采用TO247-4封装的CoolSiC™肖特基二极管2000 V G5
该产品系列采用TO-247PLUS-4-HCC封装,爬电距离为14 mm,间隙距离为5.4 mm,再加上高达80 A的额定电流,显著提升了功率密度。它使开发人员能够在应用中实现更高的功率水平,而元件数量仅为 1200 V SiC解决方案的一半。这简化了整体设计,实现了从多电平拓扑结构到2电平拓扑结构的平稳过渡。
此外,CoolSiC™肖特基二极管2000V G5采用.XT互连技术,大大降低热阻和阻抗,实现了更好的热管理。此外,HV-H3TRB可靠性测试也证明了该二极管对湿度的耐受性。该二极管没有反向或正向恢复电流,且具有正向低电压的特点,确保系统性能更优。
2000 V二极管系列与英飞凌2024年春季推出的TO-247Plus-4 HCC封装的CoolSiC™ MOSFET 2000 V完美适配。CoolSiC™二极管2000 V产品组合将通过提供TO-247-2封装而得到扩展,该封装将于2024年12月推出。此外,英飞凌还提供了与CoolSiC™ MOSFET 2000 V匹配的栅极驱动器产品组合。
供货情况
采用TO-247PLUS-4 HCC封装的CoolSiC™肖特基二极管2000 V G5系列及其评估板现已上市。了解更多信息,敬请访问www.infineon.com/CoolSiC-diode-2kV。
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