低压理想二极管可将功率损耗降低一个量级

奈梅亨，2024年9月04日：Nexperia宣布为其持续扩展的功率器件产品组合新增两款理想二极管IC。其中，NID5100适用于标准工业和消费应用，而NID5100-Q100已获得认证，可用于汽车应用。这两款理想二极管均以MOSFET为基础，拥有比传统二极管更低的正向压降，非常适合用来替换系统中的标准二极管，进而满足相关的超高能效要求。 

NID5100和NID5100-Q100理想二极管采用小型TSSP6/SOT363-2有引脚塑料封装，尺寸仅为2.1 mm×1.25 mm×0.95 mm。NID5100理想二极管的电气性能出色，能为智能电表、火灾/安全传感器、电池供电的可穿戴设备和汽车远程信息处理装置（T-BOX）等应用带来诸多益处。

NID5100是基于PMOS的理想二极管，支持通过内部MOSFET的栅极电压来调节“阳极”到“阴极”之间的电压，与额定值类似的肖特基二极管相比，其正向压降低8到10倍。除正向压降很低以外，基于MOSFET的理想二极管还有助于将反向直流漏电流降低到典型肖特基二极管的100倍。 

与其他同类理想二极管不同，NID5100支持“OR-ing”多路电源，同时保留反向极性保护特性，响应速度非常快，有助于确保平稳地传输功率。Nexperia的理想二极管还兼具其他优势，例如正向调节电压达31 mV（典型值）、可处理高达1.5 A的正向电流，并且可在OR-ed电源之间自动转换。该器件的工作电压范围为1.2V至5.5V，电流消耗非常低，3.3V VIN关断电流仅为170nA，静态电流为240nA。该二极管的绝对最大反向电压保护额定值为-6V，支持输出状态指示(ST)，是电源管理应用中稳健高效的上佳之选。