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ASML：EUV光刻机已近极限 追赶技术还是另辟蹊径？(2024-06-07)
ASML：EUV光刻机已近极限 追赶技术还是另辟蹊径？;首席财务官达森（Roger Dassen）表示，技术路线发展受欧美限制，且已接近技术极限，此一技术路线前景不明。积极寻求突破的中国厂商是持续投入资源突破......
国产光刻机获重大突破，ASML如何应对？(2023-10-19)
国产光刻机获重大突破，ASML如何应对？; 中国科学院院士、中国科学院党组书记白春礼于4月13日访问长春光机所，调研EUV光源等技术，高度肯定光电关键核心技术攻关成果。国产光刻机获重大突破......
清华大学科研团队新成果：有望为EUV光刻光源提供新技术路线(2021-02-26)
光源的突破对于EUV光刻进一步的应用和发展至关重要。唐传祥说：“基于SSMB的EUV光源有望实现大的平均功率，并具备向更短波长扩展的潜力，为大功率EUV光源的突破提供全新的解决思路。”
EUV光刻......
EUV光刻新突破，是不是真的？(2023-09-18)
总归要讲商业逻辑，路要一步一个脚印地走。
另一方面，要考虑到技术实现的问题。光刻机不仅是吞金兽，还是吞电兽、吞水兽，这么大的机器要用多少电、用多少水、废水怎么处理都是要看考虑的问题；光有一个EUV光源还不代表技术突破......
中科院中紫外光刻设备研制成功，国产光刻机有望突破(2017-04-14)
中科院中紫外光刻设备研制成功，国产光刻机有望突破;
来源：内容来自 中科院网站 ，谢谢。
近日，一种新型的中紫外直接光刻机由中国......
EUV光刻机争夺战打响，国产光刻技术难题有何解？(2021-01-29)
是整套体系中最困难的一块。
“要实现强大的功能，EUV就必须克服电能消耗以及光源等因素的影响。”中国电子科技集团公司第四十五研究所集团首席专家柳滨表示，EUV虽然售价超过了一亿美元，但是......
光源技术突破，EUV量产指日可待(2017-03-09)
光源技术突破，EUV量产指日可待;
来源：内容来自eettaiwan，谢谢。
在日前于美国举行的西部光电展(Photonics West)上，业界多家厂商探讨了极紫外光(EUV)微影......
台积电和三星7nm竞赛正式开打，EUV成为关键(2017-01-19)
电路上可容纳的电晶体数量每隔18~24 个月会增加一倍的目标变得窒碍难行，极紫外光（EUV）微影就被视为摩尔定律能持续往下走的关键。
EUV先前因光源强度与生产量未达经济效益，迟迟未能量产。据目......
新技术加持，国产光刻机有望获得新突破(2016-12-12)
线宽，双线间距低至约50纳米的超分辨光刻。未来将这一技术工程化应用到光刻机上，能够突破光学衍射极限对投射电路尺寸的限制从而实现超分辨光刻，有望使国产集成电路光刻机摆脱一味采用更短波长光源......
与ASML平分市场，日本这家工程机械企业不容忽视(2023-06-30)
荷兰的ASML在EUV相关设备市场上垄断了核心光刻机，但日本在DUV光刻设备中的实力也不容忽视。Gigaphoton是日本最大工程机械企业小松旗下的半导体企业，在光刻设备的DUV光源......
ASML登上全球半导体曝光设备龙头，两个转折点都与台积电有关(2021-11-19)
ASML登上全球半导体曝光设备龙头，两个转折点都与台积电有关;外媒报导，半导体制程一家独大的极紫外光曝光设备（EUV）厂商艾司摩尔（ASML），几乎成为各半导体制造商发展不可或缺的伙伴，尤其10纳米......
事关EUV光刻技术，中国厂商公布新专利(2022-11-25)
事关EUV光刻技术，中国厂商公布新专利;近日，据国家知识产权局官网消息，华为技术有限公司于11月15日公布了一项于光刻技术相关的专利，专利申请号为202110524685X。
集成......
