在......
英飞凌推出CoolSiC 肖特基二极管2000 V，直流母线电压最高可达1500 VDC，效率更高，设计更简单(2024-10-24 15:08)
英飞凌推出CoolSiC 肖特基二极管2000 V，直流母线电压最高可达1500 VDC，效率更高，设计更简单;如今，许多工业应用可以通过提高直流母线电压，在力求功率损耗最低的同时，向更......
CoolSi 肖特基二极管—IDH08G65C6(2023-10-12 15:12)
CoolSi 肖特基二极管—IDH08G65C6;
极高的效率和性价比
CoolSiC™ 肖特基二极管 650V G6是英飞凌先进的 SiC 肖特基势垒二极管技术，充分......
Nexperia推出全新高性能碳化硅(SiC)二极管系列，继续扩充宽禁带半导体产品(2021-11-05)
Nexperia推出全新高性能碳化硅(SiC)二极管系列，继续扩充宽禁带半导体产品;奈梅亨，2021年11月5日：基础半导体元器件领域的专家Nexperia，今天宣布推出650V、10A SiC肖特基二极管......
意法半导体公布了新系列100V沟槽肖特基整流二极管以提高效率和功率密度(2024-04-02)
关频率变得更高时，用作整流器的传统平面二极管(包括硅肖特基器件)的能量损耗也会随之变大，严重限制了转换能效的改进。
ST的沟槽肖特基二极管可显著降低整流器的能量损耗，正向电压和反向恢复特性......
Nexperia扩展功率器件产品组合，新增标准和车规级理想二极管(2024-09-04)
，支持通过内部MOSFET的栅极电压来调节“阳极”到“阴极”之间的电压，与额定值类似的肖特基二极管相比，其正向压降低8到10倍。除正向压降很低以外，基于MOSFET的理想二极管还有助于将反向直流漏电流降低到典型肖特基二极管......
Vishay推出新型第三代1200 V SiC肖特基二极管(2024-07-02)
Vishay推出新型第三代1200 V SiC肖特基二极管;
【导读】日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出16款新......
Nexperia的650 V SiC二极管产品组合现可满足汽车和更广泛的工业应用需求(2024-06-13)
Nexperia的650 V SiC二极管产品组合现可满足汽车和更广泛的工业应用需求;符合汽车标准的肖特基二极管现采用R2P DPAK封装
奈梅亨，2024年6月13日：Nexperia今天......
中国科大在氧化镓半导体器件领域取得重要进展(2022-12-13)
Termination Extension, JTE）成功应用于氧化镓肖特基二极管。该研究通过合理设计优化 JTE 区域的电荷浓度，确保不影响二极管正向特性的同时最大化削弱肖特基边缘电场，从而......
简述碳化硅SIC器件在工业应用中的重要作用(2022-12-21)
（SBD）是2001年上市的第一款商用碳化硅功率器件。SBD是SiC材料和肖特基二极管结构的组合，是Si PIN二极管的完美替代品。SBD优于Si PIN二极管的最重要特性是其快速反向恢复特性。它不......
Nexperia现可提供采用节省空间的CFP3-HP汽车平面肖特基二极管(2024-02-27)
Nexperia现可提供采用节省空间的CFP3-HP汽车平面肖特基二极管;
【导读】基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia宣布，现可提供采用CFP3-HP封装的22种新型平面肖特基二极管......
为什么万用表测二极管正向电阻不同欧姆档测出的阻值不同？(2023-02-28)
为什么万用表测二极管正向电阻不同欧姆档测出的阻值不同？;万用表测二极管正向电阻，不同的欧姆档测出的阻值不同。
因为二极管是一种非线性元件，从它的伏安特性曲线可以看出，加在二极管......
意法半导体公布了新系列100V沟槽肖特基整流二极管以提高效率和功率密度(2024-04-02)
人员开始提高功率转换器的工作频率，不断刷新功率密度。不过，当开关频率变得更高时，用作整流器的传统平面二极管(包括硅肖特基器件)的能量损耗也会随之变大，严重限制了转换能效的改进。
ST的沟槽肖特基二极管......
