EUV光刻机是先进半导体生产的关键,荷兰半导体设备厂商阿斯麦(ASML)正在有序执行蓝图,首阶段是标准EUV后迎接High-NA EUV,去年底ASML已交货英特尔首套High-NA EUV。上周ASML又证实,年底也将向台积电交货High-NA EUV。不过,半导体业刚准备迈入High-NA EUV时代,ASML又开始研究下代机台Hyper-NA EUV,寻找合适解决方案。
据EETimes报导,ASML已公布下代机台Hyper-NA EUV蓝图,目前为开发早期阶段。ASML前技术长Martin van den Brink 5月在IMEC ITF World演讲表示,长远来说,Hyper-NA EUV需改进光源系统,须采Hyper-NA基础,同时还需将所有系统生产效率提升到每小时400~500片晶圆。
ASML计划2030年推出Hyper-NA EUV,数值孔径达0.75。较High-NA EUV的0.55数值孔以及标准EUV的0.33数值孔径,精确度提高,可有更高分辨率图案化及更小晶体管特征。对ASML而言,Hyper-NA技术还能推动整体EUV平台,改善成本和交货时间。
不过,Hyper-NA EUV也遇到新挑战,如光阻剂要更薄。正如IMEC图案化项目总监Kurt Ronse所言,High-NA EUV应可包括2~1.4纳米节点,再到1~0.7纳米节点,之后由Hyper-NA EUV接续。
2022年接受媒体采访时,Martin van den Brink表示,ASML研究Hyper-NA EUV主要目标是提出智慧解决方案,成本和可制造性方面都保持可控。Martin van den Brink担心成本和可制造性代价可能高得惊人,如果制造成本成长速度与High-NA EUV一样,商业化从经济面看几乎不可行。
不过Martin van den Brink 2023年再谈到Hyper-NA EUV时,似乎更有信心,认为Hyper-NA EUV是机会,成为2030年后新愿景。Hyper-NA EUV比High-NA EUV双重曝光的成本更低,也为半导体产业带来新机会。
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