ASML合作IMEC：共同加速推进新一代光刻机(2023-06-30)
产量。
Fouquet表示，EUV光源输出功率一直稳步增加，ASML传统型号EUV光源输出功率为250W~300W，最新型号3600D增加到350W，现在研究层面已做到600W，800W指日可待。
到......
国产高端光刻胶为啥量产难？一文看懂全球半导体光刻胶发展现状及竞争格局(2022-03-10)
-EUV的升级方向，g线到EUV光源的曝光波长不断减小，光刻技术难度依次叠加，IC工艺节点也逐渐变小。
总体来看，KrF、ArF、EUV光刻胶主要配合更高端的光刻机来应用，由于光刻胶的生产工艺复杂、纯度......
另辟蹊径？俄罗斯拟自研“比ASML便宜”的EUV光刻机(2024-12-20)
另辟蹊径？俄罗斯拟自研“比ASML便宜”的EUV光刻机;综合CNews、Tom′s Hardware报道，俄罗斯科学院微结构物理研究所（IPM RAS）宣布了一项名为“高性能X射线......
半导体“粮草”先行，国产光刻胶走到哪一步了？(2023-04-11)
目前最前沿的EUV光刻胶（<13.5nm波长）。通常来讲，波长越短加工分辨率越佳，能制造的芯片工艺越先进，技术难度也越高。
其中， g线、 i线光刻胶分别适用于436nm、365nm的波长光源......
极紫外光刻新技术问世，超越半导体制造业的标准界限(2024-08-02)
此设计的光刻设备可采用更小的EUV光源，其功耗还不到传统EUV光刻机的十分之一，从而降低成本并大幅提高机器的可靠性和使用寿命。
在传统光学系统中，例如照相机、望远镜和传统的紫外线光刻技术，光圈......
最新进展！中国芯片研发乘风破浪(2024-05-15)
大学，及中国科学院上海微系统与信息技术研究所成功研制出全球首个氮化镓量子光源芯片。这一突破性进展，不仅为我国在量子通信领域的研究奠定坚实基础，也为全球量子技术的发展注入了新的活力。
在该项目中，研究......
ASML宣布与比利时微电子研究中心合作 加速推进新一代光刻机(2023-06-30)
产量。
Fouquet表示，EUV光源输出功率一直稳步增加，ASML传统型号EUV光源输出功率为250W~300W，最新型号3600D增加到350W，现在研究层面已做到600W，800W指日可待。
到2030......
ASML：数值孔径0.75超高NA EUV光刻设备2030年登场(2023-06-21)
，EUV光源输出功率一直稳步增加，ASML传统型号EUV光源输出功率为250W~300W，最新型号3600D增加到350W，现在研究层面已做到600W，800W指日可待。
到2030年，使用High......
国产光刻机工厂落地雄安？中国电子院澄清(2023-09-20)
国产光刻机工厂落地雄安？中国电子院澄清;近期，一则“7纳米光刻机实现国产化”消息在业界刷屏，消息指出清华大学EUV项目实现了光刻机国产化，并表示该项目已在雄安新区落地。
对此，9月18日中国......
ASML首席技术官：明年交付首台High-NA EUV光刻机(2022-09-28)
ASML首席技术官：明年交付首台High-NA EUV光刻机;据外媒Bits & Chips报道，ASML首席技术官Martin van den Brink日前受访时表示，目前......
台湾大停电，这事得EUV光刻机背锅！(2017-08-16)
，部分制程将首度导入极紫外光（EUV）微影制程，这是半导体产业期待已久的“救世主”技术。
目前半导体制程的主流光源是氩氟雷射，波长为 193 纳米，当晶体管尺度已微缩到几十纳米时，就像......
