合并PIN肖特基结构可带来更高的稳健性和效率

奈梅亨，2023年4月20日：基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia今日宣布推出650 V碳化硅(SiC)肖特基二极管，主要面向需要超高性能、低损耗和高效功率的电源应用。10 A、650 V SiC肖特基二极管满足工业级器件标准，可应对高电压和高电流应用带来的挑战，包括开关模式电源、AC-DC和DC-DC转换器、电池充电基础设施、不间断电源和光伏逆变器，并提高持续运行性能。例如，相比仅使用硅基解决方案的数据中心，配备采用Nexperia PSC1065K SiC肖特基二极管设计电源的数据中心将更加符合严格的能源效率标准。

PSC1065K具备不受温度影响的电容开关和零恢复性能，提供先进的性能以及出色的品质因数(QC x VF)。其突出的开关性能几乎不受电流和开关速度变化的影响。PSC1065K的合并PIN肖特基(MPS)结构还具备其他优势，例如出色的浪涌电流耐受能力，从而无需额外的保护电路。这些特性可显著降低系统复杂性，使硬件设计人员能够在耐用型高功率应用中，以更小的外形尺寸实现更高的效率。Nexperia作为一系列高质量半导体技术产品的供应商，声誉良好，值得设计人员信赖。

这款SiC肖特基二极管采用真2引脚(R2P) TO-220-2通孔电源塑料封装。其他封装选项包括表面贴装(DPAK R2P和D2PAK R2P)和采用真2引脚配置的通孔(TO-247-2)封装，可在高达175°C的高压应用中增强可靠性。

Nexperia SiC产品组高级总监Katrin Feurle表示：“在当前可用的解决方案中，我们提供的高性能SiC肖特基二极管表现优异，对此我们倍感自豪。随着人们的能源意识日渐增强，我们正致力于为市场带来更多选择和便利性，以满足市场对高容量、高效率应用显著增加的需求。”

Nexperia计划不断增加其SiC二极管产品组合，包括工作电压为650 V和1200 V、电流范围为6-20 A的和车规级器件。新款SiC二极管现可提供样品，并于近日开始量产。