据日本媒体报导，光刻机设备龙头阿斯麦（ASML）执行副总裁Christophe Fouquet近日在比利时imec年度盛会ITF World 2023表示，半导体产业需要2030年开发数值孔径0.75的超高NA EUV光刻技术，满足半导体发展。

Christophe Fouquet表示，自2010年以来EUV技术越来越成熟，半导体制程微缩至2020年前后三年，以超过50%幅度前进，不过速度可能会在2030年放缓。

故ASML计划年底前发表首台商用High-NA（NA=0.55）EUV微影曝光设备（原型制作），2025年量产出货。2025年开始，客户就能从数值孔径为0.33传统EUV多重图案化，切换到数值孔径为0.55 High-NA EUV单一图案化，降低制程成本，提高产量。

High-NA EUV预估会有五大客户：英特尔、台积电、三星、SK海力士、美光，可最早使用设备。科林研发、柯磊、HMI和JSR及TEL等正与ASML合作，开发High-NA EUV材料与特用化学品。

Fouquet表示，EUV光源输出功率一直稳步增加，ASML传统型号EUV光源输出功率为250W~300W，最新型号3600D增加到350W，现在研究层面已做到600W，800W指日可待。

到2030年，使用High NA EUV的多重图案将与单一图案一起完成，以提高产量，并降低制程成本，需要更高数值孔径的EUV曝光（NA=0.75）。藉DUV、ArF、EUV和High-NA EUV技术形成图案的每个晶体管成本都不断变化，考量到新技术价格一定高于EUV每套3亿美元，High-NA EUV价格将非常可观，但仍取决于客户要求和开发成本。

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