极紫外光刻新技术问世，能大幅提高能源效率并降低半导体制造成本(2024-08-05 09:20)
此设计的光刻设备可采用更小的EUV光源，其功耗还不到传统EUV光刻机的十分之一，从而降低成本并大幅提高机器的可靠性和使用寿命。在传统光学系统中，例如照相机、望远镜和传统的紫外线光刻技术，光圈......
事关光刻机！美国开发新光源：效率有望提升10倍(2025-01-08 14:03:24)
激光器拥有将极紫外光刻（EUV）光源效率提高约10倍的能力，或有望取代当前EUV工具中使用的二氧化碳激光器，以更......
美国与荷兰日本达成“最强”对华限制协议？将倒逼中国自研半导体设备(2023-02-02)
智能等所需的技术。
荷兰阿斯麦（ASML）、日本尼康（Nikon）和日本东京电子（TEL）等巨头的对华出口，都将执行新的标准。在继续禁绝向中国企业出售EUV光刻机的基础上，新的联盟扩大了管制范围 —— 中国......
曝光技术大进展！三星称关键材料EUV光罩掩膜“透光率达90%”(2023-12-05)
中使用的薄膜透光率（99.3%）还低。
当EUV光罩掩膜在250瓦光源下操作时，每平方公分会产生的5瓦热量，导致温度高达680℃以上，因此除了降低光源衰退外，还必须解决光罩掩膜在EUV过程......
制程升级压力，三大DRAM厂商EUV竞争白热化？(2022-05-27)
制程升级压力，三大DRAM厂商EUV竞争白热化？;据财联社消息，美光总裁暨执行长梅罗特拉（Sanjay Mehrotra）5月26日表示，中国台湾中科新厂启用后，美光将会导入先进性1a nmDRAM......
刘德音：台积电3纳米制程进度超前(2021-02-19)
紫外光微影（EUV）技术，产业界已打破前一代微影技术的尺寸限制，但产量仍是一个问题；EUV可使用较少层数的光罩，使成本达到理想的水准，但EUV功耗极大，为此，台积电已取得350W照明光源技术突破，将可支援5纳米......
Brewer Science：半导体工艺进步引领材料科技发展新方向，先进封装市场增长快(2022-12-30)
影响到半导体各个分支领域的技术发展方向。7纳米制造工艺引入EUV（极紫外光设备）设备，必须要为EUV制造工艺匹配相应的光刻胶。“光刻最重要的就是三光，即光刻机、光源和光刻胶，这三光都做好，光刻就没有什么特别的地方，”Brewer......
最近申请的一项光刻装置专利到底是什么呢？公开图纸，我们也造不出来？(2022-11-28)
机的升级就势必与分辨率水平相关联。
光刻机演进过程是随着光源改进和工艺创新而不断发展的。EUV 作为 7nm
及更先进制程芯片的基础，采用了更加成熟化的极紫外光源，同时......
三星拟新设至少10台EUV光刻机：展露要当世界第一的野心(2022-12-27)
着芯片制造技术的提升，一些半导体设备，制程工艺都在持续突破。
用EUV光刻机造高端芯片成为了行业常识，只有EUV光刻机的极紫外光源才能达到7nm、5nm等制程所需的分辨率和精度。
但是获取EUV光刻机是有难度的，一方......
台积电CEO秘访ASML，High-NA EUV光刻机竞赛提前打响？(2024-05-30)
-NA光刻机？
从早期的深紫外光刻机（DUV）起步，到后来的极紫外光刻机（EUV）以其独特的极紫外光源和更短的波长，再到如今的高数值孔径光刻机（High-NA）正式登上舞台，为制造更小、更精......
华为公布一项EUV光刻新专利(2022-11-25)
半导体工艺向7nm及以下节点的推进，极紫外(extreme ultraviolet，EUV)光刻成为首选的光刻技术。
相关技术的EUV光刻机中采用强相干光源在进行光刻时，相干......
