据尼康官方消息显示，尼康宣布将于2024年1月起发布ArF浸没式扫描仪NSR-S636E，作为关键层的曝光系统，该系统具有更高生产率，并具有高水平的套印精度和吞吐量。

图片来源：尼康官网

尼康在介绍中表示，随着数字化转型的加速，能够更快地处理和传输大量数据的高性能半导体变得越来越重要。领先半导体性能的技术创新的关键推动因素是电路图案小型化和 3D 半导体器件结构，而 ArF 浸没式扫描仪对于这两种制造工艺都至关重要。与传统半导体相比，3D半导体制造过程中更容易发生晶圆翘曲和变形，因此需要比以往更先进的扫描仪校正和补偿功能。

据介绍，NSR-S636E是一款用于关键层的浸润式光刻机。尼康声称，它较以往更高的精度测量晶圆翘曲、扭曲和其他变形，并实现了高重叠精度（MMO ≤ 2.1 nm）。NSR-S636E ArF 浸没式扫描仪采用增强型 iAS，可在曝光前执行复杂的晶圆多点测量。该创新系统利用高精度测量和广泛的晶圆翘曲和畸变校正功能，实现了高重叠精度（MMO ≤ 2.1 nm）。此外，吞吐量已增加至每小时280发，并且通过减少停机时间，与当前型号相比，整体生产率提高了10-15%，已达到该司半导体光刻设备中最高的生产率水平。

此外，尼康表示，曝光设备在不牺牲生产率的情况下，在需要高重叠精度的半导体制造工艺中具有优异的性能，例如三维半导体，作为提高半导体性能的方法，这些工艺正在进一步进行技术开发。该公司表示，将针对半先进逻辑和存储器以及CMOS图像传感器和3D NAND等三维半导体的多样化需求提出最佳解决方案。

光刻机格局：三分天下

光刻机是半导体制造的核心，用于将电子电路蚀刻在基板上。目前，ASML、尼康、佳能三家占据了绝大部分的市场股份。在1990年代之前，尼康和佳能曾在光刻机市场占据主导，随后ASML在最尖端的极紫外(EUV)设备的开发竞争中实现赶超，随着极紫外光刻机在2010年后半期实用化，ASML逐渐占据光刻机市场主导地位。

作为重回市场的策略之一，尼康表示将于2024年夏季推出采用成熟技术的光刻机新产品。使用了1990年代初实用化、被称为“i线”的老一代光源技术。着眼于适合制造需要耐久性的功率半导体等的特点。市场观点人文，尼康将使用通用的电子零部件等，价格能比佳能便宜2～3成左右。

而佳能则声称可研发新的EUV光刻机替代方案，这一观点也引发了全球半导体产业的关注。据悉，佳能EUV光刻机替代方案采用了全新的光学系统和制造工艺，可以在不使用EUV光刻机的情况下，实现高精度的芯片制造。这一突破性的技术进步为全球半导体产业带来了新的选择和希望。

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