台积电董事长刘德音近日于2021年国际固态电路会议（ISSCC 2021）开场线上专题演说时表示，台积电3纳米制程依照计划时程发展，甚至比预期进度超前了一些，有信心包括3纳米及未来主要制程节点将如期推出并进入生产。

刘德音在《释放创新未来（Unleash the Future of Innovation）》的演说主题中指出，半导体制程微缩的脚步并未减缓，积体电路的功耗、性能及电晶体密度仍持续进步，台积电的3纳米比预期进度超前，至于2纳米之后的电晶体架构将转向环绕闸极（GAA）的纳米薄片（nano-sheet）架构。

刘德音也指出，藉由紫外光微影（EUV）技术，产业界已打破前一代微影技术的尺寸限制，但产量仍是一个问题；EUV可使用较少层数的光罩，使成本达到理想的水准，但EUV功耗极大，为此，台积电已取得350W照明光源技术突破，将可支援5纳米量产甚至到1纳米节点。

在材料技术革新方面，刘德音指出，材料的创新将推动晶片技术持续向前迈进，低维度材料包括六方氮化硼（hBN）等2D材料，已接近实现量产；台积电已与台湾学界团队合作，成功以大面积晶圆尺寸生长单晶氮化硼，成果并已获刊於国际学术期刊《Nature》；而低温制程则将实现晶圆级的逻辑与记忆体活性层（active layer）堆叠，打造真正的3D IC；此外，他也强调了小芯片（Chiplet）在实现特定领域解决方案上的重要性。

展望未来，刘德音表示，3D芯片堆叠会是重点，而透过台积电的SoIC（system on IC）、低温键合（bonding）制程，可实现3D芯片堆叠。

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