莫大康：中国半导体不是“搅局者”(2017-07-18)
要发展半导体业是历来已久，每年进口芯片金额在千亿美元数量级，而自主生产才近10%，因此要改变不合理的现状是一件天经地义的事。
客观地说，此次中国半导体业的突破与之前大不同，它是......
ASML 一季度财报解读，EUV未出货订单累积到21台(2017-04-20)
和台积电分别注资503million和1.5 billion欧元，希望加速公司的EUV研发；在2012年底，为了解决EUV的光源问题，公司收购了美国的光源生产商Cymer；2016年11月份ASML以10亿欧......
英特尔拿下首套High-NA EUV，台积电如何应对？(2024-01-08)
指出，至少在初期，High-NA EUV 的成本可能高于 Low-NA EUV，这也是台积电暂时观望的原因，台积电更倾向于采用成本更低的成熟技术，以确保产品竞争力。High-NA EUV 需要更高的光源......
俄罗斯宣布自研EUV光刻机：比ASML更便宜、更容易制造！(2024-12-20)
易制造。
据悉，俄罗斯的自主光刻机采用11.2nm的激光光源，而非ASML标准的13.5nm。这种波长将与现有的EUV设备不兼容，需要俄罗斯开发自己的光刻生态系统，这可......
ASML再宣布新计划，2030年推出Hyper-NA EUV(2024-06-18)
5月在IMEC ITF World演讲表示，长远来说，Hyper-NA EUV需改进光源系统，须采Hyper-NA基础，同时还需将所有系统生产效率提升到每小时400~500片晶......
三星首次引进本土生产光刻胶！(2022-12-06)
三星首次引进本土生产光刻胶！;据外媒消息，近日，三星电子将本土公司东进世美肯半导体开发的用于高科技工艺的极紫外 (EUV) 光刻胶引入其量产生产线，据悉，这是三星进行光刻胶本土量产的首次尝试，此前......
三星使用日本产EUV薄膜，透光率达到90%(2023-12-06)
三星使用日本产EUV薄膜，透光率达到90%;
【导读】近日据半导体业界透露，三星的极紫外（EUV）光刻技术取得了重大进展。最近在釜山举行的“KISM2023”学术会议上，三星DS事业......
半导体大厂取消增加光刻胶供应商计划，国内厂商发展现状如何？(2022-09-23)
曝光波长的不同，光刻胶又可以分为g线、i 线、 KrF、ArF以及EUV光刻胶5大类别，其中g线、i线一般用于250nm以上工艺，KrF、ArF和EUV光刻胶属于高端光刻胶，KrF一般用于250nm......
ASML今年下定了几个决心(2022-11-29)
的另一个原因是，DUV光刻机对美国技术依赖较低。DUV光刻机使用的是深紫外光源，而全球能够提供深紫外光源技术的供应商有三家，分别是美国Cymer、日本Gigaphoton和中国的科益虹源。
也就是说，DUV光刻......
美国计划限制美企“技术进口”，最早将于5月公布？(2021-04-20)
电子商情》了解，ASML的EUV光刻机使用了约10万多个零部件，其中90%来自全球各国，比如光源来自于美国Cymer（2013年，ASML收购了Cymer），光学模组来自德国蔡司，计量......
光刻机大厂即将发布新型ArF浸没式扫描仪，整体生产率提高10-15%(2023-12-09)
在不使用EUV光刻机的情况下，实现高精度的芯片制造。这一突破性的技术进步为全球半导体产业带来了新的选择和希望。
封面图片来源：拍信网......
2022年“科创中国”系列榜单公布 东方晶源上榜(2023-03-10)
提高集成电路制造企业的产品良率具有重要意义。经过多年技术攻关,东方晶源突破了集成电路制造检测设备的高速高精度硅片传输定位、高速图像像差补偿、自动缺陷检测和智能分类、小线宽尺寸量测等多项关键技术。截至目前,旗下EBI、CD-SEM均已......