宁夏一半导体晶圆芯片项目动工建设(2024-05-13)
值达到30亿元以上，新增设备152余台（套），年设计生产沟道金属氧化物半导体势垒肖特基二极管晶圆60万片，规划总占地面积约296.27亩，建构筑物占地面积81851.49平方米，总建......
Vishay推出新型第三代1200 V SiC肖特基二极管，提升开关电源设计能效和可靠性(2024-06-28)
Vishay推出新型第三代1200 V SiC肖特基二极管，提升开关电源设计能效和可靠性;器件采用MPS结构设计，额定电流5 A~ 40 A，低正向压降、低电容电荷和低反向漏电流低
美国 宾夕......
Nexperia的650 V SiC二极管产品组合现可满足汽车和更广泛的工业应用需求(2024-06-13 09:58)
Nexperia的650 V SiC二极管产品组合现可满足汽车和更广泛的工业应用需求;符合汽车标准的肖特基二极管现采用R2P DPAK封装Nexperia今天宣布，其一流的650 V、10......
硬件工程师入门基础元器件与电路原理(2024-12-03 11:23:44)
硬件工程师入门基础元器件与电路原理;
本文介绍了硬件工程师入门的基础元器件，包括二极管、三极管、MOS管和IGBT。对比了肖特基二极管与硅二极管的特性，探讨了三极管......
Nexperia扩展功率器件产品组合，新增标准和车规级理想二极管(2024-09-04 09:54)
极电压来调节“阳极”到“阴极”之间的电压，与额定值类似的肖特基二极管相比，其正向压降低8到10倍。除正向压降很低以外，基于MOSFET的理想二极管还有助于将反向直流漏电流降低到典型肖特基二极管的100倍......
Vishay推出新型第三代1200 V SiC肖特基二极管，提升开关电源设计能效和可靠性(2024-07-01 09:46)
Vishay推出新型第三代1200 V SiC肖特基二极管，提升开关电源设计能效和可靠性;
器件采用MPS结构设计，额定电流5 A~ 40 A，低正向压降、低电容电荷和低反向漏电流低日前，威世......
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barrier)。 法商矽莱克半导体，主要做（1）高压大功率肖特基二极管，大功率的有20A-60A/60-200V TO-220，TO-3P封装，（2）降低成本肖特基二极管有10A/100-150V
~ 36 伏特 保护用瞬态电压抑制二极管TVS400 ~ 5000瓦特5 ~ 376伏特 场效应管MOSFET0.2瓦特60伏特 小信号开关二极管0.2 ~ 0.5瓦特50 ~ 350伏特 小信号肖特基二极管
、GBU、GBJ、RBV系列；方桥KBPC、SKBPC、BR、DB系列；MB、MBS、HD、DB、DF、板凳桥、贴片桥；全系列贴片二极管；高压肖特基二极管普通肖特基二极管
;金成电子（香港）有限公司;;场效应管 肖特基二极管 快速恢复二极管 三端稳压 三极管等等...
;深圳诚桩电子;;场效应管MOSFET,IGBT,电源驱动IC,快恢复二极管，肖特基二极管，SMD元件！
）优势产品： 品牌 型号 封装 规格 最小包装 备注 统懋（Mospec） S10C40C TO-220 10A/40V 2000PCS 肖特基二极管 统懋（Mospec） S16C40C
;深圳骏鹏科技;;一级代理品牌：日本英达NIEC（整流二极管、快恢复二极管、肖特基二极管）、台湾UTC MOS管、美国桑德斯SMC二极管、韩国HTC LDO、台湾GTM等等。 NIEC产品
;深圳市洲盛电子有限公司;;深圳市洲盛电子有限公司专业 IR（国际整流器公司）、ON（安森美）、Fairchild（仙童）系列：场效应管MOSFET，IGBT，电源驱动IC，快恢复二极管，肖特基二极管
;杭州丽日电子有限公司;;稳压管，开关管，整流二极管，肖特基二极管，瞬变管，桥式整流器，贴片，二三极管
;深圳市嘉美电子有限公司;;主营：TVS瞬态抑制二极管、肖特基二极管、整流二极管、快恢复二极管、稳压二极管等。欢迎前来在线咨询。