基本半导体​1200V碳化硅肖特基二极管B1D30120HC(替代科锐C4D30120D)助力车载充电机

发布时间:2024-05-13  

车载充电机可实现交流输入(85VAC~265VAC)/直流输出(200VDC-750VDC)输出的功能,其电路的核心架构通常由整流、PFC升压、LLC逆变、输出整流四部分组成。


通常传统的Si器件由于其反向恢复和开关频率的限制,已经不能满足车载充电机对效率的需求,本文针对车载充电机的二次侧整流部分推荐基本半导体的1200V碳化硅肖特基二极管B1D30120HC(替代科锐C4D30120D),该二极管是以AEC-Q101为标准、支持车载的碳化硅肖特基二极管,可降低开关损耗,可高速开关,可提升车载充电机整机效率。


碳化硅肖特基二极管B1D30120HC的特点如下:

1、结温最大额定值为175℃,存储温度范围为-55~175℃,符合车载高温应用要求。

2、反向电压(重复峰值)最大额定值为1200V,耐压性能出色,满足车载大电压应用对二极管的要求。

3、连续正向电流最大额定值为30A,可承受的正向浪涌电流最大额定值为135A(10ms正弦波,25℃),浪涌保护能力强。

4、在25℃温度条件下,产品的正向压降最大为1.4V,正向导通压降低,反向电流的典型值为8uA,反向电流小,系统功耗低。

5、采用TO-247-3封装,利于设计。



二次侧整流二极管通常使用FRD(快速恢复二极管)和SBD(肖特基势垒二极管)等,本文提到的基本半导体碳化硅肖特基二极管B1D30120HC基本没有开关损耗,而且VF具有正向温度系数,有利于提高车载充电机实际的效率。


文章来源于:电子工程世界    原文链接
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