东方晶源电子束检测项目荣登2022“科创中国”先导技术榜单(2023-03-16)
提高集成电路制造企业的产品良率具有重要意义。经过多年技术攻关,东方晶源突破了集成电路制造检测设备的高速高精度硅片传输定位、高速图像像差补偿、自动缺陷检测和智能分类、小线宽尺寸量测等多项关键技术。截至目前,旗下EBI、CD-SEM......
ASML：芯片供应链脱钩几乎不可能(2023-06-25)
的精密反射镜系统供应商，精密反射镜系统是EUV机器最关键的光学部件之一，而ASML于2013年收购的总部位于圣地亚哥的Cymer是EUV光源的唯一供应商。
尽管......
韩国本土半导体厂商开发石墨烯技术，提高生产良率(2022-12-16)
下节点制程的先进制程技术的良率表现至关重要。
另外，光罩保护膜也是一种需要定期更换的消耗品，而由于EUV光刻设备的光源波长较短，因此护膜需要较薄厚度来增加透光率。
之前，硅已......
，Gigaphoton还将介绍EUV光源的研发进展。
* 如果您希望在您的材料中引用这些论文，请联系我们。
关于GIGAPHOTON
GIGAPHOTON公司成立于2000年，作为一家半导体光刻光源的供应商，自成......
相关企业
电致发光纤维线（EL发光线）是通过一种全新的电致发光技术生产出来的产品，并获得中国知识产权局授予发明专利,实用专利共六项，以及国际专利局授予的PCT文献。它不但可提供360度的单一颜色光源，并取得创造性的突破
灯等装饰灯具上面。本公司采用最先进的MCOB封装技术，突破了传统封装技术的瓶颈。节省了封装的成本，在散热方面也得到了很大的改进。由于散热通道短，热量散失快。提高了光效的转换率，延长了光源的寿命。本公
的需求.产品主要销往欧洲\北美\澳洲\韩国\日本\台湾\香港和大陆等国家和地区.公司现在有注塑/配料/丝印/和装配生产流水线等。在LED/CCFL背光源领域里不断取得突破。公司
研发和生产自己的品牌OPT光源，是国内视觉行业起步最早、发展最快的视觉公司。奥普特公司光源种类齐全，各种型号光源都有；而且有不同颜色的光源供应。 公司的光源产品不段更新，现在已经突破好多技术问题，比如在光源
拥有专业的技术人员，先进的生产设备，完善的产品销售网络，在ＬＥＤ／ＣＣＦＬ背光源领域里不断取得突破．信科南公司的主要产品为ＬＥＤ背光源／ＣＣＦＬ背光源，目前发展了用于彩色ＳＴＮ和ＴＦＴ－ＬＣＤ的高效率背光源
;东莞市桥头西雅灯饰加工店;;西雅光电科技有限公司是一家电子元器件的企业，是经国家相关部门批准注册的企业。主营贴片、光源、led灯、照明灯，公司位于中国广东东莞市。自公司成立以来，我们
历程 2006年 日立康科技有限公司成立 2007年 日立康电源15万台生产线投入生产 国际贸易部，工程研发中心成立 参加广交会，台湾数码展，香港电子展 年销售电源突破150万台 同年
;深圳市光脉电子有限公司;;深圳市光脉电子有限公司专业从事生产经营大功率LED和5050以及3528系列SMD光源产品，生产的大功率LED和SMD方面的封装产品主要有： 大功率系列：PC透镜仿流明光源
冠虹公司无极灯核心技术研发的有南京大学、中国电子工程部、北京市人民政府电子工程部办公室、广东五邑大学信息科技学院等单位的科研人员，目前公司在无极灯核心关键技术研究方面取得了突破性进展，已经申请了国外专利2项，国内发明专利1项
大这些缺陷，取得一定技术的突破。其产品主要出口欧美市场及中东市场，在欧美市场赢得客户的尊重与信任。公司秉持"一公分宽度，一公里深度"经营理念。力求生产出面光源的产品，性价比超越顾客的期望